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111. 发明专利

JP2016225991A 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器有权
标题翻译：一种半导体装置，显示装置，显示模块和电子设备
公开(公告)号：JP2016225991A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016123125
申请日：2016-06-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：梅崎敦司
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/20 , G02F1/133 , G02F1/136 , H01L21/336 , H01L29/786 , G11C19/28 , H03K17/06 , H03K19/003 , H03K17/687
CPC分类号： H01L27/1255 , G02F1/134309 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G09G3/3266 , G09G3/3413 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G11C19/28 , H01L27/0629 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/78663 , H01L29/78672 , H01L29/7869 , G09G2300/0426 , G09G2310/0235 , G09G2310/0251 , G09G2310/0286 , G09G2310/061 , G09G2310/08 , G09G2320/0252 , G09G2330/021
摘要：【課題】容量素子と接続されるトランジスタの数を減らすことを課題とする。【解決手段】容量素子と、一つのトランジスタとを有し、容量素子の一方の電極は配線と接続され、容量素子の他方の電極はトランジスタのゲートと接続される構成とする。当該配線には、クロック信号が入力されるので、クロック信号は容量素子を介してトランジスタのゲートに入力される。そして、トランジスタの導通状態は、クロック信号に同期した信号によって制御され、トランジスタはオンになる期間とオフになる期間とを繰り返す。こうして、トランジスタの劣化を抑制することができる。【選択図】図1
摘要翻译：公开的是一个目的是减少要连接到所述电容元件的晶体管的数量。具有的电容元件和一个晶体管，一个电容器的电极连接到布线，电容器的另一个电极被配置成连接到所述晶体管的栅极。在布线中，由于时钟信号被输入时，一个时钟信号被输入到流过电容器的晶体管的栅极。然后，晶体管的导通状态是由与时钟信号同步的信号的控制，晶体管重复，其中时间段和关闭被打开的周期。因此，能够抑制晶体管的劣化。点域1

112. 发明专利

JP6053890B2 表示装置有权
公开(公告)号：JP6053890B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2015195742
申请日：2015-10-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L21/8236 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/786 , H01L27/08 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/02 , G09F9/30
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09G3/20 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/7869 , G09G2310/0275

113. 发明专利

JP2016213483A 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016213483A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016135690
申请日：2016-07-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：杉澤希 , 波多野薫 , 瀬尾哲史
IPC分类号： H01L51/50 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/5234 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L51/5092 , H01L51/5231 , H01L2251/5323 , H01L2251/554 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L51/5068 , H01L51/524 , H01L51/5278
摘要：【課題】酸化物半導体を用いて信頼性の優れた半導体装置又は発光装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ410のソース電極層又はドレイン電極層に接続された第1の電極401と、第1の電極に重畳する第2の電極402の間に発光物質を含む有機層403を備えた半導体装置において、第2の電極から、水素原子を含む不純物(例えば水分)を還元して水素イオン又は水素分子を発する活性な導電材料を排除する。特に、水と反応して水素イオン又は水素分子を発生し難い不活性な導電材料を用いて、酸化物半導体を有する半導体装置を構成する。具体的には、酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい金属、酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい金属同士の合金乃至酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい導電性の金属酸化物を用いる。【選択図】図1
摘要翻译：以提供良好的半导体装置或使用氧化物半导体发光器件的可靠性。包括A氧化物第一电极401连接到源极或漏极的晶体管410的电极层，其包括半导体，所述第二电极402之间的发光物质与所述第一电极重叠在该半导体器件具有有机层403，第二电极，消除了由含有氢原子减少杂质（例如水分）发射氢离子或氢分子活性导电材料。特别是，使用惰性的导电材料几乎不产生氢离子或氢分子中，构成包括氧化物半导体的半导体器件与水反应。具体地，金属氧化物还原电位比标准氢电极的大时，氧化还原电位是大的导电金属氧化物比合金相比于标准氢电极之内的标准氢电极更大的金属对金属的氧化还原电位用的东西。点域1

114. 发明专利

JP2016206634A 表示装置审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2016206634A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015175628
申请日：2015-09-07
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：宍戸英明 , 三宅博之 , 豊高耕平 , 兼安誠
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/14 , G09G3/30 , G09G3/20 , G09F9/30
CPC分类号： H01L27/3276 , H01L27/3216 , H01L27/3218 , H01L27/3248 , H01L27/3262
摘要：【課題】精細度を極めて高くできる表示装置を提供する。または、表示品位が高められた表示装置を提供する。または、開口率が高められた表示装置を提供する。【解決手段】画素は3つの副画素を有し、2本のゲート線が画素と電気的に接続される。一方のゲート線は、2つの副画素が有するそれぞれのトランジスタのゲートと電気的に接続し、他方のゲート線が、残りの副画素が有するトランジスタのゲートと電気的に接続する構成とする。一方、3つの副画素のそれぞれの表示素子は、一方向に並べて配置される構成とする。3つの副画素が備える3つの画素電極は、一方向に並べて配置される構成とする。【選択図】図1
摘要翻译：本发明的一个目的是提供的定义可以是非常高的显示装置。或提供一种显示质量提高的显示装置。或提供，其中所述开口比增加的显示装置。像素包括三个子像素，两条栅极线电连接到像素。一个栅极线，两条和电连接到每个晶体管的子像素的栅极的另一栅极线，该电的其余部分连接到所述晶体管的子像素的栅极的结构。在另一方面中，每个的三个子像素的显示元件的构成为，以在一个方向上并排布置。在三个子像素提供三个像素电极被配置成在一个方向上并排布置。点域1

115. 发明专利

JP2016197612A 発光装置审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2016197612A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2016169726
申请日：2016-08-31
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：波多野薫
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/26 , H05B33/04
CPC分类号： H01L27/3272 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3251 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L51/525 , H01L51/5253
摘要：【課題】発光素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止するため、一対の基板間に発光素子を配置して中空構造とすると、一対の基板間に接着剤などの樹脂を充填する構造に比べて隣接する画素への光漏れが生じやすくなる。【解決手段】隣接する画素への光漏れを低減するため、隔壁上に遮光性を有するスペーサを形成し、遮光性を有するスペーサによって一対の基板の間隔を一定に保つ構造とする。遮光性を有するスペーサの断面形状は上辺よりも下辺が短い台形とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题为了解决这样一个问题，即为了防止氧气或水分到达发光元件，形成有在一对基板之间设置有发光元件的中空结构，漏光到相邻的与在一对基板之间填充有诸如粘合剂的树脂的结构相比，容易发生像素。解决方案：为了减少对相邻像素的光泄漏，发光器件具有其中遮光间隔物为形成在隔板上，以通过遮光间隔物保持一对基板之间的间隔均匀。遮光间隔物的截面形状是具有比上侧短的下侧的梯形。选择的图：图1

116. 发明专利

JP6025914B2 発光装置有权
公开(公告)号：JP6025914B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2015105640
申请日：2015-05-25
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：納光明 , 宮崎彩 , 小山潤 , 宇田川誠 , 早川昌彦 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC分类号： H01L33/08 , G09G3/3233 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3295 , H01L2924/0002

117. 发明专利

JP6014196B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6014196B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2015079963
申请日：2015-04-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 小山潤 , 三宅博之
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/477 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1229 , G09G3/20 , G11C19/28 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/41733 , H01L29/42372 , H01L29/45 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , H01L27/3262

119. 发明专利

JP2016177304A 発光装置有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2016177304A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2016094761
申请日：2016-05-10
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：納光明 , 宮崎彩 , 小山潤 , 宇田川誠 , 早川昌彦 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50 , H01L21/336 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC分类号： H01L33/08 , G09G3/3233 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3295 , H01L2924/0002
摘要：【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する3トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用TFT 5505と消去用TFT5506の2つのTFTを、第1のゲート信号線5502と第2 のゲート信号線5503の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：通过使开口部分简单来解决收缩的问题。解决方案：三晶体管的发光装置在像素中包括驱动晶体管，开关晶体管和擦除晶体管。在发光装置中，在第一栅极信号线5502和第二栅极信号线5503之间配置开关TFT5505和擦除TFT5606的两个TFT。通过这种布置，开口率增大，开口部分为也形成了一个简单的形状。选择图：图5

120. 发明专利

JP2016174185A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2016174185A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2016124100
申请日：2016-06-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：坂倉真之 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/26 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L27/1244 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G09G3/2007 , G09G3/36 , H01L27/0255 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1274 , H01L27/3223 , H01L27/3276 , H01L29/78663 , H01L29/78675 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F2001/133302 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , G09G2300/0426 , G09G2310/0235 , H01L2227/323 , H01L27/3262 , H01L2924/13069
摘要：【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐圧が低下されるという問題がある。【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。【選択図】図4

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