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    • 2. 发明公开
    • Illumination system for a microlithographic contact and proximity exposure apparatus
    • 用于微光刻接触和接近曝光设备的照明系统
    • EP2253997A2
    • 2010-11-24
    • EP09169158.4
    • 2009-09-01
    • Süss MicroTec Lithography GmbH
    • Völkel, ReinhardVogler, UweBich, AndreasWeible, Kenneth J.Eisner, MartinHornung, MichaelKaiser, PaulZoberbier, RalphCullmann, Elmar
    • G03F7/20
    • G03F7/7035G03F7/7005G03F7/70075G03F7/70566
    • An illumination system for a micro-lithographic contact and proximity exposure apparatus comprising a light source (1), a collector (2), two optical integrators (3,6), two Fourier lenses (4,7), at least one angle defining element (5); and at least one field lens (8). The first optical integrator (3) comprises optical sub-elements and produces a plurality of secondary light sources (6a) each emitting a light bundle. A first Fourier lens (7) effects a superposition of the light bundles and uniform irradiance in its Fourier plane (4a). The second optical integrator (6) is located at the Fourier plane (7a) of the first Fourier lnes (7), comprises optical sub-elements and produces a plurality of tertiary light sources (6a) each emitting a light bundle. A second Fourier lens (7) effects a superposition of the light bundles, uniform irradiance and a desired and uniform angular distribution of light illuminating a mask (9) for contact or proximity lithographic printing. The field lens (8) in the Fourier plane (7a) ensures telecentric illumination the mask (9). The optional field lens (12) in the Fourier plane (4a) of the first optical integrator (3) ensures telecentric illumination of the second optical integrator (6). The angle defining element (5) comprises optical sub-elements and defines the angular distribution of the light illuminating the mask (9). A change of the position of the second Fourier lens (7) or the use of a Fourier zoom lens (62) or hybrid Fourier lens (63) allows run-out control (registration error correction) of the lateral dimensions of the printed miniature pattern in the resist layer on the surface of the wafer (10).
    • 一种用于微光刻接触和接近曝光装置的照明系统,包括光源(1),集光器(2),两个光学积分器(3,6),两个傅立叶透镜(4,7),至少一个角度限定 元素(5); 和至少一个场镜(8)。 第一光学积分器(3)包括光学子元件并且产生多个发射光束的二级光源(6a)。 第一傅立叶透镜(7)在其傅立叶平面(4a)中实现光束的叠加和均匀的辐照度。 第二光学积分器(6)位于第一傅立叶单元(7)的傅立叶平面(7a)处,包括光学子元件并且产生多个发射光束的多个第三光源(6a)。 第二傅立叶透镜(7)实现光束的叠加,均匀的辐照度以及照射用于接触或邻近平版印刷的掩模(9)的期望且均匀的角度分布。 傅立叶平面(7a)中的场透镜(8)确保掩模(9)的远心照明。 第一光学积分器(3)的傅立叶平面(4a)中的可选的场透镜(12)确保第二光学积分器(6)的远心照明。 角度限定元件(5)包括光学子元件并且限定照射面罩(9)的光的角度分布。 第二傅立叶透镜(7)的位置或使用傅里叶变焦透镜(62)或混合傅立叶透镜(63)的改变允许印刷的微型图案的横向尺寸的偏斜控制(配准误差校正) 在晶片(10)表面上的抗蚀剂层中。