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1. 发明授权

EP2110954B1 Sendeschaltung, Verfahren zum Senden und Verwendung 有权转让
标题翻译：发送电路，用于发送和使用方法
公开(公告)号：EP2110954B1
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：EP09004816.6
申请日：2009-04-01
申请人： Atmel Automotive GmbH
发明人： Ferchland, Tilo, Dipl.-Ing. , Beyer, Sascha, Dipl.-Ing. , Kluge, Wolfram, Dr.-Ing.
IPC分类号： H03F3/24 , H03F3/72
CPC分类号： H03F3/245 , H03F3/19 , H03F3/72 , H03F2200/321 , H03F2200/366 , H03F2203/7231 , H03F2203/7236 , H04B1/04

2. 发明授权

EP2194441B1 Schaltung, Verfahren zum Betrieb einer Schaltung 有权转让
标题翻译：电路，程序运行电路
公开(公告)号：EP2194441B1
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：EP09007682.9
申请日：2009-06-10
申请人： Atmel Automotive GmbH
发明人： Dathe, Lutz , Hanusch, Thomas , Drescher, Henry
IPC分类号： G06F1/26 , G06F1/32
CPC分类号： G06F1/26 , G06F1/266 , G06F1/3287 , Y10T307/461 , Y10T307/484

3. 发明公开

EP2194441A1 Schaltung, Verfahren zum Betrieb einer Schaltung und Verwendung 有权转让
标题翻译： Schaltung，Verfahren zum Betrieb einer Schaltung
公开(公告)号：EP2194441A1
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：EP09007682.9
申请日：2009-06-10
申请人： Atmel Automotive GmbH
发明人： Dathe, Lutz , Hanusch, Thomas , Drescher, Henry
IPC分类号： G06F1/26 , G06F1/32
CPC分类号： G06F1/26 , G06F1/266 , G06F1/3287 , Y10T307/461 , Y10T307/484
摘要： Schaltung, Verfahren zum Betrieb einer Schaltung und Verwendung,
- mit einem Spannungsregler (400), der einen Reglerausgang (402) zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung (VDD) aufweist, der zur Versorgung mit zumindest einer ersten digitalen Teilschaltung (1) über ein erstes Schaltmittel (100) und einer zweiten digitalen Teilschaltung (2) über ein zweites Schaltmittel (200) verbindbar ist,
- bei der der Spannungsregler (400) zur Ausgabe eines von der Versorgungsspannung (VDD) abhängigen ersten Statussignals (OK1) ausgebildet und zum Einschalten des ersten Schaltmittels (100) mittels des ersten Statussignals (OK1) mit einem ersten Steuereingang (101) des ersten Schaltmittels (100) verbunden ist,
- bei der das erste Schaltmittel (100) zur Ausgabe eines von seinem Schaltzustand abhängigen zweiten Statussignals (OK2) ausgebildet und zum Einschalten des zweiten Schaltmittels (200) mittels des zweiten Statussignals (OK2) mit einem zweiten Steuereingang (201) des zweiten Schaltmittels (200) verbunden ist.
摘要翻译：电路具有电压调节器（400），其具有用于提供电源电压（VDD）的调节器输出（402）。电压调节器用于根据电源电压释放状态信号（OK1）。电压调节器与开关单元（100）的控制输入（101）连接，用于通过状态信号接通开关单元。包括用于操作电路的方法的独立权利要求。

4. 发明公开

EP1556891A4 A METHOD OF FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：法形成浅坟隔震结构半导体部件的
公开(公告)号：EP1556891A4
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：EP03749561
申请日：2003-09-09
申请人： ATMEL CORP
发明人： BARRY TIMOTHY M , DEGORS NICOLAS , ERICKSON DONALD A , KELKAR AMIT S , LARSEN BRADLEY J
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/302 , H01L21/308 , H01L21/461 , H01L21/762 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/3081 , H01L21/76235

5. 发明公开

EP2139109A1 Verfahren zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder 有权转让
标题翻译：发电机应急器
公开(公告)号：EP2139109A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：EP09009622.3
申请日：2007-02-09
申请人： Atmel Automotive GmbH
发明人： Berhorst, Martin, Dipl.-Ing. , Schneider, Peter, Dipl.-Phys. , Kurz, Alexander, Dipl.-Ing. (FH)
IPC分类号： H03G11/02 , H04B5/02 , G06K19/07 , H03G11/00
CPC分类号： H03G11/02 , G06K19/0701 , G06K19/0715 , G06K19/07749
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder mit einem Schwingkreis (19), der wenigstens eine Induktivität (12), eine Kapazität (13), ein Sperrschichtbauteil (27, 35) mit einem Eingang, Ausgang und Steuereingang, einen ersten Schwingkreisanschluss (25), der mit dem Eingang des Sperrschichtbauelements (27, 35) und einen zweiten Schwingkreisanschluss (26), der mit dem Ausgang des Sperrschichtbauelements (27, 35) verbunden ist, umfasst, wobei eine Verbindung des Steuereingangs des Sperrschichtbauteils (27, 35) mit dem ersten Schwingkreisanschluss (25) und mit dem zweiten Schwingkreisanschluss (26) besteht. Weiterhin wird ein Verfahren zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder vorgestellt, bei dem zur Spannungsbegrenzung im Sende- und Empfangsschwingkreis (10) der Steueranschluss des Sperrschichtbauelements (27, 35) mittels der Spannung des ersten (25) und zweiten (26) Schwingkreisanschlusses angesteuert wird.
摘要翻译：该方法包括提供具有输入，输出和控制输入的可控制阻挡元件（P1）。元件的输入与谐振电路端子（25）连接。元件的输出与谐振电路端子（26）连接。交流电压由基站在终端之间的发射机和接收机谐振电路中感应出来。在发射机和接收机谐振电路中感应的交流电压被限制为电压值，其中元件的控制输入通过开关与电压源连接（S1）。还包括用于限制应答器中的电压的电路的独立权利要求。

6. 发明公开

EP1872145A4 BROWN OUT DETECTION CIRCUIT AND METHOD 审中-公开
标题翻译：欠压检测电路和方法
公开(公告)号：EP1872145A4
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：EP06749908
申请日：2006-04-11
申请人： ATMEL CORP
发明人： SAETHER TERJE
IPC分类号： H03K17/22 , G06F1/24 , G11C5/14 , G11C16/30 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C5/143 , G11C16/04 , G11C16/30 , G11C29/50 , G11C29/50004 , H03K17/223
摘要： A brown out detection circuit includes a sense amplifier (100) for sensing a current level exhibited by a flash cell. Combinatorial logic (126) is coupled to the sense amplifier (100) for identifying a program condition of the flash cell based on the sensed current level, including a brown out condition, in order to provide a warning (206) to avoid potential malfunction from a brown out condition.

7. 发明公开

EP1652217A4 METHOD AND APPARATUS FOR SCRAMBLING CELL CONTENT IN AN INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：方法和设备的扰格内的内容在集成电路
公开(公告)号：EP1652217A4
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：EP04777926
申请日：2004-07-08
申请人： ATMEL CORP
发明人： VERGNES ALAIN
IPC分类号： H01L21/00 , G01R31/3185 , G06F21/79 , H04L9/18
CPC分类号： G06F21/79 , G01R31/318555 , G01R31/318572 , H04L25/03866
摘要： The invention provides a system for scrambling data in a sequential cell. The sequential cell is configured to receive the data from a data bus. A scrambling unit is coupled to the sequential cell and the data bus. The scrambling unit is configured to receive a scrambling unit input from the data bus and produce a scrambling unit output that differs from the scrambling unit input. The scrambling unit output is transmitted to the sequential cell. A descrambling unit is coupled to the sequential cell and is configured to receive a descrambling unit input from the sequential cell and produce a descrambling unit output that differs from the descrambling unit input. The descrambling unit output is equal to the scrambling unit input.

8. 发明公开

EP1687844A4 METHOD OF FORMING A LOW VOLTAGE GATE OXIDE LAYER AND TUNNEL OXIDE LAYER IN AN EEPROM CELL 审中-公开
标题翻译：方法中在EEPROM单元中的低电压和栅极氧化物隧道
公开(公告)号：EP1687844A4
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：EP04817831
申请日：2004-11-16
申请人： ATMEL CORP
发明人： RENNINGER ALAN L , SHEN JAMES J
IPC分类号： H01L27/115 , H01L20060101 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11546 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11558
摘要： A method of fabricating a non-volatile memory embedded logic circuit (Figs. 2A-2C) having a low voltage logic gate layer (92 beneath 94; 56) and tunnel oxide layer (92 beneath 86; 58) is described. Both the low voltage logic gate oxide and the tunnel oxide layers are formed in a single step (Figs. 3A (vi) and 3B (vi), thereby reducing the number of overall processing steps needed to form the devices.

9. 发明公开

EP1839378A4 METHOD AND TOPOLOGY TO SWITCH AN OUTPUT STAGE IN A CLASS AB AUDIO AMPLIFIER FOR WIRELESS APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：方法和拓扑切换的初始阶段AB类音频放大器适用于无线应用
公开(公告)号：EP1839378A4
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：EP05854097
申请日：2005-12-15
申请人： ATMEL CORP
发明人： GUILBERT PASCAL
IPC分类号： H02B1/00 , H03F99/00
CPC分类号： H03F3/68 , H03F3/181 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/03 , H03F2203/45534 , H03F2203/7215
摘要： A circuit (100) and method of switching an output of a single preamplifier (110) to or from multiple amplifier output stages (150, 151). The preamplifier output is switched between multiple audio amplifier output stages without degrading the performance of the output signal. A switching circuit (210-213, 220-223) selectively couples the preamplifier output to an amplifier output stage and also couples (160, 161) a feedback loop (122, 123) between the selected amplifier output stage and the preamplifier stage.

10. 发明公开

EP1905042A4 MEMORY ARCHITECTURE WITH ADVANCED MAIN-BITLINE PARTITIONING CIRCUITRY FOR ENHANCED ERASE/PROGRAM/VERIFY OPERATIONS 审中-公开
标题翻译：借助扩展的主位线PARTITIONING电路，用于高级擦除存储器架构/程序/验证操作
公开(公告)号：EP1905042A4
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：EP06784817
申请日：2006-06-13
申请人： ATMEL CORP
发明人： HONG STANLEY , WANG JAMI , CHEN ALAN
IPC分类号： G11C8/00
CPC分类号： G11C16/24 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C2207/002
摘要： The present invention provides a solution for long master bit lines (180a-180c) in a large capacity memory device (100) . A master bit line is partitioned by at least one switching transistor (181a-181i) placed on the master bit line.

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