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1. 发明授权

EP4016316B1 WRITE DISTURB REFRESH RATE REDUCTION USING WRITE HISTORY BUFFER 有权
公开(公告)号：EP4016316B1
公开(公告)日：2024-10-23
申请号：EP21198633.6
申请日：2021-09-23
IPC分类号： G06F13/16 , G11C7/10 , G11C13/00 , G11C16/34
CPC分类号： G11C2207/224520130101 , G11C7/1087 , G11C16/3495 , G11C13/0033 , G11C16/3418 , G11C13/0069 , G11C13/004 , G11C13/003 , G11C2213/7720130101 , G11C2213/7320130101 , G06F13/1673

2. 发明授权

EP3533059B1 INTELLIGENT REFRESH OF 3D NAND MEMORY 有权
公开(公告)号：EP3533059B1
公开(公告)日：2024-05-22
申请号：EP17825330.8
申请日：2017-12-08
IPC分类号： G11C16/34 , G06F3/06
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3495 , G06F11/108 , G06F3/0688 , G06F3/0659 , G06F3/0617

3. 发明授权

EP2308052B1 METHOD OF STORING DATA ON A FLASH MEMORY DEVICE 有权
公开(公告)号：EP2308052B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：EP09763224.4
申请日：2009-05-22
申请人： Micron Technology, Inc.
发明人： HAN, Jin-Man
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/10 , G11C8/08 , G11C16/3495 , G11C2216/14
摘要： Methods and apparatus are disclosed, such as those involving a flash memory device. One such method includes storing data on memory cells on a memory block including a plurality of word lines and a plurality of memory cells on the word lines. The word lines comprising one or more bottom edge word lines, one or more top edge word lines, and intermediate word lines between the bottom and top edge word lines. The data is stored first on memory cells on the intermediate word lines. Then, a remaining portion, if any, of the data is stored on memory cells on the bottom edge word lines and/or the top edge word lines. This method enhances the life of the flash memory by preventing a premature failure of memory cells on the bottom or top edge word lines, which can be more prone to failure.

4. 发明授权

EP2747085B1 Verfahren zum Betreiben eines Sicherheitselements sowie ein solches Sicherheitselement 有权转让
公开(公告)号：EP2747085B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：EP13005847.2
申请日：2013-12-16
申请人： Giesecke & Devrient GmbH
发明人： Mathé, Werner
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3495

5. 发明公开

EP2981966A4 SYSTEMS AND METHODS OF WRITE PRECOMPENSATION TO EXTEND LIFE OF A SOLID-STATE MEMORY 审中-公开
标题翻译： FOR SCHREIBVORKOMPENSIERUNG的系统和方法延长固态存储器的寿命
公开(公告)号：EP2981966A4
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：EP14779129
申请日：2014-04-01
申请人： WESTERN DIGITAL TECH INC
发明人： STOEV KROUM S , LI HAIBO , ZHAO DENGTAO , SUN YONGKE
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/3495 , G11C2211/5621

6. 发明授权

EP2021852B1 SYSTEMS AND METHODS FOR MEASURING THE USEFUL LIFE OF SOLID-STATE STORAGE DEVICES 有权转让
标题翻译：系统和估算方法固态存储设备的使用寿命
公开(公告)号：EP2021852B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：EP07762018.5
申请日：2007-05-08
申请人： Western Digital Technologies, Inc.
发明人： MERRY, David, E., Jr. , DIGGS, Mark, S. , DROSSEL, Gary, A.
IPC分类号： G02B6/44 , G06F12/02 , G11C16/34 , G06F11/10
CPC分类号： G11C16/349 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C16/3495

7. 发明授权

EP2396791B1 APPARATUS AND METHOD FOR ENHANCING FLASH ENDURANCE BY ENCODING DATA 有权
标题翻译：装置和一种改善的耐击穿行为的一对数据进行编码
公开(公告)号：EP2396791B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：EP10704423.2
申请日：2010-02-11
申请人： Ramot at Tel-Aviv University Ltd.
发明人： SHARON, Eran , LITSYN, Simon , ALROD, Idan
IPC分类号： G11C16/34 , G11C11/56
CPC分类号： G06F12/0246 , G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2211/5647

8. 发明授权

EP2024839B1 NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM WITH END OF LIFE CALCULATION 有权
标题翻译：随着生活计算非易失性存储器系统
公开(公告)号：EP2024839B1
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：EP07783548.6
申请日：2007-05-09
申请人： SanDisk Technologies Inc.
发明人： GOROBETS, Sergey Anatolievich , CONLEY, Kevin M.
IPC分类号： G06F12/02 , G06F11/10 , G11C16/34
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F11/1068 , G06F11/1076 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495

9. 发明公开

EP2467855A4 IN-SITU MEMORY ANNEALING 审中-公开
标题翻译： VORORT-SPEICHERAUFGLÜHUNG
公开(公告)号：EP2467855A4
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：EP10810328
申请日：2010-06-29
申请人： RAMBUS INC
发明人： SHAEFFER IAN
IPC分类号： G11C16/34 , H01L21/8239 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/3495 , G06F12/1009 , G06F2212/1024 , H01L27/1052 , H01L27/11517 , H01L27/11563
摘要： In a system having a memory device, an event is detected during system operation. The memory device is heated to reverse use-incurred degradation of the memory device in response to detecting the event. Tn another system, the memory device is heated to reverse use incurred, degradation concurrently with execution of a data access operation within another memory device of the system. In another system having a memory controller coupled to first and second memory devices, data is evacuated from the first memory device to the second memory device in response to determining that a maintenance operation is needed within the first memory device.
摘要翻译：在具有存储设备的系统中，在系统操作期间检测到事件。响应于检测到事件，存储器件被加热以反转使用引起的存储器件的劣化。在另一系统中，存储器装置被加热以反向使用，与在系统的另一存储器装置内执行数据存取操作同时发生劣化。在具有耦合到第一和第二存储器装置的存储器控制器的另一系统中，响应于确定在第一存储器装置内需要维护操作，将数据从第一存储器装置撤出到第二存储器装置。

10. 发明授权

EP1922623B1 FRONT MEMORY STORAGE SYSTEM AND METHOD 有权转让
标题翻译：存储器的系统和方法前STORE
公开(公告)号：EP1922623B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：EP06796075.7
申请日：2006-09-07
申请人： SanDisk IL Ltd
发明人： LASSER, Menachem , MURIN, Mark , EYAL, Arik
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02 , G11C11/56 , G11C16/34
CPC分类号： G11C11/5621 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G06F2212/2022 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2211/5641

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