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141. 发明专利

JP6053988B2 センサ装置有权
公开(公告)号：JP6053988B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2016512680
申请日：2015-03-31
申请人：バンドー化学株式会社
发明人：大高秀夫 , 米澤昌弥 , 別所侑亮
IPC分类号： A61B5/11
CPC分类号： A61B5/1126 , A61B5/024 , A61B5/11 , A61B5/1135 , A61B5/6814 , A61B5/6823 , A61B5/6824 , A61B5/6828 , G01B7/22 , G01L9/0072 , A61B2503/10 , A61B2505/09 , A61B2562/0261 , A61B2562/12

142. 发明专利

JP2016170018A MEMS装置审中-公开
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：JP2016170018A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049494
申请日：2015-03-12
申请人：株式会社東芝
发明人：林裕美
IPC分类号： H01G5/16 , H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0072 , G01L19/04
摘要：【課題】MEMS装置内の積層構造の接続部が熱膨張することを抑制する。【解決手段】実施形態に係わるMEMS装置は、下地層10に固定された第1電極(下電極)20と、第1電極20の上方に設けられた可動な第2電極(上電極)40とを含む可変キャパシタ100と、複数の層を含み、第2電極40に接続された接続部(アンカー部)55を有し、可変キャパシタ100を覆い、その内側にキャビティ60を形成する積層構造50と、を備え、複数の層の中の所定の層(中間層)52は、接続部55の少なくとも一部を含む第1の領域56には設けられていない。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止在MEMS器件中具有层压结构的连接部件的热膨胀的MEMS器件。解决方案：MEMS器件包括：可变电容器100，其具有第一电极（下电极）20，其为固定到接地层10和可移动地形成在第一电极20上方的第二电极（上电极）40; 以及包括连接到第二电极40的连接部分（锚固部分）55的多个层压结构50，其覆盖在其中形成空腔60的可变电容器100。多层中的预定层（中间层）52不形成在包括连接部55的至少一部分的第一区域56中。图1

143. 发明专利

JP5985451B2 MEMSデバイス有权
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：JP5985451B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2013185606
申请日：2013-09-06
申请人：株式会社東芝
发明人：中村直文 , 増西桂 , 林裕美 , 浅野佑策 , 池橋民雄 , 出口淳 , 小野大騎
IPC分类号： B81B3/00 , H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： G01L19/04 , G01L9/0072 , G01L9/0075

144. 发明专利

JP2016526170A 改良された圧力センサー構造有权
标题翻译：改进的压力传感器结构
公开(公告)号：JP2016526170A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2016517718
申请日：2014-06-04
申请人：株式会社村田製作所
发明人：クイスマ、ヘイッキ
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/12 , B81B3/0086 , B81B2201/0264 , G01L9/0072 , G01L13/00 , G01L19/0654
摘要：平坦なベースと、側壁と、ダイアフラムプレートとを有する微小電気機械の圧力センサー構造である。側壁は、平坦なベースから遠ざかる周方向に、側壁の上面に向かって延びる。平坦なベースと、側壁と、ダイアフラムプレートとは、互いに固定され、基準圧力において気密に密閉されたギャップを形成し、側壁の内面の頂部エッジは、ダイアフラムの周縁を形成する。ダイアフラムプレートは、1以上の平坦な材料層を有し、そのうち第1の平坦な材料層は、ダイアフラムの周縁上に渡って広がる。側壁の上面は、第1の平坦な材料層に覆われない少なくとも1つの隔離領域を有する。【選択図】図3
摘要翻译：平坦基底，侧壁，微机电和隔膜板的压力传感器的结构。在圆周方向上从所述平坦的基部远离侧壁，向着所述侧壁的上表面延伸。平坦基底，侧壁，一个隔膜板，被固定到彼此，以形成气密地在参考压力密封的间隙，所述侧壁的内表面的顶部边缘形成所述隔膜的周边。光阑板具有一个或多个平的材料层，其中第一平坦材料层，散布在隔膜的周边。所述侧壁的上表面具有不覆盖有第一平坦材料层的至少一个分离的区域。点域

145. 发明专利

JP2016526157A 改良された圧力センサー有权
标题翻译：改进的压力传感器
公开(公告)号：JP2016526157A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2016512463
申请日：2014-05-08
申请人：株式会社村田製作所
发明人：クイスマ、ヘイッキ
IPC分类号： G01L9/00 , B81B3/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0072 , B81B3/007 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , G01L7/082 , G01L9/0042 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L9/0073
摘要：ダイヤフラムの長さがダイヤフラムの幅の少なくとも三倍である、微小電気機械的圧力センサー構造。縦長のダイヤフラムは、ウエハーの側屈とダイヤフラムの幅に沿ったダイヤフラムの側屈との最小化された差を経験する。垂直方向では、ダイヤフラムは少なくとも三倍長く、そのことにより、ウエハーの曲げ形状と正確に一致する。これにより、構造の曲げにより引き起こされる総誤差が有意に軽減され、よりロバストな構造が達成される。同時に、より長いダイヤフラムは、検知のためのモードのたわみ領域を提供し、このようにして装置の感度を有意に改善する。【選択図】図2
摘要翻译：膜片的长度是膜片，微 - 电 - 机械压力传感器结构的宽度的至少三倍。垂直膜片经受沿横向弯曲隔膜的一侧弯曲与膜片晶片的宽度之间的最小差值。在垂直方向上，所述隔膜至少三倍长，由正好在晶片的弯曲形状相匹配。因此，由该结构的弯曲的总误差显著降低，更坚固的结构得以实现。同时，时间越长隔膜提供了模式检测的偏转区，显著提高了由此装置的灵敏度。 .The

146. 发明专利

JP2016109465A 静電容量型センサ有权
标题翻译：电容式传感器
公开(公告)号：JP2016109465A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014244529
申请日：2014-12-02
申请人：株式会社堀場エステック
发明人：岸田創太郎 , 中山亮太
IPC分类号： G01L9/00 , G01L9/12
CPC分类号： G01R17/02 , G01L1/142 , G01L1/144 , G01L9/0072 , G01L9/12
摘要：【課題】静電容量型センサの測定誤差を低減するだけでなく、検出感度を向上させる。【解決手段】圧力に応じて静電容量が変化する検出コンデンサと、基準静電容量を有する固定コンデンサと、検出コンデンサ及び固定コンデンサに所定周波数の初期電圧を印加する初期電圧印加部と、少なくとも検出コンデンサにかかる分圧に基づく出力電圧を出力する第1オペアンプと、第1オペアンプの出力電圧の変化の基準となり初期電圧と同一周波数の基準電圧を発生する基準電圧発生部と、第1オペアンプの出力電圧及び基準電圧の差に基づく出力電圧を出力する第2オペアンプと、第2オペアンプの出力電圧の振幅により圧力を演算する圧力演算部とを具備する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：减少电容传感器的测量误差，提高检测灵敏度。电容传感器包括：具有根据压力而变化的静电容量的检测电容器; 具有参考静电电容的固定电容器; 初始电压施加单元，将具有预定频率的初始电压施加到检测电容器和固定电容器; 第一运算放大器，至少在所述检测电容器上输出基于分压的输出电压; 参考电压产生单元，产生与初始电压相同频率的参考电压，并用作第一运算放大器的输出电压变化的参考; 第二运算放大器，基于第一运算放大器的输出电压和参考电压之间的差异输出输出电压; 以及压力操作单元，其通过第二运算放大器的输出电压的振幅来操作压力。选择图：图1

147. 发明专利

JP2016508615A 健全状態のリアルタイム監視および補償をする圧力センサ有权
标题翻译：实时监测和补偿健康状况压力传感器
公开(公告)号：JP2016508615A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015560204
申请日：2014-02-14
申请人：エムケーエスインストルメンツインコーポレーテッドMks Instruments,Incorporated , エムケーエスインストルメンツインコーポレーテッドMks Instruments,Incorporated
发明人：グ，レイ , ディー．ルーカス，ポール , ディー．ルーカス，ポール , エフ．バート，ステファン , エフ．バート，ステファン , ダブリュー．サリバン，フィリップ , ダブリュー．サリバン，フィリップ
IPC分类号： G01L19/06
CPC分类号： G01L19/0092 , G01L9/0072
摘要：圧力センサは気体圧力または液体圧力を測定し得る。チャンバは、気体または液体を受ける吸入口を有してよい。可撓隔膜は、吸入口を流れた気体または液体に曝される表面を有するチャンバ内にあってもよい。圧力センサシステムは、気体または液体の圧力の変化によって引き起こされる可撓隔膜の変化を感知し得る。圧力不感応型センサシステムは、可撓隔膜における気体または液体の圧力の変化によって引き起こされたのではない変化を感知してもよい。圧力不感応型センサシステムは、可撓隔膜における気体または液体の圧力の変化によって引き起こされる変化に不感応でもよい。
摘要翻译：该压力传感器可以测量的气体压力或液体压力。室可以具有用于接收气体或者液体的入口。柔性膜可以是具有暴露于流过所述入口的气体或液体的表面的腔室。压力传感器系统可感测所引起的气体或液体的压力的变化的柔性膜的变化。压力不敏感的传感器系统可以感测没有被在所述柔性膜中的气体或液体的压力变化而引起的变化。压力不敏感的传感器系统可以是不敏感的所引起的气体或液体的所述柔性膜中的压力变化的变化。

148. 发明专利

JP2015200619A 圧力センサ审中-公开
标题翻译：压力传感器
公开(公告)号：JP2015200619A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014081058
申请日：2014-04-10
申请人：株式会社東芝
发明人：丸藤竜之介 , 小野大騎 , 中村直文 , 林裕美
IPC分类号： G01L9/12 , G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0072 , G01L9/125
摘要：【課題】低圧領域を高感度で検出できる圧力センサを提供する。【解決手段】MEMS素子を用いた圧力センサであって、基板10上に固定された固定電極20と、固定電極20の上方に上下方向に可動可能に配置された可動電極50と、基板10と共に固定電極20及び可動電極50を収容するための空洞を形成する薄膜ドーム60と、薄膜ドーム60内の空洞と薄膜ドーム60外の外気とを接続する接続穴60aと、固定電極20と可動電極50との間に電圧を印加し、可動電極50の機械特性の時間依存性又は周波数依存性を測定する回路15とを具備した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以高灵敏度检测低压区域的压力传感器。解决方案：提供一种使用MEMS元件的压力传感器，该压力传感器包括：固定到基板10的固定电极20; 以能够沿垂直方向移动的方式设置在固定电极20的上方的可动电极50; 用于与用于容纳固定电极20和可动电极50的基板10一起形成一个洞的薄膜圆顶60; 连接孔60a，用于连接薄膜圆顶60内部的洞穴和薄膜穹顶60外的露天; 以及用于在固定电极20和可动电极50之间施加电压并测量可动电极50的机械特性的时间依赖性或频率依赖性的电路15。

149. 发明专利

JP5743378B2 音響圧力センサを備える圧力トランスミッタ有权
标题翻译：压力变送器包括声压力传感器
公开(公告)号：JP5743378B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2008538883
申请日：2006-09-19
申请人：ローズマウントインコーポレイテッド
发明人：ヘツキ,ロバート・シー
IPC分类号： G01L11/04
CPC分类号： G01F1/383 , G01L11/04 , G01L27/007 , G01L9/0072

150. 发明专利

JP2015515612A キャリア基板および強誘電体層からなるセンサ装置、ならびにそのセンサ装置の製造方法および使用有权
标题翻译：传感器装置，包括用于制备和使用传感器装置的载体衬底和铁电体层，以及处理
公开(公告)号：JP2015515612A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2014561284
申请日：2013-03-09
申请人：フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
发明人：ヴェルデンヴェーバー・ロジャー
IPC分类号： G01L1/16 , G01L9/08 , H01L41/113 , H01L41/187
CPC分类号： H01L29/516 , G01J5/20 , G01J5/34 , G01L1/12 , G01L9/0072 , G01L9/0077 , G01N3/08 , H01L41/1132
摘要：本発明は、キャリア基板、ならびにそのキャリア基板上に配置された強誘電体層を備え、強誘電体層の誘電率を読み出すための手段を有するセンサ装置に関する。このセンサ装置は、強誘電体層が結晶としてキャリア基板上に配置されていることを特徴とする。このセンサ装置の製造法およびその使用を開示する。
摘要翻译：本发明是一种载体衬底，并且包括设置在载体衬底上的强电介质层，以一个传感器装置，包括：用于读取所述铁电层的介电常数。所述的传感器装置，铁电体层的特征在于，它被设置在载体衬底作为晶体上。传感器装置和制备中公开的使用。

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