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1. 发明授权

EP0633636B1 Semiconductor laser device 失效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：EP0633636B1
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：EP94110528.0
申请日：1994-07-06
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kurihara, Haruki, c/o Intellectual Property Div. , Yamamoto, Motoyuki, c/o Intellectual Property Div.
IPC分类号： H01S3/19
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/2206 , H01S5/2219 , H01S5/32316 , H01S5/32325

2. 发明公开

EP0422941A3 Method of manufacturing a window structure semiconductor laser 失效
标题翻译：制造窗户结构半导体激光器的方法
公开(公告)号：EP0422941A3
公开(公告)日：1991-10-23
申请号：EP90311173.0
申请日：1990-10-11
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kurihara, Haruki, c/o Intellectual Property Div. , Tamura, Hideo, c/o Intellectual Property Division , Tanaka, Hirokazu, c/o Intellectual Property Div.
IPC分类号： H01L33/00 , H01S3/085
CPC分类号： H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2202 , H01S5/223 , H01S5/2231 , Y10S148/095
摘要： In a method of manufacturing a semiconductor laser which includes a window structure at the periphery of an active layer, the width (W) of the optical waveguide is determined by an etching, and the window structure is formed by an interdiffusion of atoms between a carrier confining layer (46,48) and the active layer (47).

3. 发明公开

EP0633636A1 Semiconductor laser device 失效
标题翻译： Halbleiterlaservorrichtung。
公开(公告)号：EP0633636A1
公开(公告)日：1995-01-11
申请号：EP94110528.0
申请日：1994-07-06
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kurihara, Haruki, c/o Intellectual Property Div. , Yamamoto, Motoyuki, c/o Intellectual Property Div.
IPC分类号： H01S3/19
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/2206 , H01S5/2219 , H01S5/32316 , H01S5/32325
摘要： A semiconductor laser device comprising, a first clad layer (14) of the first conductivity type semiconductor crystal deposited on a first electrode layer (11), an active layer (15), a second clad layer (16) formed of a semiconductor crystal of a second conductivity type, a current barrier layer (18) having a stripe-like current inlet opening (23), a second electrode layer (20) formed of a semiconductor crystal of the second conductivity type, and disposed on the current barrier layer (18) and on the electric current inlet opening. A first electrode (21) is formed on the second electrode layer (20). A second electrode (22) is formed on the bottom surface of the first electrode layer (11). Between the current barrier layer (18) and the second clad layer (16) is formed a photoelectric current barrier layer (19) formed of a semiconductor crystal of the first conductivity type having a larger band gap than that of the active layer (15). This structure is especially useful for devices comprising p-type current barrier layers.
摘要翻译：一种半导体激光器件，包括：沉积在第一电极层（11）上的第一导电类型半导体晶体的第一覆盖层（14），有源层（15），由半导体晶体形成的第二覆盖层（16）第二导电类型，具有条状电流入口（23）的电流阻挡层（18），由第二导电类型的半导体晶体形成的第二电极层（20），并设置在电流势垒层 18）和电流入口开口。第一电极（21）形成在第二电极层（20）上。第二电极（22）形成在第一电极层（11）的底表面上。在电流阻挡层（18）和第二覆盖层（16）之间形成有由具有比有源层（15）的带隙大的带隙的第一导电类型的半导体晶体形成的光电流阻挡层（19）。该结构对于包括p型电流阻挡层的器件特别有用。

4. 发明授权

EP0422941B1 Method of manufacturing a window structure semiconductor laser 失效
标题翻译：一种用于制造半导体激光器具有镜窗口结构的方法
公开(公告)号：EP0422941B1
公开(公告)日：1996-03-27
申请号：EP90311173.0
申请日：1990-10-11
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kurihara, Haruki, c/o Intellectual Property Div. , Tamura, Hideo, c/o Intellectual Property Division , Tanaka, Hirokazu, c/o Intellectual Property Div.
IPC分类号： H01L33/00 , H01S3/085
CPC分类号： H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2202 , H01S5/223 , H01S5/2231 , Y10S148/095

5. 发明公开

EP0422941A2 Method of manufacturing a window structure semiconductor laser 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit Spiegelfensterstruktur。
公开(公告)号：EP0422941A2
公开(公告)日：1991-04-17
申请号：EP90311173.0
申请日：1990-10-11
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kurihara, Haruki, c/o Intellectual Property Div. , Tamura, Hideo, c/o Intellectual Property Division , Tanaka, Hirokazu, c/o Intellectual Property Div.
IPC分类号： H01L33/00 , H01S3/085
CPC分类号： H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2202 , H01S5/223 , H01S5/2231 , Y10S148/095
摘要： In a method of manufacturing a semiconductor laser which includes a window structure at the periphery of an active layer, the width (W) of the optical waveguide is determined by an etching, and the window structure is formed by an interdiffusion of atoms between a carrier confining layer (46,48) and the active layer (47).
摘要翻译：在制造半导体激光器的方法中，在有源层的周围包括窗口结构，通过蚀刻来确定光波导的宽度（W），并且通过载体之间的原子相互扩散形成窗口结构限制层（46,48）和有源层（47）。

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