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1. 发明公开

EP1990878A1 Laser semi-conducteur à contre-réaction répartie forte 有权
标题翻译： Halbleiterlaser mit starker，verteilterRückkopplung
公开(公告)号：EP1990878A1
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：EP08155839.7
申请日：2008-05-07
申请人： THALES
发明人： Carras, Mathieu , De Rossi, Alfredo
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1228
摘要： La présente invention concerne un laser semi-conducteur à contre-réaction répartie forte. Plus précisément, l'invention met en oeuvre un guide optique supérieur (2) pour laser semi-conducteur possédant un réseau métallique de surface (5) permettant d'obtenir une contre-réaction répartie stable et maîtrisée, selon une technologie simple et robuste.
Dans le laser selon l'invention, qui comporte une zone active (1) présentant un indice de réfraction effectif (neff) dans laquelle se propage une onde lumineuse présentant une longueur d'onde (À), le guide supérieur (2) est constitué d'un matériau faiblement dopé et le réseau périodique (5) présente des créneaux dont la profondeur (p) vaut λ 4 × neff plus ou moins cinquante pourcents, la faible précision nécessaire étant un des avantages du laser selon l'invention.
摘要翻译：激光器具有确保机械支撑的基板以及呈现本征和有效的折射指数的有源区域（即层叠），其中传播具有波长的光波（4）。上引导件（2）具有固有折射率，并且周期性网络（5）部分地覆盖金属结构（7），其中网络具有周期和深度。下指导具有固有折射率。网络的深度具有特定的值，即0.5微米，以便引入该区域的有效索引调制以获得反向反馈。

2. 发明授权

EP2315019B1 DÉTECTEUR DE GAZ PHOTOACOUSTIQUE 有权
公开(公告)号：EP2315019B1
公开(公告)日：2019-11-06
申请号：EP10188403.9
申请日：2010-10-21
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Thales
发明人： Nicoletti, Sergio , Andreucci, Philippe , Brun, Mickaël , Gidon, Serge , Marcadet, Xavier , Carras, Mathieu
IPC分类号： G01N29/24 , G01N21/17

3. 发明授权

EP1990877B1 Lasers semi-conducteur monomodes à contre-réaction répartie 有权
标题翻译：单模半导体激光器与分布反馈
公开(公告)号：EP1990877B1
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：EP08155834.8
申请日：2008-05-07
申请人： THALES
发明人： Carras, Mathieu , De Rossi, Alfredo
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/0654 , H01S5/1218 , H01S5/1231

4. 发明公开

EP2141779A1 Dispositif de type détecteur à cascades quantiques à injecteur haut 审中-公开
标题翻译： Vorrichtung vom Typ Quantenkaskadendetektor mit Hochinjektor
公开(公告)号：EP2141779A1
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：EP09164499.7
申请日：2009-07-03
申请人： Thales
发明人： Carras, Mathieu
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/09
摘要： L'invention concerne un dispositif à cascades quantiques de type détecteur comportant deux électrodes pour appliquer un champ électrique de commande, et un guide d'ondes disposé entre les deux électrodes, ledit dispositif comprenant une région de gain formée de plusieurs couches et comprenant une alternance de strates d'un premier type définissant chacune une barrière quantique et de strates d'un second type définissant chacune un puits quantique, chaque couche de la région à gain comportant une barrière d'injection présentant une sous-bande d'injection de porteurs de charge avec un niveau inférieur d'énergie dit niveau injecteur (i) et une zone active, ladite zone active étant formée d'un ensemble de paires de strates constituées à partir de matériaux semiconducteurs de telle manière que chacun des puits présente au moins une sous-bande supérieure dite troisième sous-bande (3), une sous-bande médiane dite seconde sous-bande (2) et une sous-bande inférieure dite première sous-bande (1), la différence de potentiel entre les troisième et deuxième sous-bandes étant telle que la transition d'un électron de la troisième sous-bande à la deuxième sous-bande émet une énergie correspondant à celle nécessaire pour l'émission d'un photon, caractérisé en ce que :
- la zone active possède en outre une quatrième sous-bande (4) située au dessus de la troisième sous-bande ;
- ladite quatrième sous-bande étant telle qu'en l'absence de champ électrique appliqué aux électrodes, le niveau injecteur de la barrière d'injection est inférieure au niveau de ladite quatrième sous-bande et supérieur au niveau de la troisième sous-bande et qu'en présence d'un champ appliqué aux électrodes le niveau injecteur de porteurs de charge (i) devient supérieur ou égal au niveau de la quatrième sous-bande, de manière à générer un phénomène de relaxation rapide entre le niveau injecteur et la quatrième sous-bande, la quatrième sous bande étant à une distance en énergie de la troisième sous bande permettant une relaxation par phonon optique.
摘要翻译：该器件具有由层形成的增益区域，其中每层包括有源区。区域的子带（4）使得在不存在电场的情况下，势垒的注入器电平（i）小于子带的注入器电平（i），并且电荷载流子的注入器电平大于/等于存在场的子带电平以在注射器电平和子带之间产生松弛。子带（3）位于比注入子带的电平更高的水平，以在没有场的情况下在吸收能量光子（e）的作用下确保电子提取。

5. 发明公开

EP1990877A1 Lasers semi-conducteur monomodes à contre-réaction répartie 有权
标题翻译： Monomode-Halbleiterlaser mit verteilterRückkopplung
公开(公告)号：EP1990877A1
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：EP08155834.8
申请日：2008-05-07
申请人： THALES
发明人： Carras, Mathieu , De Rossi, Alfredo
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/0654 , H01S5/1218 , H01S5/1231
摘要： La présente invention concerne le domaine des lasers semiconducteurs à contre-réaction répartie. Plus précisément, l'invention permet de mettre au point des lasers à contre-réaction répartie monomodes avec un taux d'obtention proche de 100% selon une technologie simple et robuste.
A cet effet, l'invention consiste à introduire des pertes radiatives sur un seul des deux modes prépondérants d'un laser DFB obtenu par modulation d'indice en définissant un profil d'indice effectif de la zone active particulier.
摘要翻译：激光器具有确保机械支撑功能的上下导向器（2,3），砷化镓衬底以及由半导体材料制成的薄层叠层形成的有源区（1）。该区域具有以折射率沿轴线周期性变化并且具有周期（λ）的方式调制的折射率分布。该轮廓的周期被定义为使得整数k大于或等于1，对于该整数k，具有特定关系的参数是其虚部低于实部的十分之一的复数。半导体材料选自砷化镓，砷化铟铝，砷化镓铝，磷化铟，砷化铟，锑化锑和砷化铟镓。下导轨由磷化铟制成。上导板由磷化铟，砷化铟镓和砷化镓铝制成。

6. 发明授权

EP1990878B1 Laser semi-conducteur à contre-réaction répartie forte 有权
标题翻译：半导体激光具有强大的，分布式反馈
公开(公告)号：EP1990878B1
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：EP08155839.7
申请日：2008-05-07
申请人： THALES
发明人： Carras, Mathieu , De Rossi, Alfredo
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1228

7. 发明公开

EP2315019A1 Détecteur de gaz photoacoustique 有权
标题翻译： Photoakustischer Gasdetektor
公开(公告)号：EP2315019A1
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：EP10188403.9
申请日：2010-10-21
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Thales
发明人： Nicoletti, Sergio , Andreucci, Philippe , Brun, Mickaël , Gidon, Serge , Marcadet, Xavier , Carras, Mathieu
IPC分类号： G01N29/24 , G01N21/17
摘要： L'invention concerne un dispositif de détection photoacoustique comprenant un circuit nanophotonique incluant une pluralité de lasers (7) à semiconducteur susceptibles d'émettre à des fréquences distinctes ; des coupleurs d'entrée (9) reliés à des guides d'onde optiques ; un multiplexeur (13) ; un guide d'onde optique de sortie (15) débouchant dans un évidement ; un diapason (18) dont les bras libres sont disposés au niveau de la sortie du guide d'onde optique de sortie ; des moyens de détection de la vibration du diapason, tous ces éléments étant assemblés en un composant monolithique.
摘要翻译：光声检测装置包括包括量子级联半导体激光器（7）的纳米光子电路，与光波导相连接的馈电耦合器，多路复用器，其中一端设置有在腔中打开的聚焦单元的输出光波导，该自由臂布置在聚焦单元的出口处，以及用于检测音叉的振动的电子单元。包括激光组件的结构形成在组装在纳米光子电路的中空延伸支撑件上的芯片中。光声检测装置包括包括量子级联半导体激光器（7）的纳米光子电路，与光波导相连接的馈电耦合器，多路复用器，其中一端设置有在腔中打开的聚焦单元的输出光波导，该自由臂布置在聚焦单元的出口处，以及用于检测音叉的振动的电子单元。包括激光组件的结构形成在组装在纳米光子电路的中空延伸支撑件上的芯片中，或直接组装在纳米光子电路支架上的多层中。光波导芯和音叉臂的芯由单一材料层形成。材料层在波导级放置在半导体结构的绝缘体上，并且涂覆有与绝缘体上的半导体结构的上层相同性质的覆层，并且叉的臂悬挂在一个休息绝缘体上的半导体结构的半导体层的上表面涂覆有硅层或氮化硅层。包覆层由氮化硅层构成。检测单元测量由音叉材料产生的压电效应产生的电压，并且包括耦合到叉的臂的电极。

8. 发明公开

EP2149912A1 Procédé de fabrication d'un dispositif optique d'analyse comportant un laser à cascades quantiques et un détecteur quantique 审中-公开
标题翻译：光学分析仪的具有量子级联激光器和量子阱检测器的制造方法
公开(公告)号：EP2149912A1
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：EP09166694.1
申请日：2009-07-29
申请人： Thales
发明人： Berger, Vincent , Carras, Mathieu
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/173 , H01S5/026
CPC分类号： H01L31/173 , B82Y20/00 , G01S7/4811 , H01L31/035236 , H01S5/0262 , H01S5/3402
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optique d'analyse d'une scène comportant un émetteur et un détecteur dans le moyen ou lointain infrarouge caractérisé en ce qu 'il comprend :
- la réalisation d'un empilement de couches semiconductrices épitaxiées à la surface d'un substrat semiconducteur dont certaines sont dopées ;
- la réalisation d'un premier dispositif d'émission dans le moyen ou lointain infrarouge de type laser à cascades quantiques (L) émettant un faisceau d'analyse, à partir d'un premier niveau dit niveau d'émission dans l'empilement de couches semiconductrices;
- la réalisation d'un second dispositif de détection (D) de type détecteur quantique capable de détecter un faisceau rétrodiffusé par la scène à analyser, au même niveau de l'empilement que le niveau dit d'émission.
摘要翻译：该方法涉及形成在半导体基板的表面磊晶半导电层的堆叠。在中间或远红外线进行操作的QCL发射型器件（L）形成，其中该装置从在堆栈排放水平可发出到分析光束（F-L）。量子检测器（D）中形成用于检测由场景反向散射的光束（F-D）在堆栈一样的发射电平的电平，以进行分析。因此独立权利要求中包括了以下内容：在成像系统（2）的方法制造用于制造多光谱分析系统（1）的方法。

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