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2. 发明公开

EP2105734A1 Gassensor 有权
公开(公告)号：EP2105734A1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：EP08005615.3
申请日：2008-03-26
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Frerichs, Heinz-Peter , Senft, Christoph
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00
CPC分类号： G01N27/4143 , G01N33/005 , G01N33/0059
摘要： Ein Gassensor (1) hat eine gassensitive Schicht (7), die einen Obernächenbereich (9) aufweist, in dem die Austrittsarbeit von der Konzentration eines mit dem Oberflächenbereich (9) in Kontakt bringbaren Zielgases abhängig ist. An den Oberflächenbereich (9) ist über einen Luftspalt (8) ein elektrischer Potentialsensor (27) kapazitiv gekoppelt. Der Oberflächenbereich (9) der gassensitiven Schicht (7) ist von einer für das Zielgas inerten, elektrisch isolierenden Beschichtung (18) überdeckt, die haftend mit der gassensitiven Schicht (7) verbunden ist. Die Beschichtung (188) ist derart ausgestaltet, dass sie für das Zielgas und ein sich davon unterscheidendes, an dem Oberflächenbereich (9) adsorblerbares weiteres Gas durchlässig ist. Die Beschichtung (18) weist für das Zielgas und das weitere Gas unterschiedliche Diffusionskonstanten auf. Die Diffusionskonstanten sind derart aufeinander abgestimmt, dass die Sensitivität des Gassensors (1) für das Zielgas zunimmt, wenn die Konzentration des Zielgases bei Anwesenheit des weiteren Gases einen vorbestimmten Konzentrations-Schwellenwert überschreitet.
摘要翻译：传感器（1）具有表面积（9）的气体敏感层（7）和经由气隙（8）与该区域电容耦合的电位传感器（27）。该区域被可渗透氢气和氧气的电绝缘涂层（18）覆盖。涂层对于气体具有不同的扩散常数，并含有聚甲基丙烯酸甲酯。这些常数彼此协调，使得当氢气浓度超过预定浓度阈值时，传感器的测量灵敏度提高了氢气。

3. 发明授权

EP2857832B1 Schichtsystem 有权转让
公开(公告)号：EP2857832B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：EP14003405.9
申请日：2014-10-02
申请人： TDK-Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Zimmermann, Dominik
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： H01L29/0657 , G01N27/4143 , G01N27/4146 , Y10T428/265

4. 发明授权

EP2105734B1 Gassensor 有权
公开(公告)号：EP2105734B1
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：EP08005615.3
申请日：2008-03-26
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Frerichs, Heinz-Peter , Senft, Christoph
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00
CPC分类号： G01N27/4143 , G01N33/005 , G01N33/0059
摘要： The sensor (1) has a gas-sensitive layer (7) with a surface area (9), and an electrical potential sensor (27) capacitively coupled with the area via an air gap (8). The area is covered by an electric insulating coating (18) that is permeable for hydrogen and oxygen gases. The coating has different diffusion constants for the gases and contains polymethylmethacrylate. The constants are coordinated with each other so that measurement sensitivity of the sensor is increased for the hydrogen gas when the hydrogen gas concentration exceeds a predetermined concentration threshold.
摘要翻译：传感器（1）具有带有表面区域（9）的气敏层（7）以及经由气隙（8）与该区域电容耦合的电势传感器（27）。该区域被可透过氢气和氧气的电绝缘涂层（18）覆盖。涂层对于气体具有不同的扩散常数并且包含聚甲基丙烯酸甲酯。常数彼此协调，使得当氢气浓度超过预定浓度阈值时，传感器的测量灵敏度对于氢气增加。

5. 发明公开

EP2600145A1 Leitkleberverbindung 有权转让
公开(公告)号：EP2600145A1
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：EP12007745.8
申请日：2012-11-15
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Kolleth, Tobias , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： G01N27/414 , H01R4/04 , H01L23/00 , H05K3/00
CPC分类号： H01L24/01 , G01N27/4148 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/4828 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05551 , H01L2224/05638 , H01L2224/05684 , H01L2224/2929 , H01L2224/83139 , H01L2224/83365 , H01L2924/07811 , H01L2924/14 , H05K3/4007 , H05K2201/0373 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014
摘要： Leitkleberverbindung zum verbinden eines Bauteils (60), z.B. der Gate-Elektrode eines Gassensors, mit einem Halbleiterkörper (20), der eine integrierten Schaltung aufweist. Dabei wird eine die Passivierungsschicht (50) und Oxidschicht (40) durchdringende Ausformung (70) mit einem leitfähigen Klebstoff (80) auf Basis eines organischen Polymers gefüllt, so dass die leitfähige Unterseite des Bauteils (60) und eine leitfähige Kontaktfläche (30) durch den Leitkleber (80) verbunden sind.
Zur Verstärkung der Klebeverbindung können in dem Loch (70) Erhöhungen (100) ausgebildet sein, die die effektive Kontaktfläche der Klebeverbindung vergrößern.
摘要翻译：用于连接组件（60）的导电粘合剂，例如，气体传感器的栅电极，包括具有集成电路的半导体本体（20）。这里，用基于有机聚合物的导电粘合剂（80）填充钝化层（50）和氧化物层（40）穿透结构（70），使得部件（60）的导电底部和导电接触表面（30）导电粘合剂（80）被连接。为了加强粘合剂粘合，可以在孔（70）中形成隆起（100），这增加了粘合剂粘合剂的有效接触面积。

6. 发明公开

EP2594928A2 Halbleiter-Gassensor 有权转让
公开(公告)号：EP2594928A2
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：EP12007744.1
申请日：2012-11-15
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Kolleth, Tobias , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： H01L29/66 , G01N27/4143 , G01N27/4148 , H01L23/3171 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05017 , H01L2224/05138 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05578 , H01L2224/05582 , H01L2224/05638 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/05687 , H01L2224/1319 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16058 , H01L2224/16112 , H01L2224/1613 , H01L2224/16145 , H01L2224/17505 , H01L2224/17517 , H01L2224/26145 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32058 , H01L2224/32112 , H01L2224/3213 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/33517 , H01L2224/48247 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/8185 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/01014 , H01L2924/0476 , H01L2924/01074 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Halbleiter-Gassensor auf der Basis eines integrierten Feldeffekttransistors mit einen Halbleiterkörper mit einer an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildeten Passivierungsschicht, der eine durch einen Spalt von einen Kanalbereich getrennte gassensitive Steuerelektrode aufweist und als Suspended Gate Feldeffekttransistor (SGFET) ausgebildet ist, oder die Steuerelektrode als eine erste Platte eines Kondensators mit Spalt angeordnet ist und eine zweite Platte des Kondensators mit einem Gate des als Capacitve Controlled ausgebildeten Feldeffekttransistors (CCFET) verbunden ist, und die Steuerelektrode eine Halbleiter-Trägerschicht mit einer aufliegenden Haftvermittlerschicht und einer auf der Haftvermittlerschicht aufliegenden gassensitiven Schicht aufweist, und mit einem Referenzpotential verschaltet ist, und die Oberfläche der gassensitiven Schicht dem Kanalbereich oder der zweiten Platte zugewandt ist, und ein Stützgebiet mit einer ersten Tragstruktur mit einem ersten Auflagebereich und einer zweiten Tragstruktur mit einem zweiten Auflagebereich vorgesehen ist, wobei auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Anschlussgebiet vorgesehen ist und das Stützgebiet innerhalb des Anschlussgebletes angeordnet ist, und das Anschlussgeblet einen ersten Anschlussberelch und einen zweiten Anschlussbereich aufweist und der erste Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines ersten Verbindungsmittels eine elektrische Verbindung und eine kraftschlüssige Verbindung aufweist und der zweiten Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines zweiten Verbindungsmittels wenigstens eine kraftschlüssige Verbindung aufweist.
摘要翻译：传感器（10）具有具有钝化层（30）和控制电极（100）的主要部分（20）。接触区域具有第一接触区域，其具有通过钝化层并且具有导电层的底表面的结构（112）。第一接触区域经由连接部件（130）与控制电极具有摩擦和电连接。第二接触区域经由连接部件（140）与控制电极摩擦连接。连接部件（130）至少部分地填充地层并将电极连接到导电层。

7. 发明公开

EP2857832A1 Schichtsystem 有权转让
标题翻译：层系统
公开(公告)号：EP2857832A1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：EP14003405.9
申请日：2014-10-02
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Zimmermann, Dominik
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： H01L29/0657 , G01N27/4143 , G01N27/4146 , Y10T428/265
摘要： Schichtsystem (10) mit einem Schichtbereich, wobei der Schichtbereich ein monokristallines Siliziumsubstrat (20) mit einer Vorderseite (22) und einer Rückseite (24) aufweist und wobei auf der Vorderseite (22) eine texturierte Oberfläche ausgebildet ist und die texturierte Oberfläche eine Topographie mit unterschiedlichen Höhen aufweist und auf der texturierten Oberfläche eine Dünnfilmschicht (30) aus einem Metalloxid und / oder einer Oxidkeramik ausgebildet ist, wobei die Dünnfilmschicht die texturierte Oberfläche bedeckt. Der Schichtbereich kann insbesondere als gassensitive Steuerelektrode in einen Suspended Gate Field Effect Transistor (SGFET) oder einen Capacitively Controlled Field Effect Transistor (CCFET) integriert sein.
摘要翻译：具有层区域，其中所述层区域包括具有前（22）和一后侧（24），并且其中在所述前侧上的单晶硅衬底（20）层系统（10）（22）具有带纹理的表面上形成，且有纹理的表面具有一形貌与为具有不同的高度和形成的金属氧化物和/或氧化物陶瓷制成的薄膜层（30），其中，所述薄膜层覆盖粗糙表面的纹理化表面上。该层可以为特别是如以悬浮栅场效应晶体管（SGFET）或电容性地控制场效应晶体管（CCFET）被集成气体敏感控制电极。

8. 发明公开

EP1753027A1 Monolithische Anordnung, insbesondere integrierte Schaltung, mit einer floatenden Elektrode 有权转让
标题翻译： Monolithische Anordnung，insbesondere integrierte Schaltung，mit einer floatenden Elektrode
公开(公告)号：EP1753027A1
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：EP06016695.6
申请日：2006-08-10
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine monolithische Anordnung, insbesondere integrierte Schaltung (IC), mit
- einer floatenden Elektrode (FE),
- zumindest einer Leiterbahn (ML) zum Anschließen der floatenden Elektrode (FE) an eine Systemkomponente (MS) innerhalb der integrierten Schaltung,
- einer Vielzahl von zumindest zeitweilig potenzialführenden, weiteren Leiterbahnen (L) zum Übertagen von Signalen oder Strömen zwischen Komponenten (MS, GND), Strukturen und/oder Kontakten (K), und
- einem Isolator (IS) zum elektrischen Isolieren der Leiterbahn (ML) und den weiteren Leiterbahnen (L) untereinander, wobei eine Bahnführung der Leiterbahn (ML) und der weiteren Leiterbahnen (L) derart ausgelegt ist, dass der Verlauf der Leiterbahn (ML) den Verlauf keine der weiteren Leiterbahnen (L) kreuzt.
Zweckmäßigerweise wird auf das Einhalten eines Mindestabstands zwischen der Mess-Leiterbahn und den anderen Leiterbahnen geachtet.
摘要翻译：导电条（ML）将浮动电极（FE）连接到整体式布置中的系统部件（MS）。通过导电条（L）在组件，结构和触点之间发送信号或电流。绝缘体（IS）将导电条（L，ML）彼此隔离。导电条被布置成使得导电条（ML）的布局处理不会越过导电条（L）的布局处理。测量传感器电路还包括独立的权利要求。

9. 发明授权

EP2857833B1 Schichtsystem 有权转让
公开(公告)号：EP2857833B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：EP14003406.7
申请日：2014-10-02
申请人： TDK-Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Zimmermann, Dominik
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4143 , G01N27/4146 , Y10T428/24802 , Y10T428/24926

10. 发明公开

EP2857833A2 Schichtsystem 有权转让
标题翻译：层系统
公开(公告)号：EP2857833A2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：EP14003406.7
申请日：2014-10-02
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Zimmermann, Dominik
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4143 , G01N27/4146 , Y10T428/24802 , Y10T428/24926
摘要： Schichtsystem mit einem Schichtbereich, wobei der Schichtbereich ein monokristallines Siliziumsubstrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite aufweist und wobei auf der Vorderseite eine texturierte Oberfläche ausgebildet ist und die texturierte Oberfläche eine Topographie mit unterschiedlichen Höhen aufweist und auf der texturierten Oberfläche eine Dünnfilmschicht aus einem Metalloxid und / oder einer Oxidkeramik ausgebildet ist, wobei die Dünnfilmschicht die texturierte Oberfläche nur teilweise bedeckt.
摘要翻译：层系统，其包括一个层区域，其中所述层区域包括具有正面和背面和单晶硅衬底，其中带纹理的表面上形成所述前表面上，并且所述纹理化表面具有不同的高度和金属氧化物的薄膜层的凹凸表面上的地形和/ 形成或氧化陶瓷，所述薄膜层，所述有纹理的表面仅部分地覆盖。

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