基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：JP2016124100 申请日：2016-06-23
- 公开(公告)号：JP2016174185A 公开(公告)日：2016-09-29
- 发明人： 坂倉 真之 , 山崎 舜平
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2005141132 2005-05-13
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L29/786 ; H01L51/50 ; H05B33/14 ; H05B33/22 ; H05B33/26 ; H01L21/3205
摘要：
【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ 、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の 上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比 べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合 においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐 圧が低下されるという問題がある。 【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上 に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが 一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 【選択図】図4
公开/授权文献:
- JP6188876B2 表示装置 公开/授权日：2017-08-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |