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    • 1. 发明公开
    • Optische Messanordnung insbesondere zur Schichtdickenmessung
    • EP1152211A3
    • 2002-05-29
    • EP01109784.7
    • 2001-04-20
    • Leica Microsystems Jena GmbH
    • Engel, Horst, Dr.Mikkelsen, Hakon, Dr.Danner, LambertSlodowski, MatthiasBackhaus, KunoWienecke, Joachim, Dr.
    • G01B11/06
    • G01B11/0625
    • Die Erfindung bezieht sich auf eine optische Meßanordnung, insbesondere zur Schichtdickenmessung sowie zur Ermittlung optischer Materialeigenschaften wie Brechungsindex, Extinktionsfaktor usw. einer Probe (P), mit einer Beleuchtungseinrichtung (1) zur Abgabe eines Meßlichtstrahls (6), einem Strahlteiler (8) zur Aufteilung des Meßlichtstrahls (6) in einen Objektlichtstrahl (10) und einen Referenzlichtstrahl (9), einem Meßobjektiv zum Ausrichten des Objektlichtstrahls (10) auf einen Meßort (M) an der Oberfläche der Probe (P) und zum Erfassen des an dem Meßort (M) reflektierten Lichtes des Objektlichtstrahls (10), sowie einer Auswerteeinrichtung (11), in welche der von der Probe (P) reflektierte Objektlichtstrahl (10) und der Referenzlichtstrahl (9) eingekoppelt sind, zum Erhalt von Informationen über die Probe (P), insbesondere über an dieser vorhandene Schichtdicken. Zur Einkopplung des Objektlichtstrahls (10) und des Referenzlichtstrahls (9) in die Auswerteeinrichtung (11) sind Lichtleiteinrichtungen (23, 25) mit einer Vielzahl von Lichtleitfasern vorgesehen. Hierdurch wird eine kompakte, flexibel aufstellbare und störungsunempfindliche optische Meßanordnung geschaffen, die sich besonders zur automatischen Überwachung kontinuierlicher Produktionsvorgänge, insbesondere bei der Halbleiterchip-Herstellung, eignet.
    • 本发明涉及一种光学测量装置,特别是用于层厚度测量和用于确定具有用于发射测量光的照明装置(1)的试样(P)的光学材料性质如折射率,消光因子等 光束(6),用于将测量光束(6)分成样本光束(10)和参考光束(9)的分束器(8),用于将样本光束(10)引导到的测量对象 在所述检体(P)的表面上的测量位置(M)和用于获取从所述测量位置(M)反射的光的测量位置(M);以及分析装置(11),所述参考光束(9)和所述检体光束 (P)反射的(10)被耦合以获得关于样本(P)的信息,特别是关于存在于其上的层厚度。 提供具有多个导光纤维的导光装置(23,25),用于将试样光束(10)和参考光束(9)耦合到分析装置(11)中。 其结果是创建一个紧凑的光学测量装置,其可以灵活地设置并且对干扰不敏感,这特别适用于连续生产过程的自动监测,特别是在半导体芯片制造中。
    • 2. 发明公开
    • Optische Messanordnung insbesondere zur Schichtdickenmessung
    • 特别是光学测量设备,用于测量涂层厚度
    • EP1152211A2
    • 2001-11-07
    • EP01109784.7
    • 2001-04-20
    • Leica Microsystems Jena GmbH
    • Engel, Horst, Dr.Mikkelsen, Hakon, Dr.Danner, LambertSlodowski, MatthiasBackhaus, KunoWienecke, Joachim, Dr.
    • G01B11/06
    • G01B11/0625
    • Die Erfindung bezieht sich auf eine optische Meßanordnung, insbesondere zur Schichtdickenmessung sowie zur Ermittlung optischer Materialeigenschaften wie Brechungsindex, Extinktionsfaktor usw. einer Probe (P), mit einer Beleuchtungseinrichtung (1) zur Abgabe eines Meßlichtstrahls (6), einem Strahlteiler (8) zur Aufteilung des Meßlichtstrahls (6) in einen Objektlichtstrahl (10) und einen Referenzlichtstrahl (9), einem Meßobjektiv zum Ausrichten des Objektlichtstrahls (10) auf einen Meßort (M) an der Oberfläche der Probe (P) und zum Erfassen des an dem Meßort (M) reflektierten Lichtes des Objektlichtstrahls (10), sowie einer Auswerteeinrichtung (11), in welche der von der Probe (P) reflektierte Objektlichtstrahl (10) und der Referenzlichtstrahl (9) eingekoppelt sind, zum Erhalt von Informationen über die Probe (P), insbesondere über an dieser vorhandene Schichtdicken. Zur Einkopplung des Objektlichtstrahls (10) und des Referenzlichtstrahls (9) in die Auswerteeinrichtung (11) sind Lichtleiteinrichtungen (23, 25) mit einer Vielzahl von Lichtleitfasern vorgesehen. Hierdurch wird eine kompakte, flexibel aufstellbare und störungsunempfindliche optische Meßanordnung geschaffen, die sich besonders zur automatischen Überwachung kontinuierlicher Produktionsvorgänge, insbesondere bei der Halbleiterchip-Herstellung, eignet.
    • (8)用于将所述本发明涉及一种光学测量装置,特别是用于层厚度测量和用于光学材料特性如折射率,将样品(P)的消光系数等的确定,与照明装置(1),用于发射的测量光束(6),分束器 测量光束(6)代入的对象光束(10)和参考光束(9),用于样品(P)的表面上的物体光束(10)引导到一个测量点(M)和用于检测(在测量单元M的测量目标 )反射的物体光束(10),和评估装置(11),其中,所述样品(P)的反射物光束(10)和参考光束(9)接合,以获得关于样品(P信息)的光, 特别是存在于该层的厚度。 在物光束(10)和具有多个设置的光纤的参考光束(9)(11)的光导(23,25)耦合所述评估装置。 以这种方式,提供了一种紧凑的,灵活的,可展开和麻烦不敏感的光学测量装置,它是特别适合于连续生产过程的自动监测,尤其是在半导体芯片的生产。