专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6760604B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6760604B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2017114848
申请日：2017-06-12
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社日立製作所 , 富士電機株式会社 , 三菱電機株式会社
发明人：小杉亮治 , 紀世陽 , 望月和浩 , 河田泰之 , 纐纈英典
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/78

2. 发明专利

JP6265872B2 半導体試験装置及び半導体試験方法有权
公开(公告)号：JP6265872B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014192174
申请日：2014-09-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：纐纈英典 , 中尾之泰 , 山本茂久 , 中田修平
IPC分类号： G01R31/26

3. 发明专利

JP2016039193A 炭化珪素半導体装置有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2016039193A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014160036
申请日：2014-08-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 纐纈英典
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要：【課題】高速スイッチング時においても優れた逆回復サージ耐性を有する炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】ドリフト層2は、主面MSを部分的になしており、第1導電型を有する。内側不純物領域6Dは、ドリフト層2上に設けられており、主面MS上においてリング形状で延在しており、第2導電型を有する。誘電体層7は、主面MS上で内側不純物領域6Dを部分的に覆っており、内側不純物領域6D上の内縁を有する。アノード電極9に含まれるショットキー電極9aは主面MS上で誘電体層7の内側においてドリフト層2および内側不純物領域6Dに接している。アノード電極9は誘電体層7を介して内側不純物領域6Dと対向する部分を有する。アノード電極9と誘電体層7と内側不純物領域6Dとによって第1MISキャパシタ構造13Aが形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在快速切换时具有优异的反向恢复浪涌电阻的碳化硅半导体器件。解决方案：一种碳化硅半导体器件包括：漂移层2，其一部分形成主表面MS，其中具有第一导电类型; 内部杂质区域6D，其设置在漂移层2上并且在主表面MS上呈环状并且具有第二导电类型; 介电层7，其部分地覆盖主表面MS上的内部杂质区域6D，并且在内部杂质区域6D上具有内部边缘; 以及与主表面MS上的电介质层7内的漂移层2和内部杂质区域6D接触的阳极电极9中包含的肖特基电极9a。阳极电极9具有与电介质层7的内部杂质区域6D相对的部分。阳极电极9，电介质层7和内部杂质区域6D形成第一MIS电容器结构13A。图1

4. 发明专利

JP2021182639A 半導体装置および電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021182639A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2021131137
申请日：2021-08-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：福井裕 , 菅原勝俊 , 八田英之 , 纐纈英典 , 田中梨菜 , 宮田祐輔
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78
摘要：【課題】ゲートトレンチ底面での電界緩和による信頼性の向上と、動作特性の改善。【解決手段】第1の半導体層とその上層部に選択的に設けられた第1の半導体領域、第1の半導体領域に接する半導体領域、第1および第2の半導体領域の底面に接する第3の半導体領域、第1および第3の半導体領域を厚さ方向に貫通して第1の半導体層内に達する平面視でストライプ状の第1および第2のゲートトレンチ、第1および第2のゲートトレンチの底部に接するように連続して設けられた電界緩和領域および第1および第2のゲートトレンチの延在方向に平行な第1の方向とは垂直な第2の方向における少なくとも一方のトレンチ側壁に接するように第1の半導体層内に間隔を開けて複数設けられ、電界緩和領域と第3の半導体領域とを接続する接続層を備え、接続層は、第1および第2のゲートトレンチそれぞれに対して第1の方向に沿って互いに離隔して複数設けられる。【選択図】図31

5. 发明专利

JP6238854B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP6238854B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2014160036
申请日：2014-08-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 纐纈英典
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/47 , H01L29/872

6. 发明专利

JP2016061751A 半導体試験装置有权
标题翻译：半导体测试设备
公开(公告)号：JP2016061751A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014192174
申请日：2014-09-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：纐纈英典 , 中尾之泰 , 山本茂久 , 中田修平
IPC分类号： G01R31/26
摘要：【課題】試験対象の半導体デバイスに悪影響を与えることなく、通電処理の初期段階から半導体デバイスの電極との良好な電気的接触を保つことができる半導体試験装置を得る。【解決手段】半導体基板70の表面上に表面電極72が形成され、表面電極72における外周領域である電極上ポリイミド形成領域R12上に保護膜であるポリイミド層71が形成され、ポリイミド層71は表面電極72が形成されていない半導体基板70の外周領域である半導体デバイス外周領域S2上に延びて形成される。積層金属箔20Aは平面形状が表面電極72の相似形で、平面視してポリイミド層71が形成されていない表面電極露出領域S1内に収まる形状を有している。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体测试装置，其可以从电气化初始阶段保持与半导体器件的电极的良好的电接触，而不会对测试目的的半导体器件产生不利影响。解决方案：形成表面电极72 在作为表面电极72的外周区域的表面上电极聚酰亚胺形成区域R12上形成作为保护膜的聚酰亚胺层71的半导体基板70的表面和聚酰亚胺层71，其中聚酰亚胺形成在作为形成有表面电极72的半导体衬底70的外部区域的半导体外周区域S2上延伸的层71。叠层金属箔20A的平面形状与表面电极72相似，并且具有在平面图中形成的不具有聚酰亚胺层71的表面电极曝光区域S1中的形状。图4

7. 发明专利

JP6964950B2 半導体装置および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6964950B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2019120797
申请日：2019-06-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：福井裕 , 菅原勝俊 , 八田英之 , 纐纈英典 , 田中梨菜 , 宮田祐輔
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78

8. 发明专利

JP6857351B2 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6857351B2
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：JP2017037763
申请日：2017-02-28
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社 , 三菱電機株式会社
发明人：河田泰之 , 紀世陽 , 小杉亮治 , 纐纈英典 , 望月和浩
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/78

9. 发明专利

JP6753951B2 半導体装置および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6753951B2
公开(公告)日：2020-09-09
申请号：JP2018557070
申请日：2018-05-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：福井裕 , 菅原勝俊 , 八田英之 , 纐纈英典 , 田中梨菜 , 宮田祐輔
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/78

10. 发明专利

JP2019195081A 半導体装置および電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019195081A
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：JP2019120797
申请日：2019-06-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：福井裕 , 菅原勝俊 , 八田英之 , 纐纈英典 , 田中梨菜 , 宮田祐輔
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78
摘要：【課題】ゲートトレンチ底面での電界緩和による信頼性の向上と、動作特性の改善。【解決手段】第1の半導体層とその上層部に選択的に設けられた第1の半導体領域、第1の半導体領域に接する半導体領域、第1および第2の半導体領域の底面に接する第3の半導体領域、第1および第3の半導体領域を厚さ方向に貫通して第1の半導体層内に達する平面視でストライプ状のゲートトレンチ、ゲートトレンチの底部に接するように連続して設けられた電界緩和領域およびゲートトレンチの延在方向に平行な第1の方向とは垂直な第2の方向における少なくとも一方のトレンチ側壁に接するように第1の半導体層内に間隔を開けて複数設けられ、電界緩和領域と第3の半導体領域とを電気的に接続する接続層を備え、第1の半導体層は0度より大きいオフ角を有し、第1の方向は、オフ方向に平行な方向であって、接続層は第1の方向に沿って互いに離隔して複数設けられる。【選択図】図2

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式