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91. 发明专利

JP4509050B2 Photomask blank and photomask 有权
公开(公告)号：JP4509050B2
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：JP2006065800
申请日：2006-03-10
申请人：信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
发明人：匡佐賀 , 和明千葉 , 崇原口 , 博樹吉川 , 洋介小嶋 , 智岡崎 , 祐一福島 , 判臣稲月
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/68
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/46 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616

92. 发明专利

JP4465405B2 Photomask blank and the photomask, as well as methods for their production 有权
公开(公告)号：JP4465405B2
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：JP2009015734
申请日：2009-01-27
申请人： Hoya株式会社
发明人：順野澤
IPC分类号： C23C14/06 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/58 , G03F1/46

93. 发明专利

JP4451391B2 Photomask blank and a photomask, and a pattern transfer method using the photomask 有权
公开(公告)号：JP4451391B2
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：JP2005504812
申请日：2004-02-02
申请人： Hoya株式会社
发明人：英明三ツ井 , 光浩暮石
IPC分类号： C23C14/06 , G03F1/32 , G03F1/68 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/58

94. 发明专利

JP4407815B2 Photomask blank and photomask 有权
公开(公告)号：JP4407815B2
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：JP2004263161
申请日：2004-09-10
申请人：信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
发明人：匡佐賀 , 崇原口 , 博樹吉川 , 智岡崎 , 政秀岩片 , 祐一福島 , 判臣稲月 , 幹夫高木
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/58 , G03F1/68

95. 发明专利

JP2009244752A Photomask blank, photomask and method for manufacturing photomask 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和制造光电子的方法
公开(公告)号：JP2009244752A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：JP2008093517
申请日：2008-03-31
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： HASHIMOTO MASAHIRO , IWASHITA HIROYUKI , KOMINATO ATSUSHI
IPC分类号： G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/34 , G03F1/50 , G03F1/52 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To thin a light-shielding layer (i.e., to thin a light-shielding film and a transfer pattern) necessary for generations of DRAM half-pitch (hp) 45 nm and after in a semiconductor design rule, especially for a generation of hp 32-22 nm, as to a photomask blank to be used for manufacturing a photomask for ArF eximer laser exposure. SOLUTION: The photomask includes a light-shielding film 10 formed on a light-permeable substrate and comprising: a light-shielding layer 12 composed of a molybdenum silicide metal in which the content of molybdenum is more than 20 atom % and 40 atom % and less and the thickness of the layer is less than 40 nm; an anti-reflection layer 13 formed in contact with the light-shielding layer 12 and composed of a molybdenum silicide compound containing at least one of oxygen and nitrogen; and a low reflection layer 11 formed under the light-shielding layer 12 in contact with the light-shielding layer 12. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了使半导体半间距（hp）45nm的几代所需的遮光层（即，减薄遮光膜和转印图案）变薄，并且在半导体设计规则之后，特别是对于一代hp 32-22nm，用于制造用于ArF准分子激光曝光的光掩模的光掩模坯料。解决方案：光掩模包括形成在透光基板上的遮光膜10，包括：由钼含量大于20原子％的钼硅化物金属组成的遮光层12和40 原子％以下，层的厚度小于40nm; 形成为与遮光层12接触并由含有氧和氮的至少一种的硅化钼化合物构成的抗反射层13; 以及形成在遮光层12下方的与遮光层12接触的低反射层11.版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

96. 发明专利

JP2009230151A Photomask blank and photomask 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：JP2009230151A
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：JP2009132282
申请日：2009-06-01
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： KOMINATO ATSUSHI , YAMADA TAKAYUKI , SAKAMOTO MINORU , HASHIMOTO MASAHIRO
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask blank and a method for manufacturing a photomask in which a dry etching time can be reduced and a film reduction of a resist film can be decreased by increasing a dry etching rate of a light-shielding film, and thereby, reduction in the thickness (to 300 nm or less) of the resist film can be achieved, pattern resolution and pattern accuracy (CD accuracy) can be improved, and further, by reducing the dry etching time, a pattern of the light-shielding film having a favorable cross-sectional feature can be formed. SOLUTION: The photomask blank has a light-shielding film 2 on a light-transmitting substrate 1, wherein the photomask blank is a mask blank for a dry etching process adapted for a photomask production method of patterning the light-shielding film by the dry etching process using as a mask a pattern 3a of a resist to be formed on the light shielding film. The light-shielding film is made of a material having a selectivity exceeding 1 with respect to the resist in the dry etching process. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供光掩模坯料和制造光掩模的方法，其中可以减少干蚀刻时间，并且可以通过增加光掩模坯料的干蚀刻速率来降低抗蚀剂膜的膜还原，可以实现抗蚀剂膜的厚度（〜300nm以下）的降低，能够提高图形分辨率和图案精度（CD精度），进一步，通过减少干蚀刻时间，可以形成具有良好横截面特征的遮光膜。光掩模坯料在透光性基板1上具有遮光膜2，其中光掩模坯料是用于干法蚀刻工艺的掩模坯料，其适用于通过使掩模膜图案化的光掩模生产方法使用作为掩模的形成在遮光膜上的抗蚀剂的图案3a的干蚀刻工艺。遮光膜由干蚀刻工艺中的抗蚀剂选择性超过1的材料制成。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

97. 发明专利

JP2009230113A Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing them 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK及其制造方法
公开(公告)号：JP2009230113A
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：JP2009015734
申请日：2009-01-27
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： NOZAWA JUN
IPC分类号： C23C14/06 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/58 , G03F1/46
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask blank where an extremely fine pattern is formed, and a photomask which includes the fine pattern formed on the photomask blank. SOLUTION: A photomask blank includes a light-shielding film composed of at least two layers on a transparent substrate. The light-shielding film includes a light-shielding layer made of a material mainly containing tantalum nitride and further containing xenon, and an antireflection layer laminated on the upper face of the light-shielding layer and made of a material mainly containing tantalum oxide and further containing argon. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供形成极细图案的光掩模坯料和包括形成在光掩模坯料上的精细图案的光掩模。解决方案：光掩模坯料包括在透明基板上由至少两层构成的遮光膜。遮光膜包括由主要包含氮化钽并进一步含有氙的材料制成的遮光层和层叠在遮光层的上表面上并由主要包含氧化钽的材料制成的抗反射层含氩。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

98. 发明专利

JP2009230112A Photomask blank, photomask, and photomask manufacturing method 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和PHOTOMASK制造方法
公开(公告)号：JP2009230112A
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：JP2009015733
申请日：2009-01-27
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： NOZAWA JUN
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/54 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask blank where an extremely fine pattern is formed, and a photomask which includes the fine pattern formed on the photomask blank.
SOLUTION: The photomask blank includes a light-shielding film composed of at least two layers on a transparent substrate. The light-shielding film includes a light-shielding layer made of a material mainly containing tantalum nitride contained less than 62 at% nitrogen. The material is dry-etched with a chlorine-based gas containing no oxygen. The light-shielding film further includes a front-surface antireflection layer formed on the upper layer face of the light-shielding layer and made of a material not dry-etched with a chlorine-based gas, but dry-etched with a fluorine-based gas.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供形成极细图案的光掩模坯料，以及包含形成在光掩模坯料上的精细图案的光掩模。解决方案：光掩模坯料包括在透明基板上由至少两层构成的遮光膜。遮光膜包括由主要包含小于62at％氮的氮化钽的材料制成的遮光层。用不含氧的氯基气体对该材料进行干法蚀刻。遮光膜还包括形成在遮光层的上层面上并由未用氯气气体干蚀刻的材料制成的前表面抗反射层，但用氟基加油站。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

99. 发明专利

JPWO2007074806A1 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2007074806A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：JP2007551978
申请日：2006-12-26
申请人： Hoya株式会社 , Hoya株式会社
发明人：山田　剛之 , 剛之山田 , 浩之岩下 , 浩之岩下 , 正男牛田 , 正男牛田
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減することができ、レジスト膜を薄膜化して解像性、パターン精度(CD精度)を向上でき、ドライエッチング時間の短縮化による断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランクを提供する。本発明は、透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、該フォトマスクブランクは、遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、主にクロム(Cr)と窒素(N)とを含む材料からなり、かつ、X線回折による回折ピークが実質的にCrN(200)である。また、前記遮光膜は、クロム(Cr)を基準としたときに窒素(N)が深さ方向に略均一に含まれている。

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