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2. 发明公开

EP2131240A1 POSITIVE-WORKING RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR RESIST PATTERN FORMATION USING THE COMPOSITION 审中-公开
标题翻译： FOR形成正性辐射敏感的组合物和方法抗蚀剂结构使用该组合物
公开(公告)号：EP2131240A1
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：EP08722276.6
申请日：2008-03-17
申请人： JSR Corporation
发明人： NISHIMURA, Yukio , SAKAI, Kaori , MATSUMURA, Nobuji , SUGIURA, Makoto , NAKAMURA, Atsushi , WAKAMATSU, Gouji , ANNO, Yuusuke
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/2024 , G03F7/2041 , G03F7/40
摘要： A method of patterning using double exposure patterning in a liquid immersion lithographic process is provided. According to the method, the pattern formed in the first layer is made inactive to radiation applied to when forming a second layer pattern, whereby it is possible to form the second layer pattern while maintaining the first layer pattern as is without making it soluble in alkali. The patterning method comprises a step of forming a first pattern on a substrate using a first resist layer forming composition, a step of making the first pattern inactive, a step of forming a second pattern on a substrate on which a pattern has been formed using a second resist layer forming composition and exposing the second resist layer to radiation, and a step of developing the exposed resist layer to form a second pattern in the space area of the first pattern. The first resist layer forming composition contains a cross-linking agent which accelerates conversion of the first layer from positive-working to negative-working.
摘要翻译：提供了一种使用在液浸光刻工艺双重曝光图案形成图案化的方法。。根据该方法，在第一层中形成的图案是由惰性的辐射应用于当形成第二层图案，从而能够在保持第一层图案作为是不使其溶于碱性以形成第二层图案，图案化方法包括使用第一抗蚀剂层形成用组合物，使第一图案不活动的一个步骤上的衬底上形成的第一图案的步骤，在衬底上形成的第二图案的步骤在其上的图案已被使用的成形第二抗蚀剂层形成用组合物和所述第二抗蚀剂层暴露于辐射，并且显影曝光的抗蚀剂步骤层，以形成在所述第一图案的空间区域的第二图案。第一抗蚀剂层形成用组合物含有从加速所述第一层的转化率的交联剂正型负性工作的。

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