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1. 发明公开

EP3176948A4 ELASTIC WAVE ELEMENT, FILTER ELEMENT, AND COMMUNICATION DEVICE 有权转让
公开(公告)号：EP3176948A4
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：EP15827302
申请日：2015-07-30
申请人： KYOCERA CORP
发明人： KISHINO TETSUYA
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/02 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/64 , H03H9/02685 , H03H9/02866 , H03H9/14582 , H03H9/6483
摘要： Provided are an acoustic wave element, a filter element and a communication device with which it is possible to improve the characteristics of a communication band. An acoustic wave element of the present invention includes a piezoelectric substrate 2, an excitation electrode 3 which is arranged on the piezoelectric substrate 2 and includes a plurality of electrode fingers 32, and two reflectors 4 arranged on the piezoelectric substrate 2, each of which includes a plurality of reflection electrode fingers 42, which sandwich the excitation electrode 3 therebetween in the propagation direction of an acoustic wave. The excitation electrode 3 includes a main region in the center vicinity 3a of the line of the plurality of electrode fingers 32 in which the intervals between the centers of the plurality of electrode fingers 32 are uniformly a first interval. In the reflector 4, at least one of the reflection electrode fingers 42 shifts to the excitation electrode 3 side relative to virtual electrode finger positions which are repeatedly set at the first intervals from the electrode fingers 32 in the main region.

2. 发明公开

EP1983647A3 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND DUPLEXER 有权转让
标题翻译：表面声波装置和双工器
公开(公告)号：EP1983647A3
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：EP08103546.1
申请日：2008-04-15
申请人： Taiyo Yuden Co., Ltd.
发明人： TAJIMA, Motoyuki , NISHIZAWA, Toshio , IKATA, Osamu
IPC分类号： H03H9/02
CPC分类号： H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02866 , H03H9/6483
摘要： A surface acoustic wave device includes a supporting substrate (10), a LiTaO3 piezoelectric substrate (20) joined on the supporting substrate, which has a normal line direction on a main surface thereof in a direction rotated 43° to 53° from a Y axis to a Z axis direction about an X axis, and an electrode pattern formed on the piezoelectric substrate.

3. 发明公开

EP1675261A1 Surface acoustic wave device and method of manufacturing a surface acoustic wave device 有权
标题翻译： SAW Bauelement und Herstellungsmethodefürein SAW Bauelement
公开(公告)号：EP1675261A1
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：EP05027864.7
申请日：2005-12-20
申请人： SEIKO EPSON CORPORATION
发明人： Furuhata, Makoto, c/o Seiko Epson Corporation , Sato, Hisakatsu, c/o Seiko Epson Corporation
IPC分类号： H03H9/02
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02866 , H03H9/02976
摘要： A surface acoustic wave device including at least an IC region and a surface acoustic wave element region in a semiconductor substrate (30) and formed as a single chip, including, in the IC region, a semiconductor element layer (40) having a semiconductor element (31) and an element insulating film (33) formed to cover the semiconductor element (31) and extending to the surface acoustic wave element region, a wiring layer (41) formed by stacking, on the semiconductor element layer (40), wiring for establishing connection with the semiconductor element and a wiring insulating film (36) extending to the surface acoustic wave element region and for insulating the wiring, and a piezoelectric thin film (38) formed above the wiring insulating film, and in the surface acoustic wave element region, a surface acoustic wave element (24) formed on the piezoelectric thin film and equipped with an IDT electrode (22) provided with a plurality of electrode fingers (21), and at least one layer of layer thickness adjusting films (32,35) having linear shapes and arranged in parallel to and with the same pitch (P) as the electrode fingers (21) of the IDT electrode (22), and formed above one of the semiconductor substrate (30), the element insulating film (33), and the wiring insulating film (36), and below an area in which the surface acoustic wave element is formed.
摘要翻译：一种在半导体衬底（30）中至少包括IC区域和表面声波元件区域的表面声波装置，其形成为在IC区域中具有半导体元件层（40）的单芯片，（31）和形成为覆盖半导体元件（31）并延伸到声表面波元件区域的元件绝缘膜（33），在半导体元件层（40）上堆叠形成的布线层（41）用于与半导体元件建立连接以及延伸到表面声波元件区域并用于绝缘布线的布线绝缘膜（36），以及形成在布线绝缘膜上方的压电薄膜（38），以及在表面声波元件区域，形成在压电薄膜上并配备有设置有多个电极指（21）的IDT电极（22）的表面声波元件（24），以及至少一层层具有直线形状并且与IDT电极（22）的电极指（21）平行并与其相同的间距（P）布置的厚度调节膜（32,35），并且形成在半导体衬底（30）之上），元件绝缘膜（33）和布线绝缘膜（36），并且在形成表面声波元件的区域的下方。

4. 发明公开

EP1672789A1 Method of manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device 审中-公开
标题翻译： Herstellungsmethodefürein SAW Bauelement und SAW Bauelement
公开(公告)号：EP1672789A1
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：EP05027768.0
申请日：2005-12-19
申请人： SEIKO EPSON CORPORATION
发明人： Yajima, Aritsugu Seiko Epson Corporation , Sato, Hisakatsu Seiko Epson Corporation , Kojima, Takashi Seiko Epson Corporation
IPC分类号： H03H9/02
CPC分类号： H03H9/02976 , H03H3/08 , H03H9/02866 , Y10T29/42
摘要： A method of manufacturing a surface acoustic wave device formed in one chip and including over a semiconductor substrate (30) at least an IC region and a surface acoustic wave element region that are horizontally disposed, the method including: forming in the IC region over the semiconductor substrate a semiconductor element layer (45) that includes a semiconductor element (31) and an insulation layer (33) covering the semiconductor element and being deposited also in the surface acoustic wave element region; forming over the semiconductor element layer a wire layer (46) that includes a plurality of wires coupled to the semiconductor element and a wire insulating film (37) deposited over the plurality of wires to provide insulation among the wires, the wire insulating film (37) being deposited also over the insulation layer (33) in the surface acoustic wave element region; forming an interlayer insulating film (38) having a flattened surface on the wire insulating film (37) in the IC region and the surface acoustic wave element region; forming a piezoelectric thin film (39) on the interlayer insulating film (38); and forming a surface acoustic wave element (40) on the piezoelectric thin film (39) in the surface acoustic wave element region.
摘要翻译：一种制造表面声波装置的方法，所述声表面波装置形成在一个芯片中，并且至少包括水平设置的IC区域和表面声波元件区域的半导体衬底（30）上，所述方法包括：半导体衬底，包括半导体元件（31）的半导体元件层（45）和覆盖半导体元件并且还沉积在表面声波元件区域中的绝缘层（33）; 在所述半导体元件层上形成包括耦合到所述半导体元件的多个导线的线层（46）和沉积在所述多根导线上以在所述导线之间提供绝缘的线绝缘膜（37），所述线绝缘膜（37 ）沉积在表面声波元件区域中的绝缘层（33）上; 在所述IC区域中的所述导线绝缘膜（37）上形成具有平坦表面的层间绝缘膜（38）和所述表面声波元件区域; 在所述层间绝缘膜（38）上形成压电薄膜（39）; 以及在表面声波元件区域中的压电薄膜（39）上形成表面声波元件（40）。

5. 发明授权

EP1337039B1 Surface acoustic wave device and communications apparatus 有权
标题翻译：表面波装置和通信装置
公开(公告)号：EP1337039B1
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：EP03290355.1
申请日：2003-02-14
申请人： Murata Manufacturing Co., Ltd.
发明人： Takamine, Yuichi Murata Manufacturing Co, Ltd. , Sawada, Yoichi Murata Manufacturing Co, Ltd.
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/008 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/0071 , H03H9/0085 , H03H9/02866 , H03H9/14582 , H03H9/14588 , H03H9/14591 , H03H9/6436 , H03H9/6469

6. 发明公开

EP0057598A2 Acoustic surface wave device 失效
标题翻译：一种表面声波装置。
公开(公告)号：EP0057598A2
公开(公告)日：1982-08-11
申请号：EP82300487.4
申请日：1982-01-29
申请人： FUJITSU LIMITED
发明人： Kawaura, Kuninori , Yamada, Sumio , Wakatsuki, Noboru , Ono, Masaaki , Tanji, Shigeo , Fujiwara, Yoshiro , Yanagisawa, Masanobu
IPC分类号： H03H9/64 , H03H9/02 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02842 , H03H9/02866
摘要： An acoustic surface wave device comprises a piezoelectric substrate (1), an input transducer (2), an output transducer (3) and acoustical absorbent layer patterns (5, 6) for absorbing undesired acoustic surface waves and bulk waves (S 4 , S 5 ). Each of the acoustical absorbent layer patterns (5, 6) has zigzag-shaped or triangular shaped edges, i.e., a recess portion (R 1 , R 3 ) and a protruding portion (R 2 , R 4 ). The recess portion has a further recess portion (R 1 ', R 3 ') which is formed obliquely with respect to the propagation path of acoustic surface waves.

7. 发明公开

EP0031685A3 Surface acoustic wave device 失效
标题翻译：表面声波设备
公开(公告)号：EP0031685A3
公开(公告)日：1981-10-07
申请号：EP80304604
申请日：1980-12-18
申请人： FUJITSU LIMITED
发明人： Iwamoto, Hisao , Wakatsuki, Noboru
IPC分类号： H03H09/145 , H03H09/64
CPC分类号： H03H9/02771 , H03H9/02842 , H03H9/02866 , H03H9/14547 , H03H9/14573
摘要： A surface acoustic wave device comprises a piezoelectric substrate, and an input transducer and an output transducer formed on the substrate. Dummy transducers are formed on the substrate and arranged to extend from the ends of the input and output transducers toward the ends of the substrate. The dummy transducers individually include electrodes spaced at the same pitch as the electrode pitch in the input and output transducers. Accordingly, there is no occurrence of reflections of the surface acoustic wave at the ends of the input and output transducers.

8. 发明授权

EP2487793B1 Procédé de réalisation d'un dispositif acoustique comprenant une structure de cristal phononique à inclusions de type conique qui contrôle la bande d'arrêt dudit dispositif 有权
标题翻译：制造声学装置，包括带锥形夹杂物调整一个带阻滤波器用于该装置的声子晶体结构的方法
公开(公告)号：EP2487793B1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：EP12153557.9
申请日：2012-02-02
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Gorisse, Marie , Reinhardt, Alexandre
IPC分类号： H03H3/007 , H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/64 , H03H9/17 , H01L21/033
CPC分类号： H03H9/02653 , H01L21/0337 , H03H3/0072 , H03H3/08 , H03H9/02118 , H03H9/02125 , H03H9/02338 , H03H9/02866 , H03H9/172 , H03H9/6409

9. 发明公开

EP2487793A1 Procédé de réalisation d'un dispositif acoustique comprenant une structure de cristal phononique à inclusions de type conique qui contrôle la bande d'arrêt dudit dispositif 有权
标题翻译：制造声学装置，包括带锥形夹杂物调整一个带阻滤波器用于该装置的声子晶体结构的方法
公开(公告)号：EP2487793A1
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：EP12153557.9
申请日：2012-02-02
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Gorisse, Marie , Reinhardt, Alexandre
IPC分类号： H03H3/007 , H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/64 , H03H9/17 , H01L21/033
CPC分类号： H03H9/02653 , H01L21/0337 , H03H3/0072 , H03H3/08 , H03H9/02118 , H03H9/02125 , H03H9/02338 , H03H9/02866 , H03H9/172 , H03H9/6409
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif acoustique comprenant une structure de cristal phononique comprenant une première série d'inclusions réalisées dans un premier milieu réparties dans une matrice constituée par un second milieu, permettant le blocage de la propagation des ondes acoustiques dans une bande de fréquences dite bande d'arrêt, caractérisé en ce qu' il comporte les étapes suivantes :
- une étape de définition des paramètres géométriques desdites inclusions, lesdites inclusions comportant des parois en contact avec ladite matrice faisant au moins un premier angle (θ) dit angle de paroi, non nul avec la normale au plan de ladite structure, lesdits paramètres géométriques comprenant ledit premier angle de paroi, ladite étape comportant :
• la détermination d'une fonction relative à l'évolution de la position en fréquence de ladite bande d'arrêt avec ledit angle de paroi et/ou la détermination d'une fonction relative à l'évolution de largeur de ladite bande d'arrêt avec ledit angle de paroi ;
• la détermination dudit au moins premier angle (θ) pour une position en fréquence et/ou une largeur de la bande d'arrêt, choisies à partir de la ou des fonctions précédemment déterminées ;

- une étape de réalisation de ladite première série d'inclusions présentant au moins ledit premier angle de paroi, dans ladite matrice constituée par ledit second milieu.
摘要翻译：该方法包括限定锥形封闭夹杂物的几何参数：如孔，二维声子晶体结构，包括由第一角度在与非均相基质接触壁：如在壁的角度，产生第一系列的夹杂物具有壁的在通过第二介质构成的基体中的第一角度，在上硅层（20）提供具有氧化硅层上的硅绝缘体上的基板的表面（10）的一个表面上沉积的树脂层的基板，以及限定在所述树脂层中蚀刻图案。该方法包括限定锥形封闭夹杂物的几何参数：如孔，二维声子晶体结构，包括由第一角度在与非均相基质接触壁：如在壁的角度，产生第一系列的夹杂物具有壁的在通过第二介质构成的基体中的第一角度，在上硅层（20）提供具有氧化硅层上的硅绝缘体上的基板的表面（10）的一个表面上沉积的树脂层底物， - 定义在树脂层中蚀刻图案，匍匐树脂层以定向蚀刻图案，通过在树脂层中取向的图案上硅层上执行在蚀刻术以便限定具有壁的角锥形孔，去除树脂层包括蚀刻的图案，并产生一个布拉格反射镜结构支撑的二维声子晶体结构。的夹杂物中的第一介质形成并分布在由所述第二介质用于在频率阻挡声波的传播构成的基质带审查作为阻带。所述参数包括第一几何角壁。所述定义步骤包括：确定开采于频率的频率位置改变有关的功能的带检查与壁和/或确定性采矿相关于与壁的角度的带的宽度变化的函数的角度的阻带; 和确定性开采的频率位置和/或带的从所述确定性函数开采的宽度，所述第一角度。该功能是通过三维模拟手术进行的确定性挖掘的步骤并通过最终的元素和/或经验测量来执行。产生第一系列夹杂物的步骤包括沉积在基片上由氮化铝构成的材料层，从而产生在材料层上的树脂掩模，进行反应性离子蚀刻操作在所述材料层，以限定具有壁的角锥形孔，并除去树脂掩模。被设置在基片具有一个氧化硅层的表面上的上硅层。该内含物具有圆形，正方形，六边形或三角形的几何形状，被设置雅丁到通过接收一个六边形的基本网状物或正方形或三角形蜂窝获得周期性布置，扩大最大的阻带中，通过重叠和/或并置的材料形成，并且填充与材料。所述基质包括层的叠层。

10. 发明授权

EP2372910B1 Surface acoustic wave apparatus and communications unit 有权
标题翻译：一种声表面波装置和通信系统
公开(公告)号：EP2372910B1
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：EP11171428.3
申请日：2002-03-12
申请人： Murata Manufacturing Co. Ltd.
发明人： Sawada, Yoichi , Takasaki, Hiroshi
IPC分类号： H03H9/64 , H03H9/00 , H03H9/25 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/0071 , H03H9/0085 , H03H9/02866

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