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    • 7. 发明专利
    • 基板処理方法および記憶媒体
    • 一种基板处理方法和存储介质
    • JP2017017221A
    • 2017-01-19
    • JP2015133662
    • 2015-07-02
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 田 中 啓 一
    • H01L21/304
    • H01L21/0206H01L21/31111H01L21/31133H01L21/67028H01L21/67051H01L21/6708H01L21/68721
    • 【課題】回転する基板の表面と流体との摩擦に起因した基板の帯電を抑制する。 【解決手段】基板(W)の周縁部に存在する表面絶縁層(例えば熱酸化膜)の少なくとも一部を除去して、表面絶縁層を形成する材料よりも導電性が高い下層(例えばシリコンウエハ)を露出させる。その後、基板保持具により基板を保持して回転させながら、基板に対して処理を行う。基板保持具のうちの少なくとも下層と接触する部位は導電性材料により形成されている。基板処理工程において、基板の表面絶縁層に生じた電荷が下層および基板保持具を介して逃がされる。 【選択図】図1
    • 甲抑制由于表面和所述衬底的所述流体之间的摩擦充电基板的旋转。 本发明涉及一种除去至少存在于(W)的周围的基板表面的绝缘层的一部分(例如,热氧化物膜),是更高的导电性比形成表面绝缘层下面的材料(例如,硅晶片 )以暴露。 然后,在保持和由衬底保持器基板旋转,在基板上执行的处理。 在至少与所述衬底保持器的下层接触部位由导电性材料形成。 在基板处理工序中,将基板的表面的绝缘层上产生的电荷被允许通过下层和衬底保持器逃脱。 点域1