会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明公开
    • Cellule mémoire à trois états
    • Dreiphasenspeicherzelle
    • EP1420416A1
    • 2004-05-19
    • EP03300161.1
    • 2003-10-16
    • STMicroelectronics S.A.
    • Wuidart, SylvieWuidart, Luc
    • G11C17/18G11C17/14
    • G11C17/18G11C11/5692G11C17/14
    • L'invention concerne une cellule mémoire (1) à au moins deux états détectables parmi lesquels un état non programmé, comprenant, en série entre deux bornes (4, 5) d'application d'une tension de lecture (Vr), au moins une première branche (2) comportant : un étage (6) de prélecture comprenant, en parallèle, deux résistances commutables (Rg1, Rg2) ayant des valeurs différentes d'un premier écart (ΔRg) prédéterminé ; et un étage (9) de programmation constitué d'une résistance de programmation en silicium polycristallin (Rp1), une borne (14) de la résistance de programmation étant accessible par un circuit de programmation propre à provoquer une diminution irréversible de sa valeur.
    • 存储单元(1)包括连接在施加了读取电压(Vr)的两个端子(4,5)之间的至少一个,特别是两个分支(2,3) 每个分支包括串联连接的两个级,即具有并联连接的两个可切换电阻器(Rg1,Rg2; Rg3,Rg4)的预读阶段(6,7)和包含一个 可编程电阻器(Rp1,Rp2),其中可编程电阻端子(14,15)可由适当的编程电路访问以实现每个可编程电阻的不可逆减小。 可编程电阻(Rp1,Rp2)的值的减小(Δ)Rp是预先确定的,并且被选择为大于每一个预先设定的对中的两个电阻(Rg1,Rg2; Rg3,Rg4)之间的差值(delta)Rg -read阶段(6,7)。 存储单元还包括用于将预读阶段(6,7)与编程级(8,9)隔离的中断器(K10,K11)。 编程阶段包括用于使编程电压(Vp)高于可编程电阻器(Rp1,Rp2)的端子的读取电压(Vr)的开关(K14,K15)。 电池状态的读取在两个连续的步骤中进行,在此过程中交替地选择预读取级的可切换电阻器(Rg1,Rg2,Rg3,Rg4)。 每个可编程电阻器(Rp1,Rp2)通过与另一个分支的晶体管连接的晶体管(MN1,MN2)连接到下电源电压端子,特别是地(5)。 同时控制两个分支(2,3)的可切换电阻(Rg1,Rg2; Rg3,Rg4),使得每个分支中所选电阻的值反转。 可编程电阻的不可逆减小(Δ)Rp大于非编程状态下可编程电阻的标称值的差(E)。 在存储器单元的变型中,可编程电阻器的端子是可连接到放大器的第一输入端的读取端子,其第二输入端连接到参考电位,该参考电位在中间位于 当可编程电阻处于非编程状态时,在两个读取阶段读取端子。 用于读取存储器单元(要求保护的)的方法(要求保护)包括在其中选择预读取级的可切换电阻的两个连续的读取步骤。