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1. 发明公开

EP0463504A2 Optischer Duplexer für bidirektionale optische Informationsübertragung 失效
标题翻译： Optischer Duplexerfürbidirektionale optischeInformationsübertragung。
公开(公告)号：EP0463504A2
公开(公告)日：1992-01-02
申请号：EP91109745.9
申请日：1991-06-13
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Heise, Gerhard, Dipl.-Phys.
IPC分类号： G02B6/28 , H01L31/14 , G02B6/42 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/29332 , G02F1/0147 , H04B10/2504
摘要： 2.1 Bei einem optischen Duplexer für bidirektionale Informationsübertragung soll eine Phasendifferenz zwischen zwei auf verschiedenen optischen Wegen (W L2, W L3) zum Duplexer zurückreflektierten optischen Wellen zur Herabsetzung eines Nahnebensprechens unter Umgehung der Erzeugung einer Weglängendifferenz zwischen den beiden Wegen erzeugt werden.
2.2 Dazu ist eine Einrichtung (PS) zum Regeln der Phase einer auf einem der beiden Wege in den Duplexer zurückreflektierten optischen Welle vorgesehen, oder die beiden Wege weisen eine durch eine Brechzahldifferenz erzeugte optische Weglängendifferenz auf. Insbesondere ist es günstig, die Phasendifferenz zwischen den auf beiden Wegen in den Duplexer zurückreflektierten optischen Wellen auf /2 einzustellen oder festzulegen.
2.3 Anwendung bei der bidirektionalen Informationsübertragung.
摘要翻译： 2.1在用于双向信息传输的光双工器中，目的是产生沿着不同光路（W L2，W L3）向双工器回射的两个光波之间的相位差，以便减少近端串扰，避免了两条路径之间波形差异的产生。 2.2为此，提供了一种设备（PS）来控制在两个路径中的一个路径上回射到双工器中的光波的相位，或者两条路径具有由折射率差产生的光学波长差。特别地，有利的是将在两路径上回射到双工器中的光波之间的相位差设置或固定为/ 2。 2.3双向信息传输中的应用。

2. 发明公开

EP0240776A1 Verfahren zur Herstellung eines Oberflächengitters mit einer bestimmten Gitterkonstanten auf einem tieferliegenden Oberflächenbereich einer Mesastruktur 失效
标题翻译：一种用于在具有上的台面结构的低表面积的指定光栅常数的表面光栅的制备方法。
公开(公告)号：EP0240776A1
公开(公告)日：1987-10-14
申请号：EP87103785.9
申请日：1987-03-16
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： März, Reinhard, Dr. , Heise, Gerhard, Dipl.-Phys.
IPC分类号： G02B5/18 , H01L21/308 , H01S3/06
CPC分类号： G02B5/1857 , H01L21/30617 , H01L21/3083 , H01S5/12 , H01S5/22
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Oberflächengitters (1) mit einer bestimmten Gitterkonstanten (a) auf einem tieferliegenden Oberflächenbereich (10) einer auf der Oberfläche eines Substrats (3) aus einem Halbeitermaterial durch naßchemisches Ätzen mittels Maske erzeugten Mesastruktur (2). Es wird ein besonders einfaches und sehr billiges Verfahren dieser Art angegeben. Dazu wird die Mesastruktur (2) in eine feinstrukturierte, ein Oberflächengitter (4) mit der bestimmten Gitterkonstanten (a) aufweisende Oberfläche des Substrats (3) mittels eines anisotropen Ätzmittels geätzt, das bereits zur Herstellung des Oberflächengitters (4) verwendet wurde. Dabei wird dieses Oberflächengitter (4) in einem maskenfreien Bereich (20), der den tieferliegenden Oberflächenbereich (10) der Mesastruktur (2) definiert, unverändert in die Tiefe übertragen.
摘要翻译：用于制造表面光栅规定的方法（1）用一个台面结构（2）的预定的晶格常数（a）中在其下表面区域（10），一个基片（3）的半导体材料通过的表面上产生通过掩模手段湿化学蚀刻是特别简单且非常便宜。为了这个目的，该台面结构（2）被蚀刻到（3），其具有表面光栅（4）具有预定的晶格常数（a）所述基材的微细结构化表面，通过各向异性蚀刻剂的手段，这是先前用于生产光栅的表面（4）。这种表面光栅（4）在无掩模区（20），其限定台面结构（2）的下表面区域（10）被转移，从而在深度方向上以不变的形式。

3. 发明授权

EP0221514B1 Verfahren zur Erzeugung einer Gitterstruktur mit Phasensprung auf der Oberfläche eines Substrats 失效
标题翻译：生产在基板表面上引入相位跳变的网格图案的方法
公开(公告)号：EP0221514B1
公开(公告)日：1993-01-07
申请号：EP86115089.4
申请日：1986-10-30
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Heise, Gerhard, Dipl.-Phys. , Wolff, Ulrich, Dipl.-Phys. , Matz, Richard, Dr.
IPC分类号： G02B5/18 , G02B5/32 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/32 , G02B5/1857 , G03F7/001 , Y10S359/90

4. 发明公开

EP0463504A3 Optischer Duplexer für bidirektionale optische Informationsübertragung 失效
标题翻译：用于双向光通信的光学双工器
公开(公告)号：EP0463504A3
公开(公告)日：1992-08-19
申请号：EP91109745.9
申请日：1991-06-13
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Heise, Gerhard, Dipl.-Phys.
IPC分类号： G02B6/28 , H01L31/14 , G02B6/42 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/29332 , G02F1/0147 , H04B10/2504
摘要： 2.1 Bei einem optischen Duplexer für bidirektionale Informationsübertragung soll eine Phasendifferenz zwischen zwei auf verschiedenen optischen Wegen (W L2, W L3) zum Duplexer zurückreflektierten optischen Wellen zur Herabsetzung eines Nahnebensprechens unter Umgehung der Erzeugung einer Weglängendifferenz zwischen den beiden Wegen erzeugt werden. 2.2 Dazu ist eine Einrichtung (PS) zum Regeln der Phase einer auf einem der beiden Wege in den Duplexer zurückreflektierten optischen Welle vorgesehen, oder die beiden Wege weisen eine durch eine Brechzahldifferenz erzeugte optische Weglängendifferenz auf. Insbesondere ist es günstig, die Phasendifferenz zwischen den auf beiden Wegen in den Duplexer zurückreflektierten optischen Wellen auf /2 einzustellen oder festzulegen. 2.3 Anwendung bei der bidirektionalen Informationsübertragung.

5. 发明公开

EP0221514A3 Verfahren zur Erzeugung einer Gitterstruktur mit Phasensprung auf der Oberfläche eines Substrats 失效
标题翻译：产生在基板表面上引入相位跳跃的网格图案的方法
公开(公告)号：EP0221514A3
公开(公告)日：1989-03-08
申请号：EP86115089.4
申请日：1986-10-30
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Heise, Gerhard, Dipl.-Phys. , Wolff, Ulrich, Dipl.-Phys. , Matz, Richard, Dr.
IPC分类号： G02B5/18 , G02B5/32 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/32 , G02B5/1857 , G03F7/001 , Y10S359/90
摘要： Es wird ein Verfahren zur Erzeugung einer Gitterstruktur mit Phasensprung auf einer Oberfläche eines Substrats durch Belichtung einer fotoempfindlichen Oberfläche in einem optischen Interferenzfeld beschrieben, wobei die fotoempfindliche Oberfläche doppelt belichtet und zwischen den beiden Belichtungen die Ortsfrequenz des Interferenzfeldes um einen kleinen Betrag verändert wird. Die fotoempfindliche Oberfläche kann eine auf das Substrat aufgebrachte Fotolackschicht sein. Nach dem Entwickeln der belichteten Schicht wird die Gitterstruktur durch Ätzen erzeugt. Die Struktur kann auch direkt durch laseraktiviertes Ätzen erzeugt werden, wobei die fotoempfindliche Oberfläche aus der mit einem Ätzmittel in Kontakt stehenden Substratoberfläche besteht, an dier die Ätzreaktion durch Belichtung aktivierbar ist.

6. 发明公开

EP0221514A2 Verfahren zur Erzeugung einer Gitterstruktur mit Phasensprung auf der Oberfläche eines Substrats 失效
标题翻译：一种用于产生与基板的表面上的相移的晶格结构的方法。
公开(公告)号：EP0221514A2
公开(公告)日：1987-05-13
申请号：EP86115089.4
申请日：1986-10-30
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Heise, Gerhard, Dipl.-Phys. , Wolff, Ulrich, Dipl.-Phys. , Matz, Richard, Dr.
IPC分类号： G02B5/18 , G02B5/32 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/32 , G02B5/1857 , G03F7/001 , Y10S359/90
摘要： Es wird ein Verfahren zur Erzeugung einer Gitterstruktur mit Phasensprung auf einer Oberfläche eines Substrats durch Belichtung einer fotoempfindlichen Oberfläche in einem optischen Interferenzfeld beschrieben, wobei die fotoempfindliche Oberfläche doppelt belichtet und zwischen den beiden Belichtungen die Ortsfrequenz des Interferenzfeldes um einen kleinen Betrag verändert wird. Die fotoempfindliche Oberfläche kann eine auf das Substrat aufgebrachte Fotolackschicht sein. Nach dem Entwickeln der belichteten Schicht wird die Gitterstruktur durch Ätzen erzeugt. Die Struktur kann auch direkt durch laseraktiviertes Ätzen erzeugt werden, wobei die fotoempfindliche Oberfläche aus der mit einem Ätzmittel in Kontakt stehenden Substratoberfläche besteht, an dier die Ätzreaktion durch Belichtung aktivierbar ist.
摘要翻译：中，描述了用于生成与在光学干涉场的基板的表面上的相移由光敏表面的曝光，其中所述光敏表面两次暴露，并且所述干扰场的空间频率的晶格结构的方法是通过两次曝光之间少量改变。光敏表面可以是施加到基底光致抗蚀剂层的涂层。显影曝光的层之后，晶格结构通过蚀刻产生。也可以通过激光活化蚀刻来直接生成的结构中，光敏表面包括用蚀刻剂基材表面命令所述蚀刻反应接触的面积可以通过暴露激活的。

7. 发明公开

EP0200874A1 Verfahren zur Herstellung eines Oberflächengitters mit einer bestimmten Gitterkonstante auf einem tieferliegenden Oberflächenbereich einer Mesastruktur 失效
标题翻译：用于在台面结构的下表面区域上产生具有特定晶格常数的表面栅格的方法
公开(公告)号：EP0200874A1
公开(公告)日：1986-12-17
申请号：EP86102897.5
申请日：1986-03-05
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： März, Reinhard, Dr. , Heise, Gerhard, Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/38
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Oberflächengitters (1) mit einer bestimmten Gitterkonstanten (a) auf einem tieferliegenden Oberflächenbereich (10) einer auf der Oberfläche eines Substrats (3) aus einem Halbleitermaterial durch naßchemisches Ätzen mittels Maske erzeugten Mesastruktur (2). Es wird ein besonders einfaches und sehr billiges Verfahren dieser Art angegeben. Dazu wird die Mesastruktur (2) in eine feinstrukturierte, ein Oberflächengitter (4) mit der bestimmten Gitterkonstanten (a) aufweisende Oberfläche des Substrats (3) mittels eines anisotropen Ätzmittels geätzt, das bereits zur Herstellung des Oberflächengitters (4) .verwendet wurde. Dabei wird dieses Oberflächengitter (4) in einem maskenfreien Bereich (20), der den tieferliegenden Oberflächenbereich (10) der Mesastruktur (2) definiert, unverändert in die Tiefe übertragen.
摘要翻译：一种用于表面的光栅的制备方法（1），其具有在基板的表面上的低表面区域（10）的特定晶格常数（A）（3）由使用掩模通过湿化学蚀刻形成台面结构的半导体材料的（2）。给出了一种特别简单且非常便宜的这种方法。对于这一点，台面结构（2）在经过微细结构化，表面光栅（4）与含有底物（3）的表面所确定的晶格常数（a）中使用各向异性蚀刻剂，这是.Used已经用于生产表面的光栅蚀刻（4）。在该过程中，该表面网格（4）在定义台面结构（2）的较深表面区域（10）的无掩模区域（20）中未改变地转移到深度中。

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