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91. 发明专利

JPWO2012090422A1 エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置有权
公开(公告)号：JPWO2012090422A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2012550702
申请日：2011-12-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：佳明醍醐 , 佳明醍醐 , 石橋　啓次 , 啓次石橋
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/06 , C23C14/34 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/02631 , C23C14/0617 , C23C14/345 , C30B23/005 , C30B23/02 , C30B25/06 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
摘要：本発明は、スパッタリング法によって、α‐Al2O3基板上に高品質なIII族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル膜形成方法を提供する。本発明の一実施形態に係るエピタキシャル膜形成方法は、スパッタリング装置(1)のヒーター電極(104)とバイアス電極(103)を備えた基板ホルダー(111)上に配置されたα‐Al2O3基板に対して、III族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成する際に、ヒーター電極(104)によってα‐Al2O3基板を所定温度に保持した状態で、ターゲット電極(102)に高周波電力を印加するとともにバイアス電極(103)に高周波バイアス電力を印加され、その際、高周波電力と高周波バイアス電力との周波数干渉が生じないように印加される。

92. 发明专利

JP5506954B2 Silicon carbide single crystal substrate 有权
公开(公告)号：JP5506954B2
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：JP2012551012
申请日：2012-08-29
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：信也佐藤 , 辰雄藤本 , 弘志柘植 , 正和勝野
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , H01L21/203
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36 , H01L29/1608 , Y10T428/21

93. 发明专利

JP2014028736A Method for producing silicon carbide single crystal and substrate produced by the same 有权
标题翻译：用于生产碳化硅单晶和由其制造的基材的方法
公开(公告)号：JP2014028736A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：JP2013047067
申请日：2013-03-08
申请人： Nippon Steel & Sumitomo Metal , 新日鐵住金株式会社
发明人： SATO SHINYA , FUJIMOTO TATSUO , TSUGE HIROSHI , KATSUNO MASAKAZU
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36 , H01L29/1608 , Y10T428/21
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing SiC single crystal having high crystal quality and in particular extremely low spiral dislocation density and a SiC single crystal ingot produced by the method.SOLUTION: A method for producing a silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization process using a seed crystal comprises: a first growth step for growing a silicon carbide single crystal having a thickness of at least 0.5 mm at a first growth atmospheric pressure of 3.9 kPa to 39.9 kPa and at a first growth temperature of the seed crystal of more than or equal to 2100°C and less than 2300°C; and a second growth step for growing a silicon carbide single crystal thicker than that grown in the first growth step at a second growth atmospheric pressure of 0.13 kPa to 2.6 kPa and at a second growth temperature of the seed crystal of more than the first growth temperature and less than 2400°C. The method provides a silicon carbide single crystal 7 in which the spiral dislocation density is smaller in the peripheral area 7b than in the central area 7a and spiral dislocation 3 is partially reduced.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有高结晶质量，特别是非常低的螺旋位错密度的SiC单晶的方法和通过该方法制造的SiC单晶锭。解决方案：一种通过以下步骤制造碳化硅单晶的方法：使用晶种的升华重结晶工艺包括：第一生长步骤，用于在第一生长大气压为3.9kPa至39.9kPa以及晶种的第一生长温度下生长厚度至少为0.5mm的碳化硅单晶大于或等于2100°C且小于2300°C; 以及第二生长步骤，用于在0.13kPa至2.6kPa的第二生长大气压和超过第一生长温度的晶种的第二生长温度下生长比在第一生长步骤中生长的碳化硅单晶更厚的碳化硅单晶小于2400°C。该方法提供了周边区域7b中的螺旋位错密度小于中心区域7a的碳化硅单晶7，并且螺旋位错3部分地减少。

94. 发明专利

JP5415401B2 Method of forming a material on the surface of the non-planar shape 有权
公开(公告)号：JP5415401B2
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：JP2010502089
申请日：2008-03-24
申请人：ソルインドラ,インコーポレーテッド
发明人：モラドラトソン
IPC分类号： C23C14/56 , H01L21/203
CPC分类号： C30B23/02 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L21/67754 , H01L21/6776

95. 发明专利

JP5346200B2 ZnO-based semiconductor layer and a method of manufacturing the same, ZnO-based semiconductor light-emitting element, and ZnO-based semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP5346200B2
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：JP2008292233
申请日：2008-11-14
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：智文山室 , 裕幸加藤
IPC分类号： H01L33/28 , C23C14/08 , H01L21/363
CPC分类号： H01L21/02554 , C23C14/086 , C23C14/46 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/02433 , H01L21/02472 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L33/28
摘要： Mg is doped in a ZnO-containing semiconductor layer in a concentration range from 1×1017 cm−3 to 2×1020 cm−3.

96. 发明专利

JP2013229601A Epitaxial structure and method for making the same 有权
标题翻译：外来结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2013229601A
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：JP2013084647
申请日：2013-04-15
申请人： Qinghua Univ , ツィンファユニバーシティ , Hon Hai Precision Industry Co Ltd , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人： GI YO , FAN FENG-YAN
IPC分类号： H01L21/205 , C01B31/02 , C23C16/04 , C30B23/04 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/36 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/02 , H01L21/0237 , H01L21/02444 , H01L21/02499 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/005
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial structure and a method for making the same.SOLUTION: A method for making an epitaxial structure includes: a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface; a second step of placing a patterned graphene layer on the epitaxial growth surface of the substrate, where the graphene layer causes the epitaxial growth surface to have an exposed part and an unexposed part; and a third step of growing an epitaxial layer on the epitaxial growth surface, thereby providing the epitaxial structure.
摘要翻译：要解决的问题：提供外延结构及其制造方法。解决方案：一种制造外延结构的方法包括：提供具有至少一个外延生长表面的衬底的第一步骤; 将图案化的石墨烯层放置在衬底的外延生长表面上的第二步骤，其中石墨烯层使外延生长表面具有暴露部分和未曝光部分; 以及在外延生长表面上生长外延层的第三步骤，从而提供外延结构。

97. 发明专利

JPWO2012029952A1 炭化ケイ素単結晶の製造方法、炭化ケイ素単結晶、及び炭化ケイ素単結晶基板审中-公开
公开(公告)号：JPWO2012029952A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：JP2012531975
申请日：2011-09-02
申请人：株式会社ブリヂストン
发明人：宮本　太郎 , 太郎宮本
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36
摘要：炭化ケイ素単結晶の製造方法では、粉体作製工程S1において、炭化ケイ素源である炭化ケイ素粉体に対して、遷移金属原子として、バナジウム、ニオブ、タングステンの少なくともいずれか1つを含む金属材料を、炭化ケイ素粉体に混合し、昇華用原料50を作製する。純化処理工程S2において純化された黒鉛坩堝10に昇華用原料50を配置し、昇華・成長工程S3が行われる。昇華・成長工程S3では、昇華された原料が種結晶上で成長して得られた炭化ケイ素の単結晶中のドナー濃度とアクセプター濃度とが等しくなるときの単結晶の成長高さに達した時点で、不活性雰囲気ガスに対して0.5〜100ppmの窒素ガスを導入する。

98. 发明专利

JP5272390B2 The method of manufacturing Iii nitride semiconductor, a method of manufacturing iii nitride semiconductor light emitting device, and iii nitride semiconductor light emitting device, and a lamp 有权
公开(公告)号：JP5272390B2
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：JP2007308823
申请日：2007-11-29
申请人：豊田合成株式会社
发明人：泰典横山 , 久幸三木
IPC分类号： H01L21/203 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： C30B29/403 , C30B23/02 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： A method for manufacturing a Group III nitride semiconductor of the present invention includes a sputtering step of forming a single-crystalline Group III nitride semiconductor on a substrate by a reactive sputtering method in a chamber in which a substrate and a Ga element-containing target are disposed, wherein said sputtering step includes respective substeps of: a first sputtering step of performing a film formation of the Group III nitride semiconductor while setting the temperature of the substrate to a temperature T1; and a second sputtering step of continuing the film formation of the Group III nitride semiconductor while lowering the temperature of the substrate to a temperature T2 which is lower than the temperature T1.

99. 发明专利

JP5257959B2 Nitriding apparatus for producing an aluminum single crystal, manufacturing method of an aluminum nitride single crystal 有权
公开(公告)号：JP5257959B2
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：JP2011510229
申请日：2010-04-22
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 株式会社フジクラ
发明人：智久加藤 , 一郎長井 , 知則三浦 , 弘之鎌田
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/06
CPC分类号： C30B29/403 , C30B23/02 , Y10T117/1024

100. 发明专利

JP2012530372A Apparatus and method for reproducing such an apparatus for depositing thin films of material on a substrate 审中-公开
公开(公告)号：JP2012530372A
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：JP2012515502
申请日：2010-06-17
申请人：リベル
发明人：ジュロームヴィレット , ヴァルリックカサーニュ , カトリーヌシェ
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/54
CPC分类号： C30B23/02 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/455 , C23C16/45502 , C23C16/45544 , C30B23/002 , C30B29/403 , Y10T29/49718
摘要：【課題】真空チャンバの低温パネルの再生中に気体状プレカーサーの分圧が制御されることを特徴とする基板上に材料の薄膜を堆積させる装置、及び真空チャンバの低温パネル上に当初捕捉された気体状プレカーサーを、制御されかつ自動的な方式で前記真空チャンバから排気できるようにする再生方法を提供すること。
【解決手段】本発明は基板上に材料の薄膜を堆積させる装置及び再生方法に関する。装置はチャンバ（１）と、前記チャンバ内に設けられた低温パネル（１０）と、基板を支持可能なサンプルホルダ（６）と、前記チャンバ（１）に気体状プレカーサーを注入可能なガスインジェクター（９）と、前記真空チャンバ（１）に接続され、前記低温パネル（１０）により放出された前記気体状プレカーサーの一部を捕捉可能であり、不変の排気容量Ｓ
１を有する第１の捕捉手段（１１）とを備える。
発明によれば、基板上に材料の薄膜を堆積させる装置は気体状プレカーサーの分圧の関数として調節可能な可変排気容量Ｓ
２を有する第２の捕捉手段（１８）を備え、前記第１と第２の捕捉手段は前記真空チャンバ（１）内の前記気体状プレカーサーの分圧を所定の圧力Ｐ
Ｌに維持するのに十分な総合排気容量Ｓ＝Ｓ
１＋Ｓ
２をもたらす。
【選択図】図２

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