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    • 4. 发明公开
    • CARBON/TUNNELING-BARRIER/CARBON DIODE
    • KOHLENSTOFF / TUNNELBARRIERE / KOHLENSTOFFDIODE
    • EP2513994A2
    • 2012-10-24
    • EP10796527.9
    • 2010-12-08
    • Sandisk 3D LLC
    • BANDYOPADHYAY, AbhijitKREUPL, FranzMIHNEA, AndreiLI, Xiao
    • H01L45/00
    • H01L45/00H01L27/2418H01L27/2463H01L29/16H01L29/88
    • A carbon/tunneling-barrier/carbon diode and method for forming the same are disclosed. The carbon/tunneling-barrier/carbon may be used as a steering element in a memory array. Each memory cell in the memory array may include a reversible resistivity-switching element and a carbon/tunneling- barrier/carbon diode as the steering element. The tunneling-barrier may include a semiconductor or an insulator. Thus, the diode may be a carbon/semiconductor/carbon diode. The semiconductor in the diode may be intrinsic or doped. The semiconductor may be depleted when the diode is under equilibrium conditions. For example, the semiconductor may be lightly doped such that the depletion region extends from one end of the semiconductor region to the other end. The diode may be a carbon/insulator/carbon diode.
    • 公开了一种碳/隧道势垒/碳二极管及其形成方法。 碳/隧道势垒/碳可以用作存储器阵列中的转向元件。 存储器阵列中的每个存储单元可以包括可逆电阻率开关元件和作为转向元件的碳/隧道势垒/碳二极管。 隧道势垒可以包括半导体或绝缘体。 因此,二极管可以是碳/半导体/碳二极管。 二极管中的半导体可以是固有的或掺杂的。 当二极管处于平衡条件下时,半导体可能耗尽。 例如,半导体可以被轻掺杂,使得耗尽区从半导体区的一端延伸到另一端。 二极管可以是碳/绝缘体/碳二极管。