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    • 4. 发明专利
    • ドライエッチング方法
    • 干蚀刻方法
    • JP2015195381A
    • 2015-11-05
    • JP2015096141
    • 2015-05-11
    • セントラル硝子株式会社
    • 日比野 泰雄梅崎 智典菊池 亜紀応毛利 勇岡本 覚
    • C09K13/08H05H1/46H01L21/3065
    • 【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(E)O 2 、CO、COF 2 、CF 4 、C 2 F 6 、C 4 F 8 、F 2 、Cl 2 及びNF 3 からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを用い、(A)及び(E)の体積流量比をそれぞれ5〜95%:5〜94%(但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。)とし、二酸化珪素及び窒化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的に、高アスペクト比で異方性エッチングするドライエッチング方法を用いる。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种具有经济效益且对全球环境影响小的干蚀刻方法,并且能够实现必要的性能。解决方案:一种干蚀刻方法包括:各向异性蚀刻至少一种 的选自由高比例的二氧化硅和氮化硅组成的组的硅系材料,其中(A)3,3,3-三氟丙炔和(E)选自由以下组成的组中的至少一种气体: O,CO,COF,CF,CF,CF,F,Cland NF; (A)和(E)的体积流量的比例为5-95%:5-94%(各气体的体积流量比例为100)。