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    • 91. 发明专利
    • 炭素膜成膜装置
    • 碳膜成膜装置
    • JPWO2013035634A1
    • 2015-03-23
    • JP2013532563
    • 2012-08-31
    • ナノテック株式会社
    • 秀樹 中森秀樹 中森傑工 平塚傑工 平塚建 行村建 行村
    • C23C14/34C01B31/02C23C14/06
    • C23C14/345C01B32/05C23C14/0605C23C14/3485C23C14/3492C23C14/562H01J37/3277H01J37/3467H01J37/3473
    • 【課題】被加工材の表面に、良好かつ高品位な炭素膜を高速に形成する。【解決手段】成膜真空槽は、所定真空度に減圧可能とされる真空チャンバ内に、基板電圧印加手段により所定電圧に印加される基板と、基板に対向配置される少なくとも1つ以上の炭素原料基板を有し、炭素原料基板上で、真空チャンバ内に導入される放電発生用の媒体ガスをパルス電源より炭素原料基板に出力される調整電力に基づきプラズマ化し、基板に保持される被加工材に向けて炭素原料基板から炭素原料とともに放電するプラズマ発生源と、を備え、スパッタリング法によって被加工材の表面に炭素膜を加工形成し、パルス電源と基板電圧印加手段は、ゲート信号の発振装置と初期電圧を調整するための機構により接続され、パルス電源及び基板電源は、パルス幅、ターゲットに電圧を印加してから基板電圧をかけるまでのディレイタイミング、周波数、及び電圧を所定範囲で制御する調整回路を有する。【選択図】図3
    • 本发明公开了在工件的表面上以形成在高速良好且高品质的碳薄膜。 甲成膜真空腔室是真空室,其能够降低到预定的真空度,基片由施加装置衬底电压被施加到一个预定电压时,至少一个或多个碳被相对配置的基板 具有材料基板,碳原料基板上,其被引入到基于从脉冲电源调整后的功率的真空室到等离子体放电产生的介质气体被输出到碳原料基板,工件由基板保持 包括等离子体发生源与向所述木材的碳材料衬底的碳原料一起排出,和碳膜被处理并形成通过溅射,脉冲电源和衬底电压施加装置在工件的表面上,摆动的栅极信号 由机构用于调节所述设备和所述初始电压脉冲电源和基板供给,脉冲宽度的延迟连接,该电压被施加到目标,使衬底电压 的定时,频率,以及调整用于在预定范围内控制所述电压电路。 点域
    • 92. 发明专利
    • ピストンリング及びその製造方法
    • 活塞环及其制造方法
    • JP2015025466A
    • 2015-02-05
    • JP2013153392
    • 2013-07-24
    • 株式会社リケンRiken Corp
    • TSUJI KATSUHIRO
    • F16J9/26C23C14/06F02F5/00
    • F16J9/26C23C14/0605C23C14/225C23C14/226C23C14/325C23C14/505F02F5/00F16J9/28H01J37/32055H01J37/32614H01J37/32715
    • 【課題】外周面と側面とに異なる被膜特性を付与し、長期にわたって耐摩耗性を維持すると共に、ピストンリング溝との間でアルミニウムの凝着を抑制することができるピストンリング及びその製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウム合金製のピストンに装着され、Feを主成分とするシリンダライナと摺動するピストンリング10であって、外周面12aと、少なくとも一方の側面12b1、12b2とに水素を含まない硬質炭素被膜3が形成され、外周面に形成された硬質炭素被膜3aが柱状組織を有しない被膜であり、側面に形成された硬質炭素被膜3bが該側面と交差する方向に延びる柱状組織を有する。【選択図】図1
    • 要解决的问题:为了提供一种对外周面和侧面施加涂层特性的活塞环,长期保持耐磨性并且可以抑制铝在其与活塞环槽之间的凝集,并且提供制造方法 其特征在于:活塞环10安装在铝合金基活塞上,并以主要包含Fe的气缸套滑动。 在活塞环上,在外周面12a和侧面12b1,12b2中的至少一个上形成有没有氢的硬质碳涂层3, 形成在外周面上的硬碳涂层3a没有柱状结构; 并且形成在侧面上的硬碳涂层3b具有沿与侧面交叉的方向延伸的柱状结构。
    • 96. 发明专利
    • Method and device for coating using evaporation material
    • 使用蒸发材料涂覆的方法和装置
    • JP2013249538A
    • 2013-12-12
    • JP2013116612
    • 2013-06-03
    • Leica Mikrosysteme Gmbhライカ ミクロジュステーメ ゲーエムベーハー
    • WURZINGER PAULLANG ANTON
    • C23C14/24G01B7/06G01N5/02
    • C23C16/4485C23C14/0605C23C14/26C23C14/546
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method capable of eliminating disadvantages, such as susceptibility to contamination and inaccurate layer thickness measurement, in filament evaporation.SOLUTION: A device for depositing a material layer on a sample inside a vacuum chamber includes: a sample stage 100 for arranging at least one sample 103; an evaporation source 101 for a filament-shaped evaporation material 102, connected to a current source; a quartz oscillator 105 for measuring a deposited material layer thickness; and an evaluation device associated with the oscillator. An electronic control system is associated with the evaporation source 101, and is configured to supply current to the evaporation source 101 in the form of at least two current pulses having a pulse length of 1 s or less, the current being provided by the current source. The evaluation device takes into account, transient decay behavior of the oscillator 105 immediately after completion of one current pulse to derive the material layer thickness deposited after each current pulse.
    • 要解决的问题:提供一种在灯丝蒸发中能够消除诸如污染敏感性和不精确的层厚度测量等缺陷的方法。解决方案:用于在真空室内的样品上沉积材料层的装置包括:样品台 100,用于布置至少一个样品103; 连接到电流源的丝状蒸发材料102的蒸发源101; 用于测量沉积材料层厚度的石英振荡器105; 以及与振荡器相关联的评估装置。 电子控制系统与蒸发源101相关联,并且被配置为以脉冲长度为1μs或更小的脉冲长度的至少两个电流脉冲的形式向蒸发源101提供电流,电流源由电流源 。 评估装置在一个电流脉冲完成之后立即考虑振荡器105的瞬时衰减行为,以导出在每个电流脉冲之后沉积的材料层厚度。