专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2017517874A 半導体ウェハ重量計測装置および方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017517874A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016560345
申请日：2015-03-23
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited , メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン , キールマス，エイドリアン
IPC分类号： H01L21/683 , G01G17/00 , G01G23/01 , H01L21/66
CPC分类号： G01G23/10 , G01G17/00 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L22/12
摘要：半導体ウェハ重量計測装置は、半導体ウェハの重量力を測定するための重量力測定デバイスと、装置または装置に積載された半導体ウェハの加速を検出するための検出器による装置または装置に積載された半導体ウェハの加速の検出に基づいて、装置の動作を制御するように構成される制御手段とを含み、制御手段は、装置または装置に積載された半導体ウェハの異なる加速について、装置または装置に積載された半導体ウェハの加速に対して、重量力測定デバイスの出力における誤差を合致させる所定の関係を使用して、装置または装置に積載された半導体ウェハの加速によって引き起こされる重量力測定デバイスの出力における誤差を求めるように構成される。

2. 发明专利

JP2017507474A 半導体ウェハ処理方法および装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017507474A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2016536675
申请日：2014-11-03
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited , メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン , キールマス，エイドリアン
IPC分类号： H01L21/66 , B65G49/00 , G01G19/52 , G01G23/06 , H01L21/677
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67706
摘要：半導体ウェハ処理方法であって、当該方法は、半導体ウェハの温度を予め定められた処理温度範囲内に制御するステップを備え、制御するステップは、第1の温度変化ユニットを用いて半導体ウェハの第1の温度変化を生じさせることと、その後、第2の温度変化ユニットを用いて第2の温度変化を生じさせることとによって行われ、第1の変化は、第2の変化よりも大きく、当該方法はさらに、その後、半導体ウェハを半導体ウェハ処理装置の処理領域に装着するステップを備える。また、半導体ウェハ処理方法であって、当該方法は、温度変化ユニットを用いて半導体ウェハの温度変化を生じさせることによって、半導体ウェハの温度を予め定められた処理温度範囲内に制御するステップと、半導体ウェハを温度変化ユニットから半導体ウェハ処理装置の処理領域に運搬するステップと、運搬するステップ中に半導体ウェハの温度を制御するステップとを備える。

3. 发明专利

JP5646349B2 半導体ウェハ製造をモニタリングする方法有权
标题翻译：监测半导体晶片生产的方法
公开(公告)号：JP5646349B2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：JP2010550254
申请日：2009-03-10
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited , メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン
IPC分类号： H01L21/677 , G01G23/01
CPC分类号： H01L21/67253

4. 发明专利

JP2016537641A 半導体ウェハの質量に関する情報を判定するための方法および装置有权
标题翻译：用于确定关于半导体晶片的质量信息的方法和装置
公开(公告)号：JP2016537641A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2016539630
申请日：2014-08-21
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited , メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン , キールマス，エイドリアン
IPC分类号： G01G1/29 , G01G19/62 , G01G23/01 , H01L21/66
CPC分类号： G01G19/00 , B06B1/06 , B06B1/0648 , G01G3/16 , G01G17/02 , G01H11/08 , H01L21/67253
摘要：半導体ウェアの質量に関する情報を判定する方法が開示される。該方法は、計量装置の測定領域上に半導体ウェハをロードするステップを含み、該計量装置は、測定領域上にロードされた所定の重量を補正するように配置された重量補正手段を有し、該方法はさらに、半導体ウェハの重量と所定の重量との差を示す測定出力を生成するステップと、測定出力を用いて、半導体ウェハの質量に関する情報を判定するステップとを含む。さらに、半導体ウェハの質量に関する情報を判定するための、対応する計量装置が開示される。
摘要翻译：公开了一种用于确定关于半导体磨损的质量信息的方法。该方法包括：加载在计量装置的测量区域中的半导体晶片的步骤中，所述计量装置具有权重校正装置，被设置以校正装载到测量区的预定重量，该方法还包括，通过使用测量的输出，并且确定关于半导体晶片的质量信息生成测量输出指示重量和半导体晶片的预定重量的差的步骤。此外，用于确定有关的半导体晶片的质量的信息，对应的计量装置被公开。

5. 发明专利

JP5495207B2 Measuring apparatus and measurement method 有权
公开(公告)号：JP5495207B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2009553198
申请日：2008-03-04
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン , キールマス，エイドリアン
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67253

6. 发明专利

JP2011512022A A method of controlling a semiconductor device manufacturing 有权
公开(公告)号：JP2011512022A
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：JP2010541102
申请日：2009-01-07
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：キールマス，エイドリアン
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , G05B15/02 , G05B23/024 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor wafer fabrication metrology method in which process steps are characterised by a change in wafer mass, whereby during fabrication mass is used as a measurable parameter to implement statistical process control on the one or more of process steps. In one aspect, the shape of a measured mass distribution is compared with the shape of a predetermined characteristic mass distribution to monitor the process. An determined empirical relationship between a control variable of the process and the characteristic mass change may enable differences between the measured mass distribution and characteristic mass distribution to provide information about the control variable. In another aspect, the relative position of an individual measured wafer mass change in a current distribution provides information about individual wafer problems independently from general process problems.

7. 发明专利

JP2010540952A Semiconductor wafer measuring apparatus and method 有权
公开(公告)号：JP2010540952A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：JP2010527517
申请日：2008-09-30
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン
IPC分类号： G01G7/06 , G01G5/00 , G01G21/28 , H01L21/66
CPC分类号： G01G23/14 , G01G9/00 , G01G21/22 , G01G23/00 , H01L21/67253
摘要：半導体ウェハにおいて、大気浮力が補償される重量の力の計測値に対する静電力の影響を修正する半導体ウェハ計測技術である。一局面では、ウェハは、独立して測定されるファラデー遮蔽部において計量される。ファラデー遮蔽部の測定重量の変化は、ウェハの測定重量を修正するよう用いられ得る。別の局面では、直接的な静電測定値が、電荷計によって測定される静電荷と重量誤差力との間の所定の相関を用いて、重量修正値に変換され得る。別の局面では、静電測定値は、非直接的であってよく、たとえば、ウェハと、ウェハに平行な、接地に接続された板との間の距離を変動させて当該接地に接続された板とウェハとの間の静電力を変化させることで導出されてもよい。

8. 发明专利

JP2010540951A Semiconductor wafer measuring apparatus and method 有权
公开(公告)号：JP2010540951A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：JP2010527513
申请日：2008-09-29
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン
IPC分类号： G01G5/00 , G01G23/48 , H01L21/66
CPC分类号： G01G21/28 , G01G9/00 , G01G21/22 , G01G23/01 , G01G23/16 , H01L21/67253 , H01L22/12
摘要： A semiconductor wafer metrology technique comprising performing atmospheric buoyancy compensated weighing of a wafer, in which the wafer is weighed in a substantially upright condition. A vertical or near vertical wafer orientation causes the surface area in the direction of a force (weight) sensor to be reduced compared with a horizontal wafer orientation. Hence, the electrostatic force components acting in the same direction as the wafer weight force component is reduced.

9. 发明专利

JP2014135497A Method of controlling semiconductor device fabrication 有权
标题翻译：控制半导体器件制造的方法
公开(公告)号：JP2014135497A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：JP2014034081
申请日：2014-02-25
申请人： Metryx Ltd , メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人： ADRIAN KIERMASZ
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , G05B15/02 , G05B23/024 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To increase productivity in a semiconductor device fabrication process.SOLUTION: In a semiconductor wafer fabrication metrology method, process steps are characterized by a change in wafer mass, and thereby mass is used during fabrication as a measurable parameter to implement statistical process control in one or more of process steps. In one aspect, the shape of a measured mass distribution is compared with the shape of a predetermined characteristic mass distribution to monitor the process. A determined empirical relationship between a control variable of the process and the characteristic mass change may enable differences between the measured mass distribution and the characteristic mass distribution to provide information about the control variable. In another aspect, the relative position of an individual measured wafer mass change in a current distribution provides information about individual wafer problems independently from general process problems.
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件制造工艺中的生产率。解决方案：在半导体晶片制造计量方法中，工艺步骤的特征在于晶片质量的变化，从而质量在制造期间被用作可测量的参数以实现统计一个或多个过程步骤中的过程控制。在一个方面，将测量的质量分布的形状与预定特征质量分布的形状进行比较以监测该过程。过程的控制变量与特征质量变化之间确定的经验关系可以使测量的质量分布和特征质量分布之间的差异能够提供关于控制变量的信息。另一方面，单个测量的晶片质量变化在电流分布中的相对位置提供了关于单个晶片问题的信息，而与一般工艺问题无关。

10. 发明专利

JP2011514006A Semiconductor wafer monitoring apparatus and method 有权
公开(公告)号：JP2011514006A
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：JP2010550254
申请日：2009-03-10
申请人：メトリックス・リミテッドMetryx Limited
发明人：ウィルビー，ロバート・ジョン
IPC分类号： H01L21/677 , G01G23/01
CPC分类号： H01L21/67253
摘要：モニタされる対象の測定可能な特性を検出することで計測のためのデータが得られる、半導体ウェハ製造のための計測方法および装置であり、そのモニタされる対象は、（ｉ）モニタされるべき１以上のウェハがロードされたウェハ輸送体（たとえばＦＯＵＰ）、または（ｉｉ）複数のウェハのいずれかである。ロードされたウェハの輸送体に計量測定を実行することは、計量測定のために輸送体からウェハを抽出するステップを省略することを可能にする。ユニットとしての複数のウェハを考慮することにより、個々のウェハの応答の組み合わせを示す単一の測定値が得られる。個々のウェハの測定を行なうことの必要なしに、すべてのウェハが計量測定に寄与する。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式