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    • 5. 发明公开
    • Verfahren zur Aufbringung einer Diamantschicht auf ein Graphitsubstrat
    • EP2077344A1
    • 2009-07-08
    • EP07024950.3
    • 2007-12-21
    • CONDIAS GMBH
    • Fryda, MatthiasMatthée, ThorstenMulcahy, Shane
    • C30B25/02C30B29/04C23C16/02C23C16/27C04B41/91
    • C23C16/0218C04B41/009C04B41/52C04B41/89C23C16/0236C23C16/27C30B25/02C30B25/18C30B29/04C04B41/5346C04B41/4539C04B41/5002C04B41/4531C04B35/522
    • Eine Diamantschicht lässt sich stabil auf ein Graphitsubstrat in einem CVD-Prozess aufbringen, wenn das Graphitsubstrat vor dem CVD-Prozess folgenden Vorbehandlungsschritten unterworfen wird:
      - Feinreinigung der Oberfläche im Vakuum bei einer Temperatur > 500°C, vorzugsweise > 800°C, in einer Ätzgasatmosphäre,
      - mechanisches Entfernen loser Partikel,
      - Bekeimung der Substratoberfläche mit kleinsten Diamantpartikeln und
      - wenigstens eine Ausgasungsbehandlung im Vakuum zum Entfernen absorbierter Kohlenwasserstoffe und adsorbierter Luft bei einer Temperatur T > 500°C, vorzugsweise T > 700°C.
    • 通过化学气相沉积(CVD)工艺将金刚石层施加到石墨基板上,包括在CVD工艺之前对石墨基板进行预处理步骤。 预处理涉及在500℃(优选大于800℃)真空中在蚀刻气体气氛中精细清洁表面,机械去除松散颗粒,用非常小的金刚石颗粒接种基材表面,并且至少 在真空中进行一次脱气处理以除去吸附的烃和吸附的空气。 通过化学气相沉积(CVD)工艺将金刚石层施加到石墨基板上,包括在CVD工艺之前对石墨基板进行预处理步骤。 该预处理涉及在真空中在大于500℃(优选大于800℃)的温度下在蚀刻气体气氛中对表面进行精细清洗,机械去除松散颗粒,用非常小的金刚石接种基材表面 颗粒和在真空中进行至少一次脱气处理以在大于500℃(优选大于700℃)℃的温度下除去吸附的烃和吸附的空气。精细清洗过程在设定的氢气气氛中进行 气压小于10毫巴。 用金刚石颗粒悬浮液进行基材表面的接种。 随后通过加热石墨基质去除悬浮介质。 脱气处理发生在CVD过程之前。 CVD法是用氢气中的甲烷0.5-3(优选2%)的气体组成进行的。 该方法之前是粗略清洁步骤。 粗洗步骤用有机溶剂进行。 在该方法中,随后进行解吸步骤以在大于150℃的升高的温度下除去溶剂。