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1. 发明公开

EP0006465A1 Ladungsgekoppeltes Zwei-Kanal-Halbleiterbauelement 失效
标题翻译：电荷耦合两沟道半导体器件。
公开(公告)号：EP0006465A1
公开(公告)日：1980-01-09
申请号：EP79101691.8
申请日：1979-06-01
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Jambotkar, Chakrapani Gajanan
IPC分类号： H01L29/78 , G11C19/28
CPC分类号： H01L29/1062 , Y10S257/912
摘要： Ein bipolares ladungsgekoppeltes Zwei-Kanal-Halbleiterbauelement, bestehend aus einem als N-Zone ausgebildeten Substrat (9), einer darüberliegenden P-Zone (10) und einer hierauf angebrachten jeweils im Bereich der Gates verdünnt vorgesehenen dielektrischen Schicht (11) mit darüberliegenden Gate-Elektroden (G1, G2...) nebst zugehörigen Anschlußmetallisierungen weist zur Speicherung einer ersten, aus Minoritätsladungsträgerpaketen bestehenden Bitfolge einen ersten Leitungskanal im oberflächennahen Bereich und einen zweiten zur Speicherung einer zweiten aus Majoritätsladungsträgerpaketen bestehenden Bitfolge im Tiefenbereich der P-Zone (10) auf. Die beiden Bitfolgen lassen sich längs des Oberflächen- bzw. längs des Tiefenkanals gleichzeitig und unabhängig voneinander verschieben, so daß sich dank der so gebildeten übereinanderliegenden Schieberegister eine gegenüber bisher wesentlich erhöhte Speicherdichte des betreffenden Halbleiterchips ergibt.
摘要翻译：一种双极电荷耦合双沟道半导体器件，其由形成为N面积基板（9），上覆的p区（10）和一个在门的区域分别安装在其上的稀释提供电介质层（11）与上覆栅极的电极（G1，G2 ...）相关联的连接金属化一起包括存储的第一，由少数载流子分组的比特序列的表面附近的第一导电沟道区域和用于存储在p区（10）的深区域由多数载流子分组的比特序列中的第二组的第二。两个比特序列可被分开移动，使得由于这样形成的覆盖在沿表面或沿着通道的深度同时且独立地对应的半导体芯片的先前基本上增加的存储密度的移位寄存器的结果。

2. 发明授权

EP1139452B1 Heterojunction bipolar transferred electron tetrode 有权
标题翻译：双极转移电子四极管异质结
公开(公告)号：EP1139452B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：EP01302992.1
申请日：2001-03-29
申请人： Sharp Kabushiki Kaisha
发明人： Twynam, John Kevin
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/02 , Y10S257/912

3. 发明公开

EP1139452A3 Heterojunction bipolar transferred electron tetrode 有权
标题翻译：双极转移电子四极管异质结
公开(公告)号：EP1139452A3
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：EP01302992.1
申请日：2001-03-29
申请人： Sharp Kabushiki Kaisha
发明人： Twynam, John Kevin
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/02 , Y10S257/912
摘要： A heterojunction bipolar transferred electron tetrode has an anode region (102) providing a first terminal, an active region (103) in which Gunn-Hilsum oscillations are generated, a base region (104) providing a second terminal, a cathode region (121) providing a third terminal, and a fourth terminal which is operable independently of the three terminals. The fourth terminal can take the form of a second cathode-type structure (122), a second base region or a Schottky gate electrode. The cathode region (121) and fourth terminal (122, 114) are in proximity enough to each other such that one of the cathode region and the fourth terminal is usable as an input terminal and that the other of the cathode region and the fourth terminal is usable as a terminal to which an electrical signal for disturbing an electric field profile or a current density in the active region is applied.

4. 发明公开

EP0526212A3 Method of forming isolated regions of oxide 失效
标题翻译：形成氧化物分离区的方法
公开(公告)号：EP0526212A3
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：EP92306967.8
申请日：1992-07-30
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC.
发明人： Hodges, Robert , Bryant, Frank
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/32
CPC分类号： H01L21/32 , Y10S148/015 , Y10S148/117 , Y10S257/905 , Y10S257/912 , Y10S257/914
摘要： A method is provided for forming isolated regions of oxide of an integrated circuit, and an integrated circuit formed according to the same. A pad oxide layer is formed over the integrated circuit. A nitrogen doped polysilicon layer is formed over the pad oxide layer. A thick nitride layer is then formed over the nitrogen doped polysilicon layer. An opening is formed in the nitride layer and the nitrogen doped polysilicon layer exposing a portion of the pad oxide layer. The nitrogen doped polysilicon layer is annealed encapsulating the polysilicon layer in silicon nitride. A field oxide region is then formed in the opening.

5. 发明公开

EP1139452A2 Heterojunction bipolar transferred electron tetrode 有权
标题翻译： Bipolare Elektronentransfer-Tetrode mitHeteroübergang
公开(公告)号：EP1139452A2
公开(公告)日：2001-10-04
申请号：EP01302992.1
申请日：2001-03-29
申请人： Sharp Kabushiki Kaisha
发明人： Twynam, John Kevin
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/02 , Y10S257/912
摘要： A heterojunction bipolar transferred electron tetrode has an anode region (102) providing a first terminal, an active region (103) in which Gunn-Hilsum oscillations are generated, a base region (104) providing a second terminal, a cathode region (121) providing a third terminal, and a fourth terminal which is operable independently of the three terminals. The fourth terminal can take the form of a second cathode-type structure (122), a second base region or a Schottky gate electrode. The cathode region (121) and fourth terminal (122, 114) are in proximity enough to each other such that one of the cathode region and the fourth terminal is usable as an input terminal and that the other of the cathode region and the fourth terminal is usable as a terminal to which an electrical signal for disturbing an electric field profile or a current density in the active region is applied.
摘要翻译：异质结双极转移电子四极具有提供第一端子的阳极区域（102），产生Gunn-Hilsum振荡的有源区域（103），提供第二端子的基极区域（104），阴极区域（121）提供第三终端，以及可独立于三个终端操作的第四终端。第四端子可以采取第二阴极型结构（122），第二基极区域或肖特基栅电极的形式。阴极区域（121）和第四端子（122,114）彼此接近，使得阴极区域和第四端子中的一个可用作输入端子，并且阴极区域和第四端子可用作其上施加用于干扰有源区域中的电场分布或电流密度的电信号的端子。

6. 发明授权

EP0526212B1 Method of forming isolated regions of oxide 失效
标题翻译：一种用于生产隔离区的氧化过程
公开(公告)号：EP0526212B1
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：EP92306967.8
申请日：1992-07-30
申请人： STMicroelectronics, Inc.
发明人： Hodges, Robert , Bryant, Frank
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/32
CPC分类号： H01L21/32 , Y10S148/015 , Y10S148/117 , Y10S257/905 , Y10S257/912 , Y10S257/914

7. 发明公开

EP0526212A2 Method of forming isolated regions of oxide 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung von Isolationszonen aus Oxid。
公开(公告)号：EP0526212A2
公开(公告)日：1993-02-03
申请号：EP92306967.8
申请日：1992-07-30
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC.
发明人： Hodges, Robert , Bryant, Frank
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/32
CPC分类号： H01L21/32 , Y10S148/015 , Y10S148/117 , Y10S257/905 , Y10S257/912 , Y10S257/914
摘要： A method is provided for forming isolated regions of oxide of an integrated circuit, and an integrated circuit formed according to the same. A pad oxide layer is formed over the integrated circuit. A nitrogen doped polysilicon layer is formed over the pad oxide layer. A thick nitride layer is then formed over the nitrogen doped polysilicon layer. An opening is formed in the nitride layer and the nitrogen doped polysilicon layer exposing a portion of the pad oxide layer. The nitrogen doped polysilicon layer is annealed encapsulating the polysilicon layer in silicon nitride. A field oxide region is then formed in the opening.
摘要翻译：提供一种用于形成集成电路的隔离氧化物区域的方法，以及根据该集成电路形成的集成电路。在集成电路上形成衬垫氧化物层。在衬垫氧化物层上形成氮掺杂多晶硅层。然后在氮掺杂多晶硅层上形成厚的氮化物层。在氮化物层和氮掺杂多晶硅层中形成一个开口，暴露一部分焊盘氧化物层。氮掺杂多晶硅层退火，将多晶硅层封装在氮化硅中。然后在开口中形成场氧化物区域。

8. 发明授权

EP0006465B1 Ladungsgekoppeltes Zwei-Kanal-Halbleiterbauelement 失效
标题翻译：双通道充电耦合半导体器件
公开(公告)号：EP0006465B1
公开(公告)日：1981-09-30
申请号：EP79101691.8
申请日：1979-06-01
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Jambotkar, Chakrapani Gajanan
IPC分类号： H01L29/78 , G11C19/28
CPC分类号： H01L29/1062 , Y10S257/912

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