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1. 发明专利

JP2017506490A セルフクランピング用トランジスタを備えた整流回路审中-公开
标题翻译：具有自钳位晶体管整流电路
公开(公告)号：JP2017506490A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2016549310
申请日：2014-12-01
申请人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツングRobert Bosch Gmbh
发明人：ゲアラッハアルフレート , バウアマークス
IPC分类号： H02M7/12 , H02M7/21 , H02P9/04 , H03K17/30
CPC分类号： H02M7/217 , H03K17/08142 , H03K17/302 , H03K2017/307 , H03K2217/0081
摘要：本願では、カソード端子(K1)とアノード端子(A1)とを備え、カソード端子(K1)とアノード端子(A1)との間に、統合された逆ダイオード(D6)を有する少なくとも一つのMOSFETトランジスタ(T1)を備えた電子回路(2)が設けられている整流回路が記載されており、アバランシェモードで動作するMOSFETトランジスタ(T1)のドレイン−ソース間降伏電圧が整流回路(1)のカソード端子(K1)とアノード端子(A1)との間のクランプ電圧に対応する。さらに、カソード端子(K1)とアノード端子(A1)とを備え、カソード端子(K1)とアノード端子(A1)との間に、統合された逆ダイオード(6)を有する少なくとも一つのMOSFETトランジスタ(T1)が設けられている整流回路の動作方法が提案され、MOSFETトランジスタ(T1)のドレイン−ソース間降伏電圧がカソード端子(K2)とアノード端子(A2)との間のクランプ電圧に対応させて選択され、MOSFETトランジスタ(T1)はアバランシェモードで動作させられる。
摘要翻译：在本申请中，包括阴极端子和（K1）和阳极端子（A1），阴极端子和（K1）和阳极端子（A1），具有集成反向二极管（D6）的至少一个MOSFET晶体管之间（整流器电路具有T1电子电路）设置（2）进行了说明，所述MOSFET晶体管（T1）工作在雪崩模式的漏极 - 源极击穿电压整流电路的阴极端子（1）（ K1）以对应于阳极端子（A1）之间的钳位电压。还包括：一个阴极端子和（K1）和阳极端子（A1），阴极端子和（K1）和阳极端子（A1），至少一个MOSFET晶体管具有集成反向二极管（6）（T1之间）提出操作设置的整流电路的方法，所述MOSFET晶体管（T1）的漏极 - 选择为对应于源极击穿电压和阴极端子（K2）和阳极端子之间的钳位电压（A2）是，MOSFET晶体管（T1）在雪崩模式下操作。

2. 发明专利

JP2015181154A 逆バイアスHEMTトランジスタを備えた電子装置审中-公开
标题翻译：具有反向偏置HEMT晶体管的电子器件
公开(公告)号：JP2015181154A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015034027
申请日：2015-02-24
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ , アルカテル−ルーセント
发明人：ルネエスコフィエ
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L27/095 , H01L21/8236 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/8232
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/8252 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H01L29/7786 , H03K17/302 , H03K17/687 , H03K2017/307
摘要：【課題】逆バイアスされたツェナーダイオードの挙動と類似の挙動を有する電子装置を提供する。【解決手段】電子装置100は、第1のHEMTトランジスタ106と、第1のHEMTトランジスタのソース108とドレイン110との間に正値の電圧を印加することによって、第1のHEMTトランジスタを逆バイアス可能なバイアス手段102、103、104とを少なくとも備える。第1のHEMTトランジスタは、ゲート112とドレインとの間の電圧が、しきい値より高いときにオンする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有类似于反向偏置齐纳二极管的行为的电子设备。解决方案：电子设备100至少包括：第一HEMT晶体管106; 以及偏置装置102,103,104，其能够通过在第一HEMT晶体管的源极108和漏极110之间施加正电压来至少对第一HEMT晶体管进行反向偏置。当栅极112和漏极之间的电压高于阈值时，第一HEMT晶体管导通。

3. 发明专利

JP2008193282A Rectifier 有权
标题翻译：整流器
公开(公告)号：JP2008193282A
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：JP2007023846
申请日：2007-02-02
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TAKESHITA MIYUKI , IWATA AKIHIKO , SUGA IKURO , HARADA SHIGEKI , KAWABATA KENICHI , KUMAGAI TAKASHI , FUJIWARA KENJI
IPC分类号： H03K17/74
CPC分类号： H03K2017/307
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly efficient rectifier which can easily be replaced by a two-terminal diode and is reduced in loss during conduction. SOLUTION: A micropower converter part 3 for boosting conduction voltage Vds between a source and a drain up to a prescribed voltage and a self-drive control unit 4 for operating by an output voltage of the micropower converter part 3 are connected between the source and the drain of a MOSFET 2 incorporating a parasitic diode 2a. When a state between the source and the drain becomes conductive, the micropower converter part 3 generates a source voltage of the self-drive control unit 4 is generated from the conduction voltage Vds, while the self-drive control unit 4 continues drive control over the MOSFET 2. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供可以容易地被二端子二极管代替并且在传导期间减少的高效整流器。解决方案：用于将源极和漏极之间的导通电压Vds升高到规定电压的微功率转换器部分3和用于通过微功率转换器部分3的输出电压进行操作的自驱动控制单元4连接在源极和漏极组合有寄生二极管2a的MOSFET2。当源极和漏极之间的状态变为导通时，微功率转换器部件3产生从导通电压Vds产生自驱动控制单元4的源电压，而自驱动控制单元4继续驱动控制 MOSFET 2.版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2005295794A Active diode 审中-公开
标题翻译：活性二极管
公开(公告)号：JP2005295794A
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：JP2005102957
申请日：2005-03-31
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd , 松下電器産業株式会社
发明人： OSWALD RICHARD K , YAMAMOTO KAN , RYU TAKASHI
IPC分类号： H02M7/21 , H03L5/00
CPC分类号： H02M3/1588 , H03K2017/307 , Y02B70/1466
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active diode in which forward voltage and reverse current are reduced. SOLUTION: The active diode comprises an NMOS transistor having source, drain, gate and back gate terminals wherein the source terminal is connected with the back gate terminal to become the anode terminal of the active diode and the drain terminal becomes the cathode terminal of the active diode, an offset bias voltage source having first and second terminals, and an amplifier having an non-inverted input terminal, an inverted input terminal and an output terminal wherein the inverted input terminal is connected with the drain terminal of the transistor, the non-inverted input terminal is connected with the first terminal of the offset bias voltage source, and the output terminal is connected with the gate terminal of the transistor. The circuit is simplified by connecting the second terminal of the offset bias voltage source with the source terminal of the transistor. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供其中正向电压和反向电流减小的有源二极管。解决方案：有源二极管包括具有源极，漏极，栅极和后栅极端子的NMOS晶体管，其中源极端子与背栅极端子连接成为有源二极管的阳极端子，而漏极端子成为阴极端子有源二极管的偏置偏置电压源，具有第一和第二端子的偏移偏置电压源，以及具有非反相输入端子的放大器，反相输入端子和输出端子，其中反相输入端子与晶体管的漏极端子连接，非反相输入端子与偏置偏置电压源的第一端子连接，输出端子与晶体管的栅极端子连接。通过将偏置偏置电压源的第二端子与晶体管的源极端子连接来简化电路。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

5. 发明专利

JP3626320B2 How to control the transistor as a rectifier and equipment 失效
公开(公告)号：JP3626320B2
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：JP8409697
申请日：1997-04-02
申请人：エスアールモス・インコーポレーテッド , 新電元工業株式会社
发明人：シアン・ペイ・イー , 博美伊藤 , 健治堀口 , 悟沢幡
IPC分类号： H01L29/78 , H02M7/21 , H02M7/217 , H03K17/082
CPC分类号： H02M7/217 , H03K17/0822 , H03K2017/307

6. 发明专利

JP3491797B2 Power generation system for a vehicle 失效
公开(公告)号：JP3491797B2
公开(公告)日：2004-01-26
申请号：JP24330296
申请日：1996-09-13
申请人：株式会社デンソー
发明人：敏典丸山 , 博英佐藤 , 敏雄筒井
IPC分类号： G01R31/34 , H02H7/06 , H02J7/14 , H02J7/16 , H02J7/24 , H02M7/12 , H02M7/155 , H02P9/04
CPC分类号： H02J7/242 , H03K2017/307

7. 发明专利

JP2016146593A 電源切替回路及び半導体装置审中-公开
标题翻译：电源变换电路和半导体器件
公开(公告)号：JP2016146593A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015023426
申请日：2015-02-09
申请人：エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社
发明人：杉浦正一
IPC分类号： H02J9/06 , H03K17/693
CPC分类号： H03K17/30 , H03K2017/307
摘要：【課題】消費電流の増大を回避した、電源切替回路の提供。【解決手段】夫々の電源入力端子と出力端子の間に、互いのゲートが接続され、互いのバックゲートが接続され、直列接続されたMOSトランジスタを備えた電源切替回路。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种避免电流消耗增加的电源切换电路。解决方案：电源切换电路包括直接连接的MOS晶体管，其配置使得相互的栅极连接在相应的电源输入端子和输出端子之间，并且相互背对门连接。选择图：图1

8. 发明专利

JP4850540B2 Dc-dc converter and the dc-dc converter of the control circuit 有权
公开(公告)号：JP4850540B2
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：JP2006055904
申请日：2006-03-02
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：秀信伊藤 , 主税土屋 , 守仁長谷川
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M1/38 , H03K2017/307

9. 发明专利

JP2012004254A Diode circuit 审中-公开
标题翻译：二极管电路
公开(公告)号：JP2012004254A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：JP2010136665
申请日：2010-06-15
申请人： Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： NAKAMURA NAOYUKI , MIYAJI HIROYUKI
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L29/861
CPC分类号： H02M1/083 , H02M2001/0048 , H03K17/302 , H03K2017/307 , Y02B70/1491
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a diode circuit having sufficient reverse withstand voltage and ideal diode characteristics in which forward voltage is close to 0 V.SOLUTION: An active diode 100 having an anode terminal A and a cathode terminal K includes: a transistor 110 having a gate terminal 111, a drain terminal 112 connected to one of the anode terminal A and the cathode terminal K, and a source terminal 113 connected to the other of the anode terminal A and the cathode terminal K; and a gate voltage generation circuit 120 supplying a gate voltage to the gate terminal 111, the gate voltage being adjusted so as to be equal to a threshold voltage of the transistor 110.
摘要翻译：解决方案：提供具有足够的反向耐受电压和正向电压接近0V的理想二极管特性的二极管电路。解决方案：具有阳极端子A和阴极端子的有源二极管100 K包括：晶体管110，其具有栅极端子111，连接到阳极端子A和阴极端子K之一的漏极端子112以及连接到阳极端子A和阴极端子K中的另一个的源极端子113; 以及栅极电压产生电路120，其向栅极端子111提供栅极电压，栅极电压被调节为等于晶体管110的阈值电压。版权所有：（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4833101B2 Rectifier 有权
公开(公告)号：JP4833101B2
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：JP2007023846
申请日：2007-02-02
申请人：三菱電機株式会社
发明人：茂樹原田 , 明彦岩田 , 憲一川畑 , 隆熊谷 , みゆき竹下 , 郁朗菅 , 賢司藤原
IPC分类号： H03K17/74
CPC分类号： H03K2017/307

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