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1. 发明公开

EP0655776A1 Autoplanarizing process for the passivation of an integrated circuit 失效
标题翻译： Selbstplanarisierungsverfahrenfürdie passivierung von einer integrierten Schaltung。
公开(公告)号：EP0655776A1
公开(公告)日：1995-05-31
申请号：EP93830480.5
申请日：1993-11-30
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
发明人： Cereda, Manlio Sergio , Daffra, Stefano , Stucchi, Elena
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/314 , H01L27/115
摘要： In a passivating method using silicon oxidonitride, prior to forming that layer (10), the surface is planarized by overlying the circuit structures (2,3) with at least a first layer (8) of a dielectric material, and on top of this, a second layer (9) of a dielectric material. The layers have such thickness dimensions as to ensure planarization of the top surface. In addition, the invention may be used with a passivation method without oxidonitride wherein the underlying morphology is also planarized by forming those same dielectric layers.
摘要翻译：在使用硅氧化氮的钝化方法中，在形成该层（10）之前，通过用电介质材料的至少第一层（8）覆盖电路结构（2,3）来平坦化表面，并且在该顶部，介电材料的第二层（9）。这些层具有这样的厚度尺寸以确保顶表面的平坦化。此外，本发明可以与没有氧化氮化物的钝化方法一起使用，其中下面的形态也通过形成这些相同的介电层而被平坦化。

2. 发明公开

EP0793273A1 Method for improving the intermediate dielectric profile, particularly for non-volatile memories 失效
标题翻译：为了提高中间介电曲线，特别是用于非易失性存储器的方法
公开(公告)号：EP0793273A1
公开(公告)日：1997-09-03
申请号：EP96830086.3
申请日：1996-02-28
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
发明人： Brambilla, Claudio , Ginami, Giancarlo , Daffra, Stefano , Ravaglia, Andrea , Cereda, Manlio Sergio
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115
摘要： A method for improving the intermediate dielectric profile, particularly for non-volatile memories constituted by a plurality of cells, which comprises the following steps:

-- forming field oxide regions (14) and drain active area regions (15) on a substrate (1);
-- forming word lines (16) on the field oxide regions (14);
-- depositing oxide to form oxide wings (13) that are adjacent to the word lines (16);
characterized in that it comprises the following additional steps:

-- opening, by masking (20), source regions (18) and the drain active area regions (15), keeping the field oxide regions (14) that separate one memory cell from the other, inside the memory, covered with resist; and
-- removing field oxide (14) in the source regions (18) and removing oxide wings (13) from both sides of the word lines (16).
摘要翻译：一种提高在中间电介质分布，特别是用于通过细胞的复数，其包括以下步骤构成的非易失性存储器的方法： - 形成场氧化区（14）和漏有源区的区域（15）上的基板（1 ）; - 形成字线（16）上的场氧化区（14）; - （13）做了沉积氧化，从而形成氧化翼邻近于字线（16）; 在这样做是包括下列附加步骤，其特征在于： - 开口，通过掩蔽（20），源极区（18）和漏有源区的区域（15），保持场氧化区（14）做了单独的一个存储器单元从所述其他，存储器，覆盖有抗蚀剂的内部; 和 - 从所述字线（16）的bothsides除去在源极区（18）和除去氧化物翼（13）的场氧化物（14）。

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