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91. 发明专利

JPWO2014027472A1 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置有权
标题翻译：一种用于制造耐热复合材料的方法和装置
公开(公告)号：JPWO2014027472A1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2014530477
申请日：2013-02-15
申请人：株式会社Ihi , 株式会社Ihi , 国立大学法人東京大学 , 国立大学法人東京大学
发明人：中村　武志 , 武志中村 , 雅人石崎 , 雅人石崎 , 渕上　健児 , 健児渕上 , 梢保戸塚 , 梢保戸塚 , 幸浩霜垣 , 幸浩霜垣 , 健百瀬 , 健百瀬 , 康之福島 , 康之福島 , 佐藤　登 , 登佐藤 , 佑一舩門 , 佑一舩門 , 秀俊杉浦 , 秀俊杉浦
IPC分类号： C23C16/42 , C04B41/87 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/045 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要：セラミック繊維のプリフォームに炭化ケイ素を含浸した耐熱複合材料の製造において、炭化ケイ素の製膜の成長速度と埋込の均一性を両立させる。反応炉11に格納されたプリフォーム100に化学気相堆積法又は化学気相含浸法によって炭化ケイ素を堆積して製膜し、反応炉11に供給される原料ガス及びキャリアガスに加える添加ガスの添加量によって製膜の成長速度と埋込の均一性を制御するものであって、製膜が1次反応に従う場合には添加ガスの添加量によって製膜種の付着確率を制御し、製膜がラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に従う場合には添加ガスの添加量によってラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式の0次反応領域を利用するように制御する。
摘要翻译：在生产与陶瓷纤维的碳化硅预型体浸渍耐热复合材料，以实现生长速率的均匀性都和掩埋膜形成碳化硅。存储在所述化学气相沉积法或通过沉积碳化硅化学气相浸渍法在薄膜反应器11预成型件100中，附加气体添加到原料气体和载气供给到反应炉11 一个控制生长速率和掩埋膜形成的添加量的均匀性，并且控制膜物种当根据主反应的成膜通过加入添加剂的气体的量粘附概率，膜有被控制以便利用朗缪尔 - 欣谢尔伍德型动力学的零级反应区与下面的朗缪尔 - 欣谢尔伍德型动力学当添加剂气体的添加量。

93. 发明专利

JP2016119380A エピタキシャルウェーハの製造方法有权
标题翻译：外延波形制造方法
公开(公告)号：JP2016119380A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2014257863
申请日：2014-12-19
申请人：信越半導体株式会社
发明人：針谷秀樹
IPC分类号： C23C16/52 , C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/205
摘要：【課題】エピタキシャル成長時の熱源の出力を調節することが容易なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】サセプタ3の貫通孔Hに挿入されるリフトピン4の上面4b1が貫通孔Hの上側の開口H1aに対して引っ込む又は突出して段差Dを有した状態で、サセプタ3上に載置される基板Wにエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法である。リフトピン4の上面4b1から貫通孔Hの開口H1aまでの段差Dをレーザー光で測定し、その測定した段差Dに応じてサセプタ3の上下に位置するヒーター9のエピタキシャル成長時の出力を調節する。【選択図】図1C
摘要翻译：要解决的问题：提供一种外延晶片制造方法，其使得容易调节外延生长时的热源的输出。解决方案：在外延晶片制造方法中，外延层在基板W上蒸发生长放置在基座3上，该状态具有由提升销4的顶面4b1形成的高度差D，该提升销4插入到从基座3的通孔H中，该基座3从通孔H的上侧开口H1a下沉或突出在外延晶片制造方法中，通过激光束和位于基座3的上方和下方的加热器9的输出来测量从提升销4的顶面4b1到贯通孔H的开口H1a的高度差D 外延生长的时间根据测量的电平差D进行调整。选择图：图1C

94. 发明专利

JP5943201B2 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法有权
标题翻译：用于产生偏心的评价方法和外延晶片的方法
公开(公告)号：JP5943201B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2012283437
申请日：2012-12-26
申请人：信越半導体株式会社
发明人：桝村寿 , 大西理
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/68 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68 , C23C16/52 , C30B25/16 , H01L21/67253

95. 发明专利

JP5941919B2 工作物のプラズマ処理方法および装置有权
标题翻译：等离子体处理方法和工件的装置
公开(公告)号：JP5941919B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2013534161
申请日：2011-09-01
申请人：カーハーエスコーポプラストゲーエムベーハー
发明人：ジーベルスゼンケ , キッツィアセバスティアン
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/42 , C23C16/511
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/029 , C23C16/045 , C23C16/047 , C23C16/401 , C23C16/503 , C23C16/515 , C23C16/52

96. 发明专利

JP2016111347A Cu配線の形成方法および成膜システム、記憶媒体审中-公开
标题翻译：铜线和沉积系统的存储方法
公开(公告)号：JP2016111347A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2015223681
申请日：2015-11-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：石坂忠大 , 佐久間隆 , 横山敦 , 尤凱鴻
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/16 , C23C14/06 , C23C14/02 , H01L21/768
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C16/52 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L23/528 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002
摘要：【課題】タングステンを用いた配線に接触するCu配線を形成するプロセスにおいて、ビア抵抗の上昇を抑制するためのCu配線の形成方法を提供する。【解決手段】タングステン配線M0に接触して配置される基板Fに形成された凹部(トレンチ)203内にCuを埋め込んでCu配線を形成するCu配線の形成方法であって、タングステン配線M0の表面に形成されたタングステン酸化物を除去する工程と、凹部203内の少なくともタングステン配線M0の表面に、窒化防止膜204を成膜する工程と、窒化防止膜204の上から、凹部203内の表面に、Cuの拡散を防止するバリア膜205を成膜する工程と、バリア膜205の上に、ライナー膜206を成膜する工程と、ライナー膜206の上に、Cu膜207を埋め込む工程と、を有する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于抑制通孔电阻增加的Cu布线形成方法，用于使用钨与布线接触形成Cu布线的工艺。解决方案：通过将Cu嵌入到Cu布线中形成Cu布线的Cu布线形成方法形成在与钨布线M0接触的基板F中形成的凹部（沟槽）203具有除去形成在钨布线M0的表面上的钨氧化物的步骤，至少在该表面上沉积氮化物阻挡层204的步骤凹槽203中的钨布线M0，从氮化物阻挡层204的上方淀积用于防止Cu在凹部203的表面上扩散的阻挡层205的步骤，用于在阻挡层上沉积衬垫膜206的步骤 205，以及将衬底膜206嵌入到衬底膜206上的步骤

97. 发明专利

JP5933739B2 基板処理装置及び方法有权
公开(公告)号：JP5933739B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2014539867
申请日：2012-10-30
申请人：ウォニックアイピーエスカンパニーリミテッド
发明人：パクジュファン , リュウドンホ , チェビョンチョル
IPC分类号： H01L45/00 , C23C16/02 , H01L27/105
CPC分类号： H01L45/1616 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/16

98. 发明专利

JP5931091B2 成膜装置有权
公开(公告)号：JP5931091B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2013554292
申请日：2013-01-15
申请人：株式会社アルバック
发明人：楊一新 , 三橋善之 , 飯島正行 , 若松貞次 , 斎藤和彦 , 藤井智晴 , 吉元剛 , 細矢東豪 , 廣野貴啓 , 林信博 , 角谷宣昭 , 砂川直紀 , 多田勲 , 平野裕之
IPC分类号： C23C14/00 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/52 , B05D1/62 , C23C14/12 , C23C14/562 , C23C16/4405 , B05D1/34

99. 发明专利

JP2016092026A 成膜装置およびシャワーヘッド有权
标题翻译：沉积装置和淋浴头
公开(公告)号：JP2016092026A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014220479
申请日：2014-10-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：岩▲崎▼ 征英 , 野沢俊久 , 山下晃平
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：【課題】載置台の回転中心から載置台の径方向における被処理基板の膜厚の均一性を向上させる。【解決手段】開示する成膜装置は、基板を載置し、軸線Xを中心に回転する載置台と、第1の領域において下面が載置台に対向するように設けられ、内部に第1および第2のバッファ空間を有するユニットUと、第1および第2のバッファ空間に供給される前駆体ガスの流量を独立に制御する流量制御器とを備える。ユニットUの下面には、第1のバッファ空間に連通し、第1のバッファ空間に供給された前駆体ガスを噴射する複数の噴射口16hを含む内側噴射部161aと、第2のバッファ空間に連通し、第2のバッファ空間に供給された前駆体ガスを噴射する複数の噴射口16hを含む中間噴射部162aとが設けられる。内側噴射部161aに含まれる噴射口16hは、いずれも、中間噴射部162aに含まれる噴射口16hよりも、軸線Xに近い位置に設けられる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：为了提高处理基板在放置台的旋转中心的径向方向上的膜厚的均匀性。解决方案：沉积装置包括：放置台，其上放置基板，并且其中围绕轴线X旋转; 单元U被设置成使得底面在第一区域中面对放置台并且包括第一和第二缓冲空间; 以及流量控制器，其独立地控制要供给到第一和第二缓冲空间的前体气体的流动。在单元U的底面设置有内部喷射部161a和中间喷射部162a。内部喷射部分被传送到第一缓冲空间，并且包括多个喷射端口16h，用于喷射供给到第一缓冲空间的前体气体。中间喷射部分连通到第二缓冲空间，并且包括多个喷射端口16h，用于喷射供给到第二缓冲空间的前体气体。包括在内部喷射部161a中的所有喷射口16h设置在比包括在中间喷射部162a中的喷射口16h更靠近轴线X的位置。图示了图6

100. 发明专利

JP2016512647A ガス混合物の質量分析試験のための方法および質量分析計审中-公开
标题翻译：方法和质谱仪用于气体混合物的质量分析测试
公开(公告)号：JP2016512647A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2015552106
申请日：2014-01-27
申请人：カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー , カールツァイスマイクロスコーピーゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH , カールツァイスマイクロスコーピーゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH
发明人：ヒンイウアンソニーチュン , ヒンイウアンソニーチュン , ミヒェルアリマン , ミヒェルアリマン , ゲンナジーフェドセンコ , ゲンナジーフェドセンコ , アルブレヒトランク , アルブレヒトランク
IPC分类号： H01J49/10 , G01N27/64 , H01J49/42
CPC分类号： H01J49/0031 , C23C16/4405 , C23C16/52 , H01J37/32862 , H01J49/009 , H01J49/105 , H01J49/107 , H01J49/145 , H01J49/424 , H01J2237/335
摘要：本発明は、以下の方法ステップを含む、ガス混合物(2)の質量分析試験のための方法に関する:異なるイオン化手順を使用して動作する少なくとも2つのイオン化デバイス(9a、9b、9c)を作動させることによって試験対象のガス混合物(2)を並列または直列にイオン化する方法ステップ、および/またはガス混合物(2)と、イオン化ガス(30)のイオンおよび/もしくは準安定粒子(29)とが供給された検出器(10)内でガス混合物(2)をイオン化する方法ステップであり、イオンおよび/もしくは準安定粒子(29)がイオン化デバイス(9)によって生成されたものである方法ステップ、ならびにガス混合物(2)の質量分析試験のために、イオン化されたガス混合物(2)を検出器(10)内で検出する方法ステップ。本発明はさらに、ガス混合物(2)の質量分析試験のための質量分析計(21)であって、ガス混合物(2)をイオン化するイオン化ユニット(22)と、イオン化されたガス混合物(2)を検出する検出器(10)とを備える質量分析計(21)に関する。イオン化ユニット(22)は、異なるイオン化手順によってガス混合物(2)をイオン化する、並列もしくは直列に配置された少なくとも2つのイオン化デバイス(9a、9b、9c)を備え、イオン化デバイス(9a、9b、9c)を、二者択一的に、個別にもしくは一緒に作動させることができ、かつ/または検出器(10)内でガス混合物(2)をイオン化するために、イオン化ユニット(22)は、イオン化ガス(30)のイオンおよび/もしくは準安定粒子(29)を検出器(10)に供給するように構成されたイオン化デバイス(9)を有する。
摘要翻译：本发明涉及以下的方法包括以下步骤，对于气体混合物的质谱测试的方法（2）：激活至少两个电离装置（9A，9B，9C），并利用不同的操作过程电离被测气体混合物（2）的方法，以电离电离气体（30）的并联或串联的步骤，和/或气体混合物和（2），离子和/或供应和亚稳粒子（29）由检测器（10）中的气体混合物（2）的离子化方法步骤的方法步骤，以及气体混合物的离子和/或亚稳粒子（29）的是由电离装置所产生（9）用于质量分析测试（2）中，在检测器（10）检测离子化的气体混合物（2）的方法步骤。本发明还涉及一种用于气体混合物（2）（21），用于电离气体混合物（2）（22），离子化的气体混合物电离单元的质量分析测试质谱仪（2）约质谱仪（21），包括用于检测的检测器和（10）。电离单元（22），由不同的电离过程中的离子化气体混合物（2），布置在并联或串联的至少两个电离装置（9A，9B，9C）包括电离装置（9A，9B，9C 的），可替代地，为了电离在可单独或一起操作的气体混合物（2），和/或所述检测器（10），离子化部（22）被离子化具有离子和/或亚稳粒子（29）的检测器配置的离子化装置的气体（30）供给（10）（9）。

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