专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

92. 发明专利

JP2006523032A Silicon controlled rectifier electrostatic discharge protection device of the power supply line with a power-down mode of operation 有权
公开(公告)号：JP2006523032A
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：JP2006509734
申请日：2004-04-06
申请人：サーノフコーポレーション , サーノフヨーロップビーヴィービーエー
发明人：ジョンアルマー， , コエンベルハージ， , マークスマルゲンス， , コルネリウスクリスタインルス，
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/092 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/87
摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection circuit in a semiconductor integrated circuit (IC) having protected circuitry. The ESD protection circuit includes a silicon controlled rectifier (SCR) having at least one first type high dopant region coupled to a first reference potential of the protected circuitry, and at least one second type high dopant region coupled to a second reference potential of the IC. The SCR is triggered by an external on-chip trigger device, which is adapted for injecting a trigger current into at least one gate of the SCR.

94. 发明专利

JP2006518941A Full silicide mos design of drivers and esd protection of the minimum size for between optimal finger binding 审中-公开
公开(公告)号：JP2006518941A
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：JP2006503770
申请日：2004-02-19
申请人：サーノフコーポレーション , サーノフヨーロップビーヴィービーエー
发明人：アーマー，ジョン , ケッペンズ，バート , ジョズウィアック，フィリップ，チェスロー , ゲラルドマリアフェルハエゲ，コーエン , メルゲンズ，マルクス , クリスチャンラス，コルネリウス
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/62 , H01L27/02 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H02H20060101
CPC分类号： H01L27/0277 , H01L29/0692 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L29/4975 , H01L29/78 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：複数の交互に配置されたフィンガーを含んでおり、集積回路（ＩＣ）のＥＳＤ保護を提供する目的でＩＣのＩ／Ｏ周辺部に形成されている、静電放電（ＥＳＤ）ＭＯＳトランジスタ。このＭＯＳトランジスタは、Ｐ基板と、Ｐ基板の上に配置されているＰウェルとを含んでいる。複数の交互に配置されたフィンガーのそれぞれは、Ｎ＋ソース領域と、Ｎ＋ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間に配置されているチャネル領域の上に形成されているゲート領域と、を含んでいる。各ソースと各ドレインは、隣接するフィンガーによって共有されている１列の接点を含んでおり、接点の各列における各接点ホールからゲート領域までの距離は、ＩＣのコア機能要素に対する最小設計規則のもとに定義されている。Ｐウェルは、ＥＳＤ現象時にＭＯＳトランジスタの各フィンガーを同時にトリガーすることを目的として、寄生バイポーラ接合トランジスタの共通のベースを形成している。

95. 发明专利

JP2006517053A 审中-公开
公开(公告)号：JP2006517053A
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：JP2004546897
申请日：2003-10-16
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/82 , H01L23/04 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/58 , H01L27/02 , H01L27/04 , H01L29/40

96. 发明专利

JP3790202B2 Power supply wiring method and a semiconductor integrated circuit of the semiconductor integrated circuit 有权
公开(公告)号：JP3790202B2
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：JP2002277141
申请日：2002-09-24
申请人：松下電器産業株式会社
发明人：和彦藤本
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/822 , G06F17/50 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/04
CPC分类号： G06F17/5068 , H01L23/5286 , H01L27/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

97. 发明专利

JP3787648B2 Antistatic circuit device and method of the light emitting diode 有权
公开(公告)号：JP3787648B2
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：JP2003318638
申请日：2003-09-10
申请人：晶元光電股▲ふん▼有限公司
发明人：仁▲つぁお▼ 呉 , 全成杜 , 正中楊 , 榮義黄
IPC分类号： H01L23/60 , H01L25/16 , H01L27/02 , H01L33/30 , H01L33/62 , H01S5/022 , H02H3/22
CPC分类号： H01L27/0288 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

98. 发明专利

JP3761416B2 Array element driving circuit, an array element drive head, the light-emitting element array drive circuit, the light-emitting element array head, and image recording device 有权
公开(公告)号：JP3761416B2
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：JP2001135039
申请日：2001-05-02
申请人：株式会社沖データ
发明人：章南雲
IPC分类号： B41J2/44 , B41J2/355 , B41J2/45 , B41J2/455 , H01L27/02 , H04N1/032 , H04N1/23
CPC分类号： H01L27/0203 , Y10S362/80
摘要： A driving circuit includes an array of driving elements that selectively supply current from a power supply to an array of driven elements at a rate responsive to the difference between a control voltage and the power supply voltage. The control voltage is furnished to the driving elements through a conductive member that extends parallel to the array of driving elements. The driving circuit includes means for adjusting the control voltage independently at each end of the conductive member, to reduce variations in the current supplied by different driving elements.

99. 发明专利

JP2006503435A Thin film transistor array substrate and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2006503435A
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：JP2004545011
申请日：2003-01-23
申请人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
发明人：ソン，クン−キュ , チュエ，ヒ−フヮン , ホン，ムン−ピョ , ロ，ナム−ソク
IPC分类号： G02F1/136 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/3205 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L23/52 , H01L27/02 , H01L27/12 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/4908 , G02F1/1368 , H01L27/0248 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458
摘要： A gate wire including a gate line and a gate electrode is formed on a substrate and a gate insulating layer is formed on the substrate. A semiconductor pattern and an etching assistant pattern are formed on the gate insulating layer and a source/drain conductor pattern and an etching assistant layer are formed on the semiconductor pattern and the etching assistant pattern. A data wire including a data line and source and drain electrodes separated from each other is formed by removing the etching assistant layer and partly removing the source/drain conductor pattern. A pixel electrode connected to the drain electrodes is formed.

100. 发明专利

JP2006014263A Esd preventing-able level shifter 审中-公开
标题翻译： ESD防护等级变换器
公开(公告)号：JP2006014263A
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：JP2004312565
申请日：2004-10-27
申请人： Renei Kagi Kofun Yugenkoshi , 聯詠科技股▲ふん▼有限公司
发明人： LIU JENG-SHU , LIAO SHYY-CHENG , CHANG CHYH-YIH
IPC分类号： H03K19/0185 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L23/60 , H01L27/02 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/092 , H02H9/00 , H03K19/003
CPC分类号： H01L27/0251
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic discharge (ESD) preventing-able level shifter capable of suppressing its damage. SOLUTION: An ESD preventing-able level shifter, for receiving a first signal and outputting a second signal, is provided. The level shifter comprises an inverter, a voltage converter, a first ESD clamp circuit and a second ESD clamp circuit. The inverter receives the first signal and outputs a first reverse signal. The voltage converter has a first input terminal for receiving the first reverse signal, a second input terminal for receiving the first signal and an output terminal for outputting the second signal. A first and a second terminals of the first ESD clamp circuit are coupled to the first input terminal of the voltage converter and a second ground voltage, respectively. A first and a second terminals of the second ESD clamp circuit are coupled to the second input terminal of the voltage converter and the second ground voltage, respectively. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制其损坏的静电放电（ESD）防止电平移位器。提供了一种用于接收第一信号并输出第二信号的ESD防止电平移位器。电平移位器包括逆变器，电压转换器，第一ESD钳位电路和第二ESD钳位电路。逆变器接收第一信号并输出第一反向信号。电压转换器具有用于接收第一反向信号的第一输入端子，用于接收第一信号的第二输入端子和用于输出第二信号的输出端子。第一ESD钳位电路的第一和第二端子分别耦合到电压转换器的第一输入端子和第二接地电压。第二ESD钳位电路的第一和第二端子分别耦合到电压转换器的第二输入端子和第二接地电压。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式