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    • 2. 发明公开
      EP1061508A2 Optical pickup device capable of detecting a stable error signal 有权
    • Optical pickup device capable of detecting a stable error signal
    • Optische Abtastvorrichtungfähigein stabiles Fehlersignal zu detektieren
    • EP1061508A2
    • 2000-12-20
    • EP00304786.7
    • 2000-06-06
    • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
    • Lee, Yong-jae , Seong, Pyong-yong , Yoo, Jan-hoon , Ryoo, Byung-ryul , Son, Yong-ki
    • G11B7/00
    • G11B7/1353 , G11B7/0901 , G11B7/0912 , G11B7/094 , G11B7/131
    • An optical pickup device employing a signal detection unit including a hologram element (10) having a plurality of pattern regions for diffracting and/or focusing light reflected and incident from a recording medium, a photodetector (30) having a plurality of light receiving regions for receiving and photoelectrically converting the light diffracted by the hologram element and a signal operation unit (50) for generating a focus error signal and/or a track error signal from a signal detected from the photodetector (30). The optical pickup device can implement a stable servo operation even at deviations of the photodetector, a change in the wavelength of light emitted from the light source, and/or shift of focusing means such as an objective lens, and can record and/or reproduce high-density information on/from the recording medium.
    • 一种采用信号检测单元的光学拾取装置，包括具有多个图案区域的全息元件（10），用于衍射和/或聚焦从记录介质反射和入射的光;光电检测器（30），具有多个光接收区域 接收和光电转换由全息元件衍射的光;以及信号操作单元，用于根据从光电检测器（30）检测的信号产生聚焦误差信号和/或轨道误差信号。 光拾取装置即使在光检测器的偏差，光源发射的光的波长变化和/或诸如物镜的聚焦装置的移动中也能够实现稳定的伺服操作，并且可以记录和/或再现 来自记录介质的高密度信息。
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    • 4. 发明公开
      EP0718884A2 Multilevel interconnection of semiconductor device and forming method thereof 失效
    • Multilevel interconnection of semiconductor device and forming method thereof
    • Mehrlagenverbindung einer Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren
    • EP0718884A2
    • 1996-06-26
    • EP95309326.7
    • 1995-12-21
    • Samsung Electronics Co., Ltd.
    • Lee, Yong-jae , Lee, Soo-cheol
    • H01L23/532
    • H01L23/53271 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
    • A multilevel interconnection between a polycide layer and a polysilicon layer and a method of forming such an interconnection are provided. The multilevel interconnection comprises: a first impurity-containing conductive layer (13) formed on a semiconductor substrate (10); a first silicide layer (14), of which a first region is thinner than a second region, formed on the first impurity-containing conductive layer (13); an interlayer dielectric layer (16) formed over the second region and not over the first region; a contact hole (1) for exposing the first silicide layer (14) in the first region; and a second impurity-containing conductive layer (19) connected to the first silicide layer (14) through the contact hole. Alternatively, all the first silicide layer (14) is removed in the first region and the second impurity-containing layer (19) contacts the first impurity-containing layer (13) directly through the contact hole (1). The increase of a contact resistance between conductive layers can be prevented with this arrangement.
    • 提供了多晶硅层和多晶硅层之间的多层互连以及形成这种互连的方法。 所述多层互连包括：形成在半导体衬底（10）上的第一含杂质导电层（13）; 形成在第一含杂质导电层（13）上的第一硅化物层（14），其第一区域比第二区域薄。 形成在所述第二区域上并且不在所述第一区域上的层间介电层（16）; 用于在第一区域中暴露第一硅化物层（14）的接触孔（1） 和通过接触孔与第一硅化物层（14）连接的第二含杂质导电层（19）。 或者，在第一区域中除去所有第一硅化物层（14），并且第二含杂质层（19）直接通过接触孔（1）接触第一含杂质层（13）。 可以通过这种布置来防止导电层之间的接触电阻的增加。
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    • 6. 发明公开
      EP0788096A1 Compatible optical pickup apparatus 失效
    • Compatible optical pickup apparatus
    • 可口可乐
    • EP0788096A1
    • 1997-08-06
    • EP96308638.4
    • 1996-11-29
    • Samsung Electronics Co., Ltd.
    • Lee, Yong-jae
    • G11B7/135 , G11B7/00
    • G11B7/131 , G11B7/0037 , G11B7/1353 , G11B7/1356 , G11B2007/0006
    • A compatible optical pickup apparatus which can adopt two disks having different thickness is provided. The optical pickup apparatus having an optical source (31), a beam splitter (35) for changing the direction of an incident beam, an objective lens (39) which is located between the optical source (31) and a disk (50) for focusing the incident beam to form an optical spot on the disk (50), and a photodetector (44) for detecting information and error signals by receiving the beam which is reflected from the disk (50) and passed through the beam splitter (35), comprises a hologram optical element (HOE) (43) which is located between the beam splitter (35) and the photodetector (44) for diffracting the beam reflected from the disk into a zero-order beam (63) and a positive first-order beam (65), wherein the photodetector includes a first photodetector (45) and a second photodetector (47) which receive the zero-order beam (63) and the positive first-order beam 63), respectively.
    • 提供了可采用具有不同厚度的两个盘的兼容的光学拾取装置。 具有光源（31），用于改变入射光束方向的分束器（35）的光学拾取装置，位于光源（31）和盘（50）之间的物镜（39），用于 聚焦入射光束以在光盘（50）上形成光点;以及光电检测器（44），用于通过接收从盘（50）反射并通过分束器（35）的光束来检测信息和误差信号， ，包括位于分束器（35）和光电检测器（44）之间的全息光学元件（HOE）（43），用于将从光盘反射的光束衍射成零级光束（63） 其中所述光电检测器包括分别接收所述零级光束（63）和所述正一级光束（63）的第一光电检测器（45）和第二光电检测器（47）。
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    • 7. 发明公开
      EP0759610A3 Optical pickup for high-density recording/reproducing 失效
    • Optical pickup for high-density recording/reproducing
    • 用于高密度记录/再现的光学拾取器
    • EP0759610A3
    • 1997-06-11
    • EP96303356.8
    • 1996-05-14
    • Samsung Electronics Co., Ltd.
    • Lee, Yong-jae
    • G11B7/135 , G11B7/12 , G11B7/00
    • G11B7/1381 , G11B7/0901 , G11B7/0908 , G11B7/1367 , G11B7/1374 , G11B2007/13727
    • An optical pickup for high-density recording/reproducing, which can read closely packed recorded information which exceeds the limits normally associated with a given cut-off frequency, the pickup including an objective lens (18, 18') having divided portions (20-22, 20'-22') for respectively transmitting a zero-order optical component and ±1st-order diffracted components. To detect a signal for reproduction, a focusing lens (28) is used for focusing the zero-order component and ±1st-order diffracted components passing through the objective lens (18, 18') so as to be mutually interfered. Stable high-density optical recording/reproduction can be realized regardless of the numerical aperture of the objective lens (18, 18') and optical wavelength.
    • 一种用于高密度记录/再现的光学拾取器，其能够读取超过通常与给定截止频率相关的限制的紧密堆积的记录信息，该拾取器包括具有分开部分（20- 22，20'-22'），用于分别发送零级光学元件和±1级衍射分量。 为了检测用于再现的信号，聚焦透镜（28）用于聚焦通过物镜（18,18'）的零级分量和±1级衍射分量以相互干涉。 无论物镜（18,18'）的数值孔径和光波长如何，都可以实现稳定的高密度光学记录/再现。
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    • 8. 发明公开
      EP0718884A3 Multilevel interconnection of semiconductor device and forming method thereof 失效
    • Multilevel interconnection of semiconductor device and forming method thereof
    • 半导体器件的多级互连及其形成方法
    • EP0718884A3
    • 1996-12-11
    • EP95309326.7
    • 1995-12-21
    • Samsung Electronics Co., Ltd.
    • Lee, Yong-jae , Lee, Soo-cheol
    • H01L23/532
    • H01L23/53271 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
    • A multilevel interconnection between a polycide layer and a polysilicon layer and a method of forming such an interconnection are provided. The multilevel interconnection comprises: a first impurity-containing conductive layer (13) formed on a semiconductor substrate (10); a first silicide layer (14), of which a first region is thinner than a second region, formed on the first impurity-containing conductive layer (13); an interlayer dielectric layer (16) formed over the second region and not over the first region; a contact hole (1) for exposing the first silicide layer (14) in the first region; and a second impurity-containing conductive layer (19) connected to the first silicide layer (14) through the contact hole. Alternatively, all the first silicide layer (14) is removed in the first region and the second impurity-containing layer (19) contacts the first impurity-containing layer (13) directly through the contact hole (1). The increase of a contact resistance between conductive layers can be prevented with this arrangement.
    • 提供了多晶硅硅化物层和多晶硅层之间的多级互连以及形成这种互连的方法。 该多层互连包括：形成在半导体衬底（10）上的第一含杂质导电层（13） 形成在所述第一含杂质导电层（13）上的第一硅化物层（14），所述第一硅化物层（14）的第一区域比第二区域薄; 层间电介质层（16），形成在所述第二区域上方而不在所述第一区域上方; 用于暴露第一区域中的第一硅化物层（14）的接触孔（1） 和通过接触孔连接到第一硅化物层（14）的第二含杂质的导电层（19）。 可选地，在第一区域中除去全部第一硅化物层（14），并且第二含杂质层（19）直接通过接触孔（1）与第一含杂质层（13）接触。 用这种布置可以防止导电层之间的接触电阻的增加。
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