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1. 发明公开

EP1460036A4 MEMS ELEMENT MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译： MEMS元法
公开(公告)号：EP1460036A4
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：EP02805883
申请日：2002-12-16
申请人： SONY CORP
发明人： IKEDA KOICHI , KINOSHITA TAKASHI
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , H01L21/00
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/042 , B81B2203/0118 , B81C2201/0109 , B81C2201/0119 , B81C2201/0125
摘要： A method for manufacturing an MEMS element for flattening a drive side electrode surface, reducing irregularities of beam shape, improving performance, and improving performance uniformity. The method includes a step of forming a substrate side electrode on a substrate, a step of forming a fluid film before or after formation of a sacrificial layer, a step of forming a beam having a drive side electrode on a flattened surface, and a step of removing the sacrificial layer.

2. 发明公开

EP1572578A2 PROCEDE DE REALISATION D UNE MICRO-STRUCTURE SUSPENDUE PLANE , UTILISANT UNE COUCHE SACRIFICIELLE EN MATERIAU POLYMERE ET COMPOSANT OBTENU 审中-公开
标题翻译：用于生产微型机械部件采用聚合物层，通过这种方法生产的部件
公开(公告)号：EP1572578A2
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：EP03799623.8
申请日：2003-12-18
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： ROBERT, Philippe , MICHEL, France , MAEDER-PACHURKA, Catherine , SILLON, Nicolas
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00611 , B81C2201/0108 , B81C2201/0125 , H01L2924/01082
摘要： The invention concerns a method which consists in successively depositing a polymeric sacrificial layer (2), depositing, on at least part of the substrate (1) and the front surface of the sacrificial layer (2), an embedding layer (6), with a thickness greater than that of the sacrificial layer (2) and performing planarization such that the front surfaces of the sacrificial layer (2) and of the embedding layer (6) form a common planar surface. A forming layer (3) of a suspended structure (5) is deposited on the front face of the common planar surface. The planarization can include chemical mechanical polishing and etching the embedding layer (6). Etching the sacrificial layer (2) can be performed by means of a mask, formed on the front surface of a polymer material layer, removed during the planarization step.

3. 发明授权

EP2631939B1 METHOD FOR MANUFACTURING MEMS DEVICE 有权
标题翻译：一种用于生产MEMS器件
公开(公告)号：EP2631939B1
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：EP11852932.0
申请日：2011-05-19
申请人： Lexvu Opto Microelectronics Technology (Shanghai) Ltd
发明人： MAO, Jianhong , TANG, Deming
IPC分类号： H01L21/822 , B81B7/00
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B2203/0118 , B81B2207/07 , B81C1/00293 , B81C2201/0109 , B81C2201/0125 , B81C2203/0145 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , H03H3/0072

4. 发明公开

EP2631939A1 METHOD FOR MANUFACTURING MEMS DEVICE 有权
标题翻译： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEMS-VORRICHTUNG
公开(公告)号：EP2631939A1
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：EP11852932.0
申请日：2011-05-19
申请人： Lexvu Opto Microelectronics Technology (Shanghai)
发明人： MAO, Jianhong , TANG, Deming
IPC分类号： H01L21/822 , B81B7/00
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B2203/0118 , B81B2207/07 , B81C1/00293 , B81C2201/0109 , B81C2201/0125 , B81C2203/0145 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , H03H3/0072
摘要： A method for manufacturing a micro-electro-mechanical system (MEMS) device is provided. The method comprises: providing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate having a metal interconnection structure (100) formed therein (S101); forming a first sacrificial layer (201) on the surface of the semiconductor substrate, the material of the first sacrificial layer is amorphous carbon (S102); etching the first sacrificial layer to form a first recess (301) (S103); covering and forming a first dielectric layer (401) on the surface of the first sacrificial layer (S104); thinning the first dielectric layer by a chemical mechanical polishing (CMP) process, until exposing the first sacrificial layer (S105); forming a micromechanical structure layer (500) on the surface of the first sacrificial layer and exposing the first sacrificial layer (S106), wherein a part of the micromechanical structure layer is connected to the first dielectric layer. The method avoids polishing the amorphous carbon, shortens the period of production, and improves the production efficiency.
摘要翻译：提供了一种用于制造微机电系统（MEMS）装置的方法。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有形成在其中的金属互连结构（100）（S101）; 在所述半导体衬底的表面上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材料为无定形碳（S102）; 蚀刻第一牺牲层以形成第一凹部（301）（S103）; 覆盖并形成在第一牺牲层的表面上的第一介电层（S104）; 通过化学机械抛光（CMP）工艺使第一介电层变薄，直到暴露第一牺牲层（S105）为止; 在所述第一牺牲层的表面上形成微机械结构层（500）并暴露所述第一牺牲层（S106），其中所述微机械结构层的一部分连接到所述第一介电层。该方法避免抛光无定形碳，缩短生产周期，提高生产效率。

5. 发明公开

EP2631939A4 METHOD FOR MANUFACTURING MEMS DEVICE 有权
标题翻译：一种用于生产MEMS器件
公开(公告)号：EP2631939A4
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：EP11852932
申请日：2011-05-19
申请人： LEXVU OPTO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY SHANGHAI
发明人： MAO JIANHONG , TANG DEMING
IPC分类号： H01L21/822 , B81B7/00
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B2203/0118 , B81B2207/07 , B81C1/00293 , B81C2201/0109 , B81C2201/0125 , B81C2203/0145 , G01P15/0802 , G01P2015/0828 , H03H3/0072

6. 发明公开

EP2697160A2 A METHOD FOR MICROFABRICATION OF A CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER COMPRISING A DIAMOND MEMBRANE AND A TRANSDUCER THEREOF 有权
标题翻译：方法制造一个微电容式微装配式超声波换能器使用金刚石膜而在此过程MADE转炉
公开(公告)号：EP2697160A2
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：EP12731195.9
申请日：2012-04-10
申请人： Bayram, Baris
发明人： Bayram, Baris
IPC分类号： B81C1/00 , B06B1/02
CPC分类号： B81C1/00158 , B06B1/0292 , B81B2201/0292 , B81C2201/0125 , Y10T29/49005
摘要： This invention relates generally to capacitive micromachined ultrasonic transducers (CMUTs), particularly to those comprising diamond or diamond like carbon membranes and a method of microfabrication of such CMUTs, wherein the membrane of diamond or diamond like carbon is attached to the substrate by plasma-activated direct bonding of an interlayer of high temperature oxide (HTO).

7. 发明公开

EP2219215A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：EP2219215A1
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：EP08864653.4
申请日：2008-12-12
申请人： Fujikura, Ltd.
发明人： YAMAMOTO, Satoshi , HASHIMOTO, Hirokazu
IPC分类号： H01L23/02 , H01L27/14 , H01L29/84 , B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00317 , B81C2201/0104 , B81C2201/0108 , B81C2201/0125 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes: a bonding step of bonding a first substrate with optical transparency and a second substrate having a surface on which a functional element is provided to each other such that the functional element faces the first substrate; a thinning step of thinning at least one of the first and second substrates; and a through-hole forming step of forming a cavity and a through-hole communicated with the cavity in at least part of a bonding portion between the first and second substrates. According to the present invention, it is possible to prevent irregularities or cracks caused by the presence or absence of the cavity and more regularly thin the substrate. In addition, it is possible to manufacture a semiconductor device capable of contributing to the miniaturization of devices and electronic equipment having the devices, using a more convenient process.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：键合步骤，将具有光学透明性的第一基板和具有其上设置有功能元件的表面的第二基板彼此键合，使得功能元件面向第一基板; 减薄第一和第二基板中的至少一个的减薄步骤; 以及通孔形成步骤，在第一和第二基板之间的接合部分的至少一部分中形成腔体和与腔体连通的通孔。根据本发明，可以防止由空腔的存在或不存在引起的不规则或裂缝，并且更规则地使基板变薄。此外，可以使用更便利的工艺来制造能够有助于装置和具有该装置的电子设备的小型化的半导体装置。

8. 发明授权

EP2697160B1 A METHOD FOR MICROFABRICATION OF A CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER COMPRISING A DIAMOND MEMBRANE AND A TRANSDUCER THEREOF 有权
标题翻译：方法制造一个微电容式微装配式超声波换能器使用金刚石膜而在此过程MADE转炉
公开(公告)号：EP2697160B1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：EP12731195.9
申请日：2012-04-10
申请人： Bayram, Baris
发明人： Bayram, Baris
IPC分类号： B81C1/00 , B06B1/02
CPC分类号： B81C1/00158 , B06B1/0292 , B81B2201/0292 , B81C2201/0125 , Y10T29/49005

9. 发明公开

EP2219215A4 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：EP2219215A4
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：EP08864653
申请日：2008-12-12
申请人： FUJIKURA LTD
发明人： YAMAMOTO SATOSHI , HASHIMOTO HIROKAZU
IPC分类号： H01L23/02 , B81C1/00 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00317 , B81C2201/0104 , B81C2201/0108 , B81C2201/0125 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明公开

EP1736434A3 Procédé de fabrication d'objets sub-micrométriques suspendus et application à la caractérisation mécanique desdits objets 审中-公开
标题翻译：悬浮亚微米装置的制造方法和装置的机械特性
公开(公告)号：EP1736434A3
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：EP06114984.5
申请日：2006-06-06
申请人： Altis Semiconductor
发明人： Vekeman, Pierre , Lefevre, Sidonie , Hoc, Thierry , Deconinck, Pascal
IPC分类号： B81B3/00 , H01L21/308
CPC分类号： B81C1/00611 , B81C1/00142 , B81C2201/0125
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'objets sub-micrométriques comportant les étapes suivantes :
- dépôt d'une couche d'évidement (24) sur un support (20),
- dépôt d'une couche de transfert (26) sur ladite couche d'évidement (24),
- réalisation desdits objets (38) dans ladite couche de transfert,
- réalisation d'un masque dur (40, 42) sur une partie de ladite couche de transfert (26) afin de délimiter une zone (44) comprenant une partie desdits objets, et
- gravure de l'ensemble formé par ledit masque dur, la couche de transfert et la couche d'évidement de façon à éliminer ledit masque dur (40, 42) et la partie de la couche de transfert (26) située dans ladite zone (44), et à évider la partie de la couche d'évidement située sous ladite zone de sorte que lesdits objets soient suspendus,

la vitesse d'attaque de gravure de ladite couche d'évidement étant supérieure à la vitesse d'attaque de gravure de la couche de transfert et du masque dur. Application à la caractérisation, notamment mécanique, d'objets sub - micrométriques et des matériaux les constituant.

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