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91. 发明专利

JP2016063012A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016063012A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014188526
申请日：2014-09-17
申请人：株式会社東芝
发明人：友野章
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：【課題】半導体基板の破損を抑制しつつ、半導体基板と支持基板とを分離する。【解決手段】半導体基板と、第1の接着剤層と、第2の接着剤層と、支持基板とを具備する接着体を形成して半導体基板を加工した後に、第1の接着剤層の周縁部が露出するように支持基板の一部と第2の接着剤層の一部とを研削し、支持基板の第2の接着剤層との接着面の反対面から厚さ方向に支持基板の一部を研削し、少なくとも支持基板の一部に支持基板の平面に沿って延在する脆弱部を形成し、支持基板の平面上で脆弱部の延在方向と交差する方向に沿って支持基板を引き剥がすことにより、支持基板と半導体基板とを分離する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在抑制半导体衬底的破坏的同时分离半导体衬底和支撑衬底。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：形成包括半导体衬底，第一粘合层，第二粘合层粘合层和支撑基板，并处理半导体基板; 随后研磨所述支撑基板的一部分和所述第二粘合剂层的一部分以暴露所述第一粘合剂层的周边部分; 在与所述支撑基板的与所述支撑基板的粘合剂表面相反的表面的厚度方向上用所述第二粘合剂层研磨所述支撑基板的一部分以形成所述支撑基板的至少一部分上的脆弱部分，所述脆性部分沿着所述支撑基板的平面延伸支撑基板; 并且在支撑基板的平面上沿着与脆弱部分的延伸方向交叉的方向撕裂支撑基板，以分离支撑基板和半导体基板。图1

92. 发明专利

JP2016026407A 発光装置审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2016026407A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：JP2015202739
申请日：2015-10-14
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：神保安弘 , 森末将文 , 木村肇 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L25/07 , H01L33/62
CPC分类号： H01L21/6835 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/153 , H01L33/62 , H01L2221/68318 , H01L2221/68386 , H01L33/0079 , H01L51/003
摘要：【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】透光性を有する第1の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第1の基板を通過させて、光触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第1の基板より剥離する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供：通过使用剥离处理来制造半导体器件和显示装置的技术，其中可以在保持剥离之前的形状和性质的良好状态下进行转印处理; 以及制造更可靠的半导体器件和显示器件的技术，而不会使器件或工艺复杂化。解决方案：在具有透光性的第一衬底上形成具有光催化剂物质的有机化合物层。在具有光催化剂物质的有机化合物层上形成元件层。对具有光催化剂物质的有机化合物层照射已经通过第一基板的光，并且元件层从第一基板剥离。图1

93. 发明专利

JP5848205B2 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法有权
标题翻译：如何在设备的晶片装颠倒从载体衬底分离
公开(公告)号：JP5848205B2
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2012165691
申请日：2012-07-26
申请人：ブルーワーサイエンスアイエヌシー.
发明人：マカッチャンジェレミーダブリュー. , ブラウンロバートディー.
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/68721 , H01L2221/68318 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , Y10S156/93 , Y10S156/941 , Y10T156/1168 , Y10T156/1978 , Y10T156/1989

94. 发明专利

JP2015216284A ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：带导带和半导体器件制造方法的半导体背面膜
公开(公告)号：JP2015216284A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014099186
申请日：2014-05-13
申请人：日東電工株式会社
发明人：高本尚英 , 花園博行 , 福井章洋
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/54486 , Y10T428/31515
摘要：【課題】ダイシングテープの粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムに含有されている着色剤がダイシングテープに移行することを抑制することが可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供すること。【解決手段】基材、及び、基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、ダイシングテープの粘着剤層上に形成されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有し、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、着色剤を含有しており、着色剤は、トルエンに対する23℃における溶解度が2g/100ml以下であるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供可以抑制着色剂向切割带的迁移的半导体背面的切割带一体化膜，着色剂包含在形成在粘合剂上的倒装芯片半导体背表面的膜中切割胶带的层。解决方案：一种用于半导体背表面的切割胶带集成膜，包括：具有基材的切割带和形成在基材上的粘合层; 以及形成在切割带的粘合剂层上的倒装芯片半导体背面的膜。倒装芯片半导体背表面膜含有着色剂，着色剂在23℃下在甲苯中的溶解度为2g / 100ml以下。

95. 发明专利

JP5707941B2 半導体ウェハの仮固定剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法有权
标题翻译：使用半导体晶片，它的临时固定剂的制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5707941B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2010546973
申请日：2010-06-15
申请人：住友ベークライト株式会社
发明人：竹内江津 , 楠木淳也 , 杉山広道 , 久保山俊治 , 川田政和
IPC分类号： C09J11/06 , C09J5/00 , H01L21/306 , C09J169/00
CPC分类号： C09J169/00 , C09D177/00 , C09D179/08 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386

96. 发明专利

JP2015076545A ウェーハの加工方法有权
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：JP2015076545A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013212670
申请日：2013-10-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：香西宏彦 , 服部篤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要：【課題】チップの実装不良を低減しうるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】分割ステップを実施することによりウェーハWを個々のチップCに分割した後、照射ステップを実施することにより、チップCの実装面C1に紫外線またはプラズマを照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成してチップCの実装面C1に付着した有機物を除去する。ウェーハWのハンドリング中に付着した異物に加えて分割時に発生した異物についてもチップCの実装面C1から除去することができ、チップCの実装不良を低減することが可能となる。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减少芯片的安装故障的晶片处理方法。解决方案：在晶片处理方法中，在通过执行分割步骤将晶片W分割成单个芯片C之后，用紫外线或等离子体照射芯片C，进行照射工序，生成臭氧和活性氧，除去附着于芯片C的安装面C1的有机材料。除了在移交晶片W附着的异物外，在分割时产生的异物也可以从芯片C的安装表面C1移除，从而可以降低芯片C的安装故障。

97. 发明专利

JP2014534640A 一時的に接着された半導体ウエハの剥離有权
标题翻译：剥离假粘合的半导体晶片
公开(公告)号：JP2014534640A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014539126
申请日：2012-10-29
申请人：ズースマイクロテックリトグラフゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング , ズースマイクロテックリトグラフゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
发明人：ジョージグレゴリー , ジョージグレゴリー , ローゼンタールクリストファー , ローゼンタールクリストファー
IPC分类号： H01L21/304 , B24B41/06 , H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/00 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67282 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10T156/11 , Y10T156/1142 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1184 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1978
摘要：記載された方法および装置は、デバイスウエハとキャリアウエハとの間の接着剤に対し制御された摂動を提供する。この制御された摂動は、機械的、化学的、熱的、放射的またはそれらの組み合わせとすることができ、デバイスウエハに損傷を与えることなく、2つのウエハの分離を容易にするものである。制御された摂動は、接着層内の界面(例えば、剥離層と接着剤との間)で、またはウエハ/接着剤の界面で、2つのウエハを接合している接着剤に亀裂を発生させる。そして、亀裂を発生させるのに使用された上記方法のいずれかまたはその組み合わせを用いて、亀裂を拡大させることができる。
摘要翻译：所描述的方法和装置提供的受控扰动到器件晶片和载体晶片间的粘接剂。这种受控的扰动，机械，化学，热，可以辐射或它们的组合，而不会损坏器件晶片，它是为了便于两个晶片的分离。控制扰动，粘合层（例如，释放层和所述粘合剂之间）之间或在晶片/粘合剂之间的界面处的界面，从而产生在粘合剂裂纹键合两个晶片。然后，使用任一个或用来产生裂纹的方法的组合，可以扩大裂缝。

98. 发明专利

JP2014532992A 結合ウェハ構造体を劈開させるための固定装置及び劈開方法有权
标题翻译：定影装置和裂解方法裂解键合晶片结构
公开(公告)号：JP2014532992A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2014539062
申请日：2012-10-26
申请人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated , エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated
发明人：グレゴリー・エイ・ヤング , ジェフリー・エル・リバート
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B32B43/006 , B32B38/10 , C09J2205/302 , H01L21/67092 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10S156/93 , Y10S156/941 , Y10T156/1168 , Y10T156/1184 , Y10T156/1961 , Y10T156/1978 , Y10T225/10 , Y10T225/12 , Y10T225/357 , Y10T225/393
摘要：結合ウェハ構造体を機械的に劈開させるための装置及び方法を開示する。当該装置及び方法は、結合ウェハ構造体を把持し、当該結合ウェハ構造体を劈開させるために作動するクランプを含む。
摘要翻译：键合晶片结构公开了一种用于机械地切割的装置和方法。该设备和方法是把握耦合晶片结构，包括其操作以切割接合晶片结构的夹具。

99. 发明专利

JP2014222750A パッケージに組み込まれたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ダイを有するマルチチップ集積有权
标题翻译：通过嵌入式封装的通用硅（TSV）嵌入式多芯片集成
公开(公告)号：JP2014222750A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014088185
申请日：2014-04-22
申请人：インテル・コーポレーション , Intel Corp
发明人： DIGVIJAY A RAORAN , LI YONGGANG , RAHUL MANEPALLI , JAVIER SOTO GONZALEZ
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4846 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5226 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05644 , H01L2224/06181 , H01L2224/1134 , H01L2224/12105 , H01L2224/13005 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/8385 , H01L2224/9222 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/40501 , H01L2924/00014 , H01L2924/206 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要：【課題】複数のダイの3次元(3D)集積を用いて集積回路(IC)パッケージアセンブリを可能にする技法及び構成を提供する。【解決手段】バンプレスビルドアップ層パッケージ基板104をマイクロプロセッサダイ等の第1のダイ102a上に形成することができる。レーザー放射を用いて、ダイ背面フィルムに開口部132を形成し、第1のダイ102aの背面側上にTSV(シリコン貫通ビア)パッドを露出することができる。第1のダイ102a及び第2のダイ102bの対応するTSV間に形成されたダイ相互接続部112によって、メモリダイスタック等の第2のダイを第1のダイに結合することができる。アンダーフィル材料を付着させて、第1のダイ102aと第2のダイ102bとの間に残っているあらゆるギャップの一部又は全てを充填することができ、及び/又は封入剤108を第2のダイ及び/又はパッケージ基板104にわたって付着することができる。【選択図】図1a
摘要翻译：要解决的问题：提供用于实现具有多个管芯的三维（3D）集成的集成电路（IC）封装组件的技术和配置。解决方案：可以在第一裸片102a上形成无凸起的积聚层封装衬底104 ，如微处理器模具。可以使用激光辐射在模具背面膜中形成开口132，以暴露第一管芯102a的背侧上的硅经过（TSV）焊盘。诸如存储管芯堆叠的第二管芯102b可以通过形成在第一和第二管芯的对应TSV之间的管芯互连112耦合到第一管芯102a。底部填充材料可以附接以填充第一管芯102a和第二管芯102b之间的任何剩余间隙中的一些或全部，和/或密封剂108可以附接在第二管芯和/或封装衬底104上。

100. 发明专利

JP2014203971A アンダーフィルフィルム、封止シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：底片，密封片，制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2014203971A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013078907
申请日：2013-04-04
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： MORITA KOSUKE , TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/3157 , C09J7/0207 , C09J7/38 , C09J2201/606 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/295 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/11002 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16238 , H01L2224/16268 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/75753 , H01L2224/8113 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/05432 , H01L2924/207 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要：【課題】熱伝導性に優れるとともに、半導体素子と基板との間の空間を良好に充填できるアンダーフィルフィルム及び封止シートを提供する。【解決手段】樹脂及び熱伝導性フィラーを含み、前記熱伝導性フィラーの含有量が50体積%以上であり、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が30%以下の値であり、前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が80%以下の値であるアンダーフィルフィルムに関する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种导热性优良的底部填充膜和密封片，并且能够使半导体器件与衬底之间的空间充分充分。解决方案：底部填充膜包括：树脂和导热性填料。导热性填料的含量为50体积％以上。导热填料的平均粒径相对于底部填充膜的厚度为30％以下。导热性填料的最大粒径相对于底部填充膜的厚度为80％以下。

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