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181. 发明专利

JP2015159202A フォーカスリング有权
标题翻译：聚焦环
公开(公告)号：JP2015159202A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2014033529
申请日：2014-02-25
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：久保田真弘 , 島敬明
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642
摘要：【課題】プラズマ処理装置内で用いられた際に、異常放電を抑制し、円周方向でのプラズマ環境の均一性が得られるフォーカスリングを提供する。【解決手段】接着剤を用いることなく、複数の円弧状部材10を複数の連結部材20によって連結し、リング状に構成されるシリコン製のフォーカスリングであって、前記連結部材20上面から前記凹状嵌合部23の底面23aまでの厚さ寸法d2が、前記円弧状部材10上面から第2の凹部底面13aまでの厚さ寸法d1より、大きな寸法で形成されている。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过在等离子体处理装置中使用时通过抑制异常放电来获得等离子体环境的均匀性的聚焦环。解决方案：由硅制成的聚焦环通过将多个具有多个联接构件20的弧形构件10，而不使用粘合剂。从联接构件20的上表面到凹形配件23的底面23a的厚度d2形成为比从弧形构件10的顶表面到第二凹陷底部的厚度d1大的尺寸表面13a。

182. 发明专利

JP5773496B2 石英ガラスルツボ有权
标题翻译：石英玻璃坩埚
公开(公告)号：JP5773496B2
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：JP2012078606
申请日：2012-03-30
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：八木祥貴 , 水野泰臣 , 齋藤綾平 , 小畑直之 , 菊池俊之
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/12 , C03B20/00

183. 发明专利

JP5765861B2 窒化物半導体層の分析方法及びこれを用いた窒化物半導体基板の製造方法有权
标题翻译：氮化物半导体层的分析方法和使用该方法的氮化物半导体基板的制造方法
公开(公告)号：JP5765861B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2013117655
申请日：2013-06-04
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：梁瀬佳旗 , 白井宏 , 小宮山純 , 大石浩司
IPC分类号： G01N21/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01J3/42 , G01N21/33 , G01N2021/3568 , G01N21/3563 , G01N21/55

184. 发明专利

JP2015145323A シリカ通気体有权
标题翻译：二氧化硅气体
公开(公告)号：JP2015145323A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2014019016
申请日：2014-02-04
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：菅野晃
IPC分类号： C04B37/04 , C03C27/10
摘要：【課題】優れた光透過性を有すると共に、微細な流体透過部によって優れた流体透過性を有し、更に機械的強度の大きいシリカ通気体を提供する。【解決手段】本発明にかかるシリカ通気体1は、透明なシリカガラスからなる複数の柱状体2が、前記柱状体2の軸線Lが同一方向になるように配置されると共に複数の柱状体2が一体化され、かつ、複数の柱状体2において隣り合う前記柱状体2の周面間に、前記柱状体2の軸線Lと同一方向に貫通する隙間3が複数形成され、前記複数の柱状体2によって少なくとも光が透過すると共に、前記隙間3によって流体が流通する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的透光性以及通过精细流体传递部分具有优异的流体传递性能并且具有高机械强度的二氧化硅曝气体。解决方案：二氧化硅曝气体1包括多个柱状每个由透明石英玻璃制成的主体2以使得柱状体2的轴线L沿相同方向排列的方式布置。柱状体2一体化，在邻接的柱状体2的周面之间形成多个间隙3，每个间隙3沿与柱状体2的轴线L相同的方向贯通。至少由多个柱状体2，而流体由间隙3循环。

185. 发明专利

JP5730115B2 多孔体セラミックスとその製造方法有权
标题翻译：多孔陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：JP5730115B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2011098116
申请日：2011-04-26
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：赤嶺宗子 , 藤田光広
IPC分类号： C04B35/443 , C04B38/00

186. 发明专利

JP2015093814A 金属溶融炉用保護管材料、金属溶融炉用保護管及びその製造方法有权
标题翻译：金属熔化炉保护管材料，金属熔化炉用保护管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015093814A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013234934
申请日：2013-11-13
申请人：コバレントマテリアル株式会社 , 中部電力株式会社
发明人：尾埜敬太 , 新居敦史 , 福田亮介 , 竹内章浩
IPC分类号： C04B35/565
摘要：【課題】耐食性に優れ、高熱伝導率であるという炭化珪素質の特長を損なうことなく、窒化珪素質並みの高い強度及び耐衝撃性を有する金属溶融炉用保護管及びその材料並びに製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素粉末92〜96重量%を主原料とする炭化珪素質焼結体原料に、窒化アルミニウム粉末1〜3重量%及び前記焼結体中での炭素含有率が3〜5重量%となる量のレジンが添加された混合物と、前記混合物の合計量に対して外掛けで8〜13重量%のアルミナ粉末とが混合されてなる金属溶融炉用保護管材料を成形し、1800〜2000℃で焼成して得た焼結体により、金属溶融炉用保護管を構成する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有与氮化硅相当的高强度和抗冲击性的金属熔化炉的保护管，而不损害耐腐蚀性和高导热性的碳化硅的特性，以及材料及其制造方法。解决方案：用于金属熔化炉的保护管由烧结体构成，该烧结体通过将主要含有92至96重量％的碳化硅粉末的碳化硅烧结原料与铝混合物形成用于金属熔化炉的保护管材料，添加1〜3重量％的氮化物粉末和使烧结体中的碳含量为3〜5重量％的树脂，添加8〜13重量％的氧化铝粉末，混合物的外部百分比，并在1800至2000℃下烧结。

187. 发明专利

JP5666131B2 細胞培養モジュール有权
标题翻译：细胞培养模块
公开(公告)号：JP5666131B2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2009523091
申请日：2008-09-30
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：今泉　幸文 , 幸文今泉 , 文彦北川 , 文彦北川 , まどか伊藤 , まどか伊藤
IPC分类号： C12M3/00
CPC分类号： C12M33/12 , C12M23/34 , C12M25/02 , C12M29/14 , C12M41/40 , C12M47/00

188. 发明专利

JP5631034B2 窒化物半導体エピタキシャル基板有权
标题翻译：氮化物半导体外延衬底
公开(公告)号：JP5631034B2
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：JP2010071381
申请日：2010-03-26
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：大石　浩司 , 浩司大石 , 小宮山　純 , 純小宮山 , 健一江里口 , 健一江里口 , 阿部　芳久 , 芳久阿部 , 吉田　晃 , 晃吉田 , 鈴木　俊一 , 俊一鈴木
IPC分类号： H01L21/338 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/32 , H01S5/323

189. 发明专利

JP5615222B2 緑色蛍光体有权
标题翻译：绿色荧光粉
公开(公告)号：JP5615222B2
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：JP2011076898
申请日：2011-03-30
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：正樹入江 , 正樹入江
IPC分类号： C09K11/80

190. 发明专利

JP2014189466A Silicon carbide ceramic 有权
标题翻译：硅碳化硅
公开(公告)号：JP2014189466A
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：JP2013067912
申请日：2013-03-28
申请人： Covalent Materials Corp , コバレントマテリアル株式会社
发明人： ENOMOTO KOJI , AONUMA SHINICHIRO
IPC分类号： C04B35/565 , C04B41/88
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide ceramic excellent in terms of heat resistance and strength and having a high heat conductivity.SOLUTION: The silicon carbide ceramic of the present invention comprises, as a main component, a silicon carbide consisting of α-SiC and β-SiC and additionally includes metallic silicon and carbon components in a state where the content of the metallic silicon is 0.2 wt.% or above and 2 wt.% or below, where the bulk specific gravity thereof is 2.9 g/cmor above and 3.0 g/cmor below, and where the ratio, with respect to the total pore volume, of open pores having average pore diameters of 3 μm or less is at least 85 vol.%. It becomes possible, according to such a constitution, to provide a silicon carbide ceramic excellent in terms of heat resistance and strength and having a heat conductivity according with a utility objective. Moreover, a heat conductivity 240 W/mK or above and 255 W/mK or below is preferred.
摘要翻译：要解决的问题：提供在耐热性和强度方面优异并且具有高导热性的碳化硅陶瓷。本发明的碳化硅陶瓷作为主要成分包含由α-烯烃组成的碳化硅， SiC和-SiC，并且另外包括金属硅和碳成分，其中金属硅的含量为0.2重量％以上且2重量％以下，其体积比重为2.9g / cm 3 以上，3.0g / cm 2以下，平均孔径为3μm以下的开孔的相对于总细孔容积的比率为85体积％以上。根据这样的结构，可以提供一种在耐热性和强度方面优异且根据实用目的具有导热性的碳化硅陶瓷。此外，优选240W / mK以上且255W / mK以下的导热系数。

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