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1. 发明公开

EP3929334A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHEIBEN 审中-实审
公开(公告)号：EP3929334A1
公开(公告)日：2021-12-29
申请号：EP20181650.1
申请日：2020-06-23
申请人： Siltronic AG
发明人： Müller, Timo , Gehmlich, Michael , Mangelberger, Karl , Skrobanek, Michael , Kissinger, Gudrun
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend das Bereitstellen einer Substratscheibe aus einkristallinem Silizium, die interstitiellen Sauerstoff mit einer Konzentration mehr als 5 x 10 16 AT/cm 3 (new ASTM) enthält; eine RTA-Behandlung der Substratscheibe enthaltend eine erste Wärmebehandlung der Substratscheibe bei einer ersten Temperatur in einem Temperaturbereich von nicht weniger als 1200 °C und nicht mehr als 1260 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 5 s und nicht mehr als 30 s, wobei eine Vorderseite der Substratscheibe einer Atmosphäre enthaltend Argon ausgesetzt wird, eine zweite Wärmebehandlung der Substratscheibe bei einer zweiten Temperatur in einem Temperaturbereich von nicht weniger als 1150 °C und nicht mehr als 1190 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 15 s und nicht mehr als 20 s, wobei eine Vorderseite der Substratscheibe einer Atmosphäre enthaltend Argon und Ammoniak ausgesetzt wird, und eine dritte Wärmebehandlung der Substratscheibe bei einer dritten Temperatur in einem Temperaturbereich von nicht weniger als 1160 °C und nicht mehr als 1190 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 20 s und nicht mehr als 30 s, wobei eine Vorderseite der Substratscheibe einer Atmosphäre enthaltend Argon ausgesetzt wird.

2. 发明公开

EP4350055A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINKRISTALLS AUS SILIZIUM UND HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM 审中-公开
公开(公告)号：EP4350055A1
公开(公告)日：2024-04-10
申请号：EP22199997.2
申请日：2022-10-06
申请人： Siltronic AG
发明人： Mangelberger, Karl , Heuwieser, Walter
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
摘要： Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze, die in einem Tiegel enthalten ist und Phosphor und Bor als Dotierstoffe in einem Verhältnis von nicht mehr als 0,41 enthält, wobei die Schmelze Bor mit einer Konzentration von nicht weniger als 5,0 × 10 14 Atome/cm 3 und nicht mehr als 2,2 × 10 15 Atome/cm 3 enthält und der Einkristall einen zylindrischen Abschnitt mit einem Durchmesser von mindestens 300 mm und eine Länge aufweist und beim Ziehen aus der Schmelze von einem Hitzeschild umgeben ist, und wobei ein unterer Rand des Hitzeschilds einen Abstand von nicht weniger als 18 mm zu einer Oberfläche der Schmelze hat, das Verfahren umfassend
das Drehen des Einkristalls mit einer Geschwindigkeit von nicht weniger als 8 Umin -1 und nicht mehr als 13 Umin ~1 ; und
das Anlegen eines horizontalen Magnetfelds an die Schmelze, dessen magnetische Flussdichte nicht weniger als 2000 Gs und nicht mehr als 3000 Gs beträgt.

3. 发明公开

EP3940124A1 KRISTALLSTÜCK AUS MONOKRISTALLINEM SILIZIUM 有权
公开(公告)号：EP3940124A1
公开(公告)日：2022-01-19
申请号：EP20185631.7
申请日：2020-07-14
申请人： Siltronic AG
发明人： Balanetskyy, Sergiy , Lehmann, Toni , Mangelberger, Karl , Zemke, Dirk
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
摘要： Kristallstück aus monokristallinem Silicium, das zur Herstellung von Halbleiterscheiben vorgesehen ist, mit einer Länge von nicht weniger als 8 cm und nicht mehr als 50 cm und einem Durchmesser nicht kleiner als 280 mm und nicht größer als 320 mm, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der daraus hergestellten Halbleiterscheiben, die frei sind von Pinholes mit einer Größe von nicht mehr als 30 µm, größer ist als 96,2 %.

4. 发明公开

EP4137613A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EPITAKTISCH BESCHICHTETEN HABLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM 审中-实审
公开(公告)号：EP4137613A1
公开(公告)日：2023-02-22
申请号：EP21191891.7
申请日：2021-08-18
申请人： Siltronic AG
发明人： Mangelberger, Karl , Heuwieser, Walter
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/30 , C30B29/06
摘要： Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Hableiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend:
das Bereitstellen einer Schmelze aus Silizium in einem Tiegel;
das Ziehen eines Einkristalls aus Silizium von einer Oberfläche der Schmelze mit einer Ziehgeschwindigkeit v gemäß der CZ-Methode, wobei Sauerstoff und Bor in den Einkristall eingebaut werden und die Konzentration von Sauerstoff im Einkristall nicht weniger als 6,4 × 10 17 Atome/cm 3 und nicht mehr als 8,0 × 10 17 Atome/cm 3 beträgt und die Resistivität des Einkristalls nicht weniger als 10 mΩcm und nicht mehr als 25 mΩcm ist, und wobei auf ein Dotieren der Schmelze mit Stickstoff und/oder Kohlenstoff verzichtet wird;
das Anlegen eines CUSP-Magnetfelds an die Schmelze während des Ziehens des Einkristalls aus Silizium, der von einem Hitzeschild umgeben ist;
die Regelung der Ziehgeschwindigkeit v und eines axialen Temperaturgradienten G an der Phasengrenze zwischen dem Einkristall und der Schmelze derart, dass der Quotient v/G nicht weniger als 0,13 mm 2 /°C min und nicht mehr als 0,20 mm 2 /°C min ist;
das Erhitzen des Einkristalls mittels eines ringförmigen Heizers, der über der Schmelze angeordnet ist und den Einkristall umgibt;
das Herstellen einer Substratscheibe aus einkristallinem Silizium mit einer polierten Seitenfläche durch Bearbeiten des Einkristalls aus Silizium; und
das Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf der polierten Seitenfläche der Substratscheibe, wobei das Abscheiden der epitaktischen Schicht die erste Wärmebehandlung ist, im Verlauf derer die Substratscheibe auf eine Temperatur von nicht weniger als 700 °C erhitzt wird.

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