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111. 发明专利

JP6294208B2 トレンチゲート電極を有する絶縁ゲート型スイッチング素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6294208B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2014212856
申请日：2014-10-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：鈴木克己 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336

112. 发明专利

JP2016082099A トレンチゲート電極を有する絶縁ゲート型スイッチング素子の製造方法有权
标题翻译：用于制造绝缘栅开关元件的方法，包括TRENCH门电极
公开(公告)号：JP2016082099A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014212856
申请日：2014-10-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：鈴木克己 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/336
摘要：【課題】トレンチゲート電極のトレンチの側面をより平坦化することが可能な技術を提供する。【解決手段】トレンチゲート電極を有する絶縁ゲート型スイッチング素子を製造する方法であって、トレンチ形成工程、保護膜形成工程、熱処理工程、ゲート絶縁膜形成工程及びゲート電極形成工程を有する。トレンチ形成工程では、表面がc面であるSiC基板の前記表面に、側面がm面に沿って伸びるトレンチを形成する。保護膜形成工程では、炭素を含んでおり、前記表面の少なくとも一部を覆っている保護膜を形成する。熱処理工程では、前記表面の少なくとも一部が前記保護膜に覆われており、前記側面が露出している状態で、前記SiC基板を熱処理する。ゲート絶縁膜形成工程では、前記熱処理よりも後に、前記側面にゲート絶縁膜を形成する。ゲート電極形成工程では、前記トレンチ内にゲート電極を形成する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供能够进一步平坦化沟槽栅电极的沟槽的侧表面的技术。解决方案：一种制造包括沟槽栅电极的绝缘栅极开关元件的方法，包括沟槽形成步骤，保护膜形成步骤，热处理步骤，栅极绝缘膜形成步骤和栅电极形成步骤。沟槽形成步骤形成沟槽，其侧表面沿着SiC衬底的表面（c表面）上的m表面延伸。保护膜形成步骤形成含有碳的保护膜并覆盖表面的至少一部分。热处理步骤在其中至少一部分表面被保护膜覆盖并且侧表面暴露的状态下热处理SiC衬底。栅极绝缘膜形成步骤在热处理之后在侧表面上形成栅极绝缘膜。栅电极形成步骤在沟槽中形成栅极。选择图：图4

113. 发明专利

JP2016082096A 絶縁ゲート型スイッチング素子と、その製造方法审中-公开
标题翻译：绝缘闸门开关元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016082096A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014212814
申请日：2014-10-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：鈴木克己 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチ内の埋め込み材をエッチングするときに、埋め込み材の表面に凹部が形成されることを防止する。【解決手段】絶縁ゲート型スイッチング素子のトレンチ形成工程では、半導体基板の表面にトレンチを形成する。保護膜形成工程では、前記表面に保護膜を形成する。保護膜エッチング工程では、前記表面とトレンチの側面との境界部に隣接する範囲の前記表面上の保護膜をエッチングすることによって、境界部に隣接する範囲の前記表面を露出させる。曲面化工程では、半導体基板を不活性ガス中で熱処理することによって、境界部を曲面化する。埋め込み材成長工程では、トレンチ内に埋め込み材を成長させる。埋め込み材エッチング工程では、トレンチの底部に埋め込み材が残存するように、埋め込み材をエッチングする。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在蚀刻嵌入材料时在沟槽中的嵌入材料的表面上形成凹陷。解决方案：绝缘栅极开关元件的沟槽形成步骤在半导体衬底的表面上形成沟槽。保护膜形成步骤在半导体衬底的表面上形成保护膜。保护膜蚀刻步骤通过在与边界相邻的范围上蚀刻保护膜，在与半导体衬底的表面和沟槽的侧表面之间的边界相邻的范围内暴露表面。弯曲步骤通过在惰性气体中热处理半导体衬底来弯曲边界。嵌入材料生长步骤将嵌入材料生长在沟槽中。嵌入材料蚀刻步骤蚀刻嵌入材料，使得嵌入材料保留在沟槽的底部。选择的图示：图5

114. 发明专利

JP2018037533A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018037533A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016169815
申请日：2016-08-31
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：天野陽 , 里村隆幸 , 竹内有一 , 鈴木克己 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/66 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66068 , G01B11/0625 , H01L21/26513 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7813
摘要：【課題】的確に膜厚制御が行われたSiC半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】p型ベース領域3の膜厚を測定する際に、p型ベース領域3およびn - 型ドリフト層2を成長させたn + 型基板1に対してp型ベース領域3側から赤外光を照射する。そして、p型ベース領域3とn - 型ドリフト層2との界面の反射光ではなく、n - 型ドリフト層2とn + 型基板1との界面の反射光およびp型ベース領域3の表面からの反射光の干渉光を測定する。このように、p型ベース領域3とn - 型ドリフト層2との合計膜厚である二層膜厚T2を測定する。二層膜厚T2からn - 型ドリフト層2である一層膜厚を差し引く演算することで、p型ベース領域3の膜厚を算出する。【選択図】図5

115. 发明专利

JP2016162918A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016162918A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015041260
申请日：2015-03-03
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：池田知治 , 宮原真一朗 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0475 , H01L21/324 , H01L21/6835 , H01L29/1608 , H01L21/0455 , H01L2221/6834
摘要：【課題】熱処理時にトレンチの側面からのSiの昇華を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】SiC基板12の表面にトレンチ20を形成する工程と、トレンチ20を覆うように表面に保護基板62を配置する工程と、SiC基板12と保護基板62を熱処理する工程を有する。保護基板62がトレンチ20を覆うので、トレンチ20の内面からSiが昇華するとトレンチ20の内部の気圧が上昇するので、トレンチ20の側面からSiが昇華することが抑制される。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在热处理时抑制Si从沟槽的侧面升华的技术。解决方案：一种半导体器件制造方法包括：在一个表面上形成沟槽20的工艺 SiC衬底12; 将保护基板62布置在表面上以覆盖沟槽20的过程; 以及对SiC衬底12和保护衬底62进行热处理的过程。由于保护衬底62覆盖沟槽20，并且当硅从沟槽20的内表面升华时，沟槽20中的空气压力升高，升华来自沟槽20的侧面的Si被抑制。选择图：图8

116. 发明专利

JP6176201B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6176201B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2014149140
申请日：2014-07-22
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：添野明高 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/20 , H01L22/14 , H01L29/7395

117. 发明专利

JP2018054433A 検査装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018054433A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016190025
申请日：2016-09-28
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：杉本雅裕 , 青井佐智子 , 浦上泰
IPC分类号： G01R31/26
摘要：【課題】半導体装置に瞬間的に電流を流す場合に、半導体装置の温度上昇を抑制する。【解決手段】半導体装置の検査装置であって、前記半導体装置が載置されるステージと、前記半導体装置の表面に接触するプローブピンと、前記ステージと前記プローブピンを介して前記半導体装置に電流を流す通電装置を備えている。前記ステージと前記プローブピンの少なくとも一方が、半導体部材を有している。前記半導体装置が、前記通電装置の電流経路の一部を構成しているとともに前記半導体装置に電流を流すときにペルチェ効果によって前記半導体装置から吸熱する。【選択図】図3

118. 发明专利

JP2016025250A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016025250A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014149140
申请日：2014-07-22
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：添野明高 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/301 , B24B27/06 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/20 , H01L22/14 , H01L29/7395
摘要：【課題】半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の一部の半導体素子を通電する工程を有する半導体装置の製造方法であって、通電時に隣接する半導体素子に対して放電が生じることを抑制することが可能な方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハに第1電極31bを有する第1半導体素子14bと、第2電極34cを有する第2半導体素子14cを形成する工程と、第1電極31bと第2電極34cの間の第1境界部40bに第1絶縁層50を形成する工程と、第1電極31bに、第2電極34cの電位とは異なる特定電位を印加する工程と、第1境界部40bにおいて半導体ウエハ12を切断することによって、第1半導体素子14aを第2半導体素子14cから分離する工程を有する。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有为形成在半导体晶片上的多个半导体元件中的一些半导体元件供电的过程，能够抑制在通电期间邻接的半导体元件的放电发生。解决方案：制造半导体器件包括用于形成在半导体晶片上具有第一电极31b的第一半导体元件14b和具有第二电极34c的第二半导体元件14c的步骤，在第一边界40b中形成第一绝缘层50的步骤在第一电极31b和第二电极34c之间，在第一电极31b上施加与第二电极34c的电位不同的特定电位的步骤，以及用于将第一半导体元件14a与第二半导体元件14c分离的步骤，在第一边界40b中切割半导体晶片12.选择图：图6

119. 发明专利

JP6784921B2 スイッチング素子とその製造方法有权
公开(公告)号：JP6784921B2
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：JP2017028107
申请日：2017-02-17
申请人：株式会社デンソー
发明人：辻村理俊 , 朽木克博 , 青井佐智子 , 浦上泰
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78

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