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1. 发明专利

JP2020177069A リフロー炉内観察装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020177069A
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：JP2019077764
申请日：2019-04-16
申请人：株式会社SOKEN , トヨタ自動車株式会社
发明人：中俣景太 , 神谷真行 , 青島正貴
IPC分类号： G01B11/00 , G03B13/36 , G03B17/56 , G03B15/00 , B23K1/00 , B23K3/08 , B23K1/008 , H04N5/232 , H05K3/34 , G02B7/28
摘要：【課題】リフロー炉内の対象物をカメラによって撮像する装置において、カメラから対象物までの距離が変化する場合でも、対象物を正しく撮像し得る技術を提供する。【解決手段】リフロー炉内の対象物を撮像する装置は、対象物を撮像するカメラと、カメラから対象物までの距離の変化、又は当該変化をもたらす事象を検出する検出手段と、検出手段による検出結果に基づいて、カメラの焦点及び撮像範囲の少なくとも一方を補正する補正手段とを備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2020047892A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020047892A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018177460
申请日：2018-09-21
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：川島崇功 , 今井誠 , 青島正貴
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/04 , H01L25/07
摘要：【課題】複数の半導体素子を有する半導体装置の小型化を図る。【解決手段】半導体装置は、第1導体板と、第1導体板上に配置された第1半導体素子、第2半導体素子、第1回路基板及び複数の第1信号端子とを備える。第2半導体素子の素子サイズは、第1半導体素子のそれよりも小さい。第1導体板に垂直な平面視において、複数の第1信号端子は、第1半導体素子に対して第1方向に位置する。第2半導体素子及び第1回路基板は、複数の第1信号端子と第1半導体素子との間に位置するとともに、第1方向に対して垂直な第2方向に沿って配列されている。そして、第1半導体素子の信号パッドは、第1回路基板の信号伝送路を介して、複数の第1信号端子の対応する一つに接続されている。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2020102504A パワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2020102504A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018239155
申请日：2018-12-21
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：伊藤宏文 , 臼井正則 , 佐藤敏一 , 庄司智幸 , 淺井林太郎 , 青島正貴
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/36
摘要：【課題】信頼性の向上を図れるパワーモジュールを提供する。【解決手段】本発明のパワーモジュール(M)は、第1電極(11)と第2電極(12)を少なくとも有するパワーデバイス(1)と、第1電極に第1接合材(41)を介して接合される第1スプレッダ(31)と、第1電極よりも接合面積の小さい第2電極に第2接合材(42)を介して接合されるターミナル(2)とを備える。第1スプレッダとターミナルは銅からなる。第2電極には、Al−Si合金からなるAlSi層が含まれる。第1接合材は、30℃と175℃との0.2%耐力差の絶対値が10MPa以下である。第2接合材は、その0.2%耐力差の絶対値が20MPa以下であると共に、30〜175℃の全域においてAl−Si合金よりも0.2%耐力が小さい。本発明のパワーモジュールによれば、より高温域のパワーサイクル下でも、AlSi層等にクラックが生じない。【選択図】図2A

4. 发明专利

JP2015207699A 半導体チップを金属表面部材に接合した装置审中-公开
标题翻译：将半导体芯片加入金属表面成员的设备
公开(公告)号：JP2015207699A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014088273
申请日：2014-04-22
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：桑原誠 , 臼井正則 , 青島正貴 , 織本憲宗
IPC分类号： H01L21/52
摘要：【課題】半導体チップの裏面の全域を金属表面部材の表面に接合した構造では、半導体チップの動作温度が高くなると熱応力が大きくなり、動作温度を高くできない。【解決手段】半導体チップを液相拡散接合層で金属表面部材に接合する。半導体チップの中心部では接合層の形成範囲を密として周辺部では疎とする。半導体チップを平面視したときの中心から周辺までの距離の40%の距離にある点列で囲まれる範囲を中心部とし、その外側を周辺部とし、中心部での接合層形成範囲を70〜92%とし、周辺部での接合層形成範囲を23〜58%としたときに、半導体チップの過熱を防止しながら熱応力を緩和できる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了解决半导体芯片的工作温度由于工作温度升高而引起的热应力增加的问题，其结构是将半导体芯片的背面的整个区域连接到半导体芯片的表面金属表面构件。解决方案：半导体芯片通过液相扩散接合层接合到金属表面构件。接合层的形成范围在半导体芯片的中心部分是致密的，并且在周边部分是稀疏的。中心部分被定义为由平面图中的距离半导体芯片的中心的距离的40％的点序列围绕的范围，而周边部分被定义为中心部分的外部区域。当中心部分的接合层的形成范围为70〜92％，而周边部分的接合层的形成范围为23〜58％时，可以防止半导体芯片过热导致的热应力减轻。

5. 发明专利

JP2015198188A 半導体モジュール审中-公开
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JP2015198188A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014076125
申请日：2014-04-02
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：青島正貴
IPC分类号： H01L25/18 , H02M1/08 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/181
摘要：【課題】複数のスイッチング素子における電流の偏りを検出することができる半導体モジュールを提供する。【解決手段】第1導体板と、第2導体板と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に接続されている第1スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に、前記第1スイッチング素子に対して並列に接続されている第2スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間であって第1スイッチング素子と第2スイッチング素子の間に配置されており、前記第1導体板と前記第2導体板から絶縁されている導体と、前記導体に流れる誘導電流を検出する電流検出器を有する半導体モジュール。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以检测多个开关元件中的电流偏压的半导体模块。解决方案：半导体模块包括：第一导体板; 第二导体板; 连接到第一导体板和第二导体板之间的第一开关元件; 第二开关元件，连接到第一导体板和第二导体板之间并与第一开关元件并联; 布置在所述第一导体板和所述第二导体板之间以及所述第一开关元件和所述第二开关元件之间并且与所述第一导体板和所述第二导体板绝缘的导体; 以及用于检测通过导体的感应电流的电流检测器。

6. 发明专利

JP5776728B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5776728B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2013116647
申请日：2013-06-03
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：広瀬敏 , 青島正貴 , 石間伏寿
IPC分类号： H01L23/373 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/3736 , H01L23/3677 , H01L23/4824 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05023 , H01L2224/051 , H01L2224/05568 , H01L2224/056 , H01L24/05 , H01L2924/13091

7. 发明专利

JP2020132909A 接合用ペースト、接合構造体および接合方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020132909A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019024244
申请日：2019-02-14
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：佐藤敏一 , 臼井正則 , 伊藤宏文 , 庄司智幸 , 青島正貴 , 淺井林太郎
IPC分类号： H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/14 , B23K35/22 , B22F7/08 , B22F1/00
摘要：【課題】被接合面上に凹凸があるような場合でも、高耐熱性の接合層を安定して形成できる接合用ペーストを提供する。【解決手段】本発明は、第1金属元素を含む第1粒子(51)と、第2金属元素を含む第2粒子(52)と、第3物質からなる第3粒子(53)とが混在した接合用のペースト(420)である。第1金属元素はSnである。第2金属元素はSnと金属間化合物を生成可能である。第3物質は、第1金属元素と第2金属元素のいずれとも接合時に反応しない。ペースト全体に含まれる第1金属元素に対する第2金属元素の原子比は、接合時に金属間化合物とならない第1金属元素が残留しない範囲である。第2粒子と第3粒子は、第1粒子よりも高融点である。第3粒子は、第1粒子と第2粒子のいずれよりも、ペースト全体に含まれる質量割合が小さくて平均粒径が大きい。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2018044747A 沸騰冷却装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018044747A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016181927
申请日：2016-09-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：榊原明徳 , 青島正貴
IPC分类号： H01L23/427 , H05K7/20 , F28F13/02
摘要：【課題】放熱フィン及び底壁部の内面から気泡が離脱することを促進し得る技術を提供する。【解決手段】沸騰冷却装置2は、冷媒が流入する入口12と、冷媒が流出する出口14と、入口12から出口14に向かって冷媒が流れる沸騰器16とを備える。沸騰器16は、底面部24の内面に配置され、その外面において発熱体60と熱的に接続される放熱板40と、放熱板40の内面に固定されるテーパ台42と、テーパ台42の表面から突出する複数の放熱フィン50と、複数の放熱フィン50の先端に間隔をあけて対向する上壁部22とを有する。テーパ面42の表面は、冷媒が流れる方向に沿って上壁部22側へ変位するように傾斜している。【選択図】図1

9. 发明专利

JP5723314B2 回路素子を備えるモジュール有权
标题翻译：具有电路元件模块
公开(公告)号：JP5723314B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2012071048
申请日：2012-03-27
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：臼井正則 , 佐藤敏一 , 青島正貴 , 田中徹
IPC分类号： H01L21/52

10. 发明专利

JP2015076440A 半導体モジュール审中-公开
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JP2015076440A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013210188
申请日：2013-10-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：青島正貴
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/29 , H01L25/065 , H01L21/60 , H01L25/07
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/48 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49805 , H01L24/10 , H01L24/32 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/0823 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06135 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/49176 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06575 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107
摘要：【課題】小型化を図ることができる技術を提供する。【解決手段】半導体モジュール2は、表面33に第1信号用電極41が形成されている第1半導体素子31と、第1半導体素子31に対して間隔を開けて配置されており、第1半導体素子側の表面33に第2信号用電極42が形成されている第2半導体素子32と、第1信号用電極41に電気的に接続されている第1信号用リード51と、第2信号用電極42に電気的に接続されている第2信号用リード52と、を備えている。第1信号用リード51と第2信号用リード52は、第1半導体素子31から第2半導体素子32に向かう方向において、それぞれの高さ位置が揃うように配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许实现尺寸减小的技术。解决方案：半导体模块2包括：第一半导体元件31，其表面33上形成有用于第一信号的电极41; 与第一半导体元件31隔开设置的第二半导体元件32，在第一半导体元件侧的表面33上形成有用于第二信号的电极42; 引线51用于与第一信号的电极41电连接的第一信号; 并且引线52用于与第二信号的电极42电连接的第二信号。第一信号的引线51和第二信号的引线52被布置成使得高度位置在从第一半导体元件31到第二半导体元件32的方向上对齐。

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