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1. 发明公开

EP1148512A3 Verfahren zum Betrieb eines integrierten Speichers 审中-公开
标题翻译：一种操作集成的存储器的方法
公开(公告)号：EP1148512A3
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：EP01105035.8
申请日：2001-03-01
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Esterl, Robert , Hönigschmid, Heinz , Kandolf, Helmut , Röhr, Thomas, Dr.
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22
摘要： Es wird ein Verfahren zum Betrieb eines integrierten Speichers beschrieben, der Speicherzellen (MC0; MC255) mit jeweils einem Auswahltransistor (T0, T255) und einem Speicherkondensator (C0, C255) mit ferroelektrischem Speichereffekt aufweist. Der Speicher enthält eine Plattenleitung (PL), die über eine Reihenschaltung des Auswahltransistors (T0) und des Speicherkondensators (C0) jeweiliger Speicherzellen (MC0) mit einer der Spaltenleitungen (BLt) verbunden ist. Ein Speicherzugriff wird nach dem sogenannten "Pulsed Plate Concept" durchgeführt. Der zeitliche Ablauf wird dabei so gesteuert, daß in einem Zugriffszyklus der Speicherkondensator (C0) der auszuwählenden Speicherzelle (MC0) jeweils um den gleichen Betrag aufgeladen und entladen wird. So wird eine durch Source-Drain-Leckströme von nicht aktivierten Auswahltransistoren verursachte Abschwächung oder Zerstörung der in den Speicherzellen gespeicherten Information vermieden.

2. 发明授权

EP1119004B1 Halbleiter-Speicheranordnung mit Auffrischungslogikschaltung sowie Verfahren zum Auffrischen des Speicherinhaltes einer Halbleiter-Speicheranordnung 有权
标题翻译：与刷新逻辑电路和刷新半导体存储器装置的存储器内容的方法的半导体存储器件
公开(公告)号：EP1119004B1
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：EP00128666.5
申请日：2000-12-28
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Boehm, Thomas , Braun, Georg , Hönigschmid, Heinz , Röhr, Thomas, Dr.
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/406

3. 发明授权

EP1184870B1 Elektronische Treiberschaltung für Wortleitungen einer Speichermatrix und Speichervorrichtung 有权
标题翻译：用于存储器阵列和存储装置的字线驱动器的电子电路
公开(公告)号：EP1184870B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：EP01116514.9
申请日：2001-07-07
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Böhm, Thomas , Röhr, Thomas, Dr. , Gogl, Dietmar
IPC分类号： G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/16
CPC分类号： G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/16

4. 发明公开

EP1184870A1 Elektronische Treiberschaltung für Wortleitungen einer Speichermatrix und Speichervorrichtung 有权
标题翻译：用于存储器阵列和存储装置的字线驱动器的电子电路
公开(公告)号：EP1184870A1
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：EP01116514.9
申请日：2001-07-07
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Böhm, Thomas , Röhr, Thomas, Dr. , Gogl, Dietmar
IPC分类号： G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/16
CPC分类号： G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/16
摘要： Es ist eine elektronische Treiberschaltung für Wortleitungen (WL) einer Speichermatrix (3) vorgesehen, wobei kodierte Ausgänge (IV0-IV3) einer Treiberquelle (2), insbesondere einer Strom-/Spannungsquelle, auf selektierte Wortleitungen (WL i-2 -WL i+1 )durchgeschaltet werden. Dabei werden die Wortleitungen (WL) blockweise durch ein Steuersignal (SLNP; SLN1; SLN2) selektiert und daran die Ausgänge der Treiberquelle (2) angelegt. Durch die Kodierung der Treiberquelle (2) wird dann die jeweilige aktive Wortleitung (Wl i )ausgewählt.
摘要翻译：用于存储器矩阵的字线的电子驱动器连接包括具有驱动源（2）许多编码输出（IV 0 - IV3，V0）。许多字线开关（N1-16，P1-8）是通过控制信号控制的（SLNP; SLN1; SLN2）和可切换地连接所述驱动源输出到字线。因此独立权利要求中包括了以下内容：（a）存储器设备gemäß上述; 和（b）对上述的非易失性磁性半导体存储器。

5. 发明授权

EP1014379B1 Integrierte Schaltung mit einem Decoderelement 有权
标题翻译：一种集成电路，包括一个解码器元件
公开(公告)号：EP1014379B1
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：EP99125422.8
申请日：1999-12-20
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Hönigschmid, Heinz , Braun, Georg , Manyoki, Zoltan , Röhr, Thomas, Dr. , Böhm, Thomas
IPC分类号： G11C8/00 , H03K19/094 , H03M5/16
CPC分类号： G11C8/00 , G11C8/10 , H03K19/084 , H03K19/094 , H03K19/23 , H03M5/16

6. 发明公开

EP1126470A2 Integrierter Halbleiterspeicher mit Speicherzellen mit ferroelektrischem Speichereffekt 有权
标题翻译：具有铁电存储器效应的存储单元的集成半导体存储器
公开(公告)号：EP1126470A2
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：EP01100917.2
申请日：2001-01-16
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Esterl, Robert , Hönigschmid, Heinz , Kandolf, Helmut , Röhr, Thomas, Dr.
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22
摘要： Ein integrierter Halbleiterspeicher weist Speicherzellen (MC) mit ferroelektrischem Speichereffekt auf, die zu Einheiten von Spaltenleitungen (BL1, BL2) und Zeilenleitungen (WL1, WL2) zusammengefaßt sind. Die Speicherzellen (MC) sind jeweils zwischen eine der Spaltenleitungen (BL1) und eine Ladeleitung (PL1) geschaltet. Die Spaltenleitung (BL1) ist an einen Leseverstärker (2) angeschlossen, an dem ein Ausgangssignal (S21) abgreifbar ist, die Ladeleitung (PL1) ist mit einer Treiberschaltung (3) verbunden, durch die die Ladeleitung (PL1) an einem vorgegebenen Potential (V1, GND) anliegt. Die Spaltenleitung (BL1) und die Ladeleitung (PL1) sind in einer inaktiven Betriebsart gemeinsam im Leseverstärker (2) oder in der Treiberschaltung (3) mit einem Anschluß (22) für ein gemeinsames Versorgungspotential (GND) verbunden. Dadurch ist ein relativ schneller Potentialausgleich zwischen den Leitungen (BL1, PL1) möglich. Es kann dadurch eine unbeabsichtigte Veränderung des Speicherzelleninhalts infolge von Störspannungen vergleichsweise gering gehalten werden.
摘要翻译：一种集成的半导体存储器具有存储单元（MC）与铁电体存储器的效果，这在列线（BL1，BL2）和行线（WL1，WL2）单元进行了总结。的存储单元（MC）是各列线（BL1）和充电线（PL1）连接中的一个之间。列线（BL1）连接到感测放大器（2），其输出信号（S21）可以拾取，充电线（PL1）被连接到一个驱动电路（3），通过该充电线（PL1）为预定电位（ V1，GND）施加。列线（BL1）和充电线（PL1）连接在读出放大器（2）中共同的非活动模式或在具有用于公共电源电位（GND）的端子（22）（3），所述驱动电路。由此，线（BL1，PL1）之间的相对更快的电位均衡是可能的。它可以被保持在存储单元中的内容的非预期的变化，由于干扰电压相对较低。

7. 发明公开

EP1126470A3 Integrierter Halbleiterspeicher mit Speicherzellen mit ferroelektrischem Speichereffekt 有权
标题翻译：具有铁电存储器效应的存储单元的集成半导体存储器
公开(公告)号：EP1126470A3
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：EP01100917.2
申请日：2001-01-16
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Esterl, Robert , Hönigschmid, Heinz , Kandolf, Helmut , Röhr, Thomas, Dr.
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22
摘要： Ein integrierter Halbleiterspeicher weist Speicherzellen (MC) mit ferroelektrischem Speichereffekt auf, die zu Einheiten von Spaltenleitungen (BL1, BL2) und Zeilenleitungen (WL1, WL2) zusammengefaßt sind. Die Speicherzellen (MC) sind jeweils zwischen eine der Spaltenleitungen (BL1) und eine Ladeleitung (PL1) geschaltet. Die Spaltenleitung (BL1) ist an einen Leseverstärker (2) angeschlossen, an dem ein Ausgangssignal (S21) abgreifbar ist, die Ladeleitung (PL1) ist mit einer Treiberschaltung (3) verbunden, durch die die Ladeleitung (PL1) an einem vorgegebenen Potential (V1, GND) anliegt. Die Spaltenleitung (BL1) und die Ladeleitung (PL1) sind in einer inaktiven Betriebsart gemeinsam im Leseverstärker (2) oder in der Treiberschaltung (3) mit einem Anschluß (22) für ein gemeinsames Versorgungspotential (GND) verbunden. Dadurch ist ein relativ schneller Potentialausgleich zwischen den Leitungen (BL1, PL1) möglich. Es kann dadurch eine unbeabsichtigte Veränderung des Speicherzelleninhalts infolge von Störspannungen vergleichsweise gering gehalten werden.

8. 发明公开

EP1148512A2 Verfahren zum Betrieb eines integrierten Speichers 审中-公开
标题翻译：一种操作集成的存储器的方法
公开(公告)号：EP1148512A2
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：EP01105035.8
申请日：2001-03-01
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Esterl, Robert , Hönigschmid, Heinz , Kandolf, Helmut , Röhr, Thomas, Dr.
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22
摘要： Es wird ein Verfahren zum Betrieb eines integrierten Speichers beschrieben, der Speicherzellen (MC0; MC255) mit jeweils einem Auswahltransistor (T0, T255) und einem Speicherkondensator (C0, C255) mit ferroelektrischem Speichereffekt aufweist. Der Speicher enthält eine Plattenleitung (PL), die über eine Reihenschaltung des Auswahltransistors (T0) und des Speicherkondensators (C0) jeweiliger Speicherzellen (MC0) mit einer der Spaltenleitungen (BLt) verbunden ist. Ein Speicherzugriff wird nach dem sogenannten "Pulsed Plate Concept" durchgeführt. Der zeitliche Ablauf wird dabei so gesteuert, daß in einem Zugriffszyklus der Speicherkondensator (C0) der auszuwählenden Speicherzelle (MC0) jeweils um den gleichen Betrag aufgeladen und entladen wird. So wird eine durch Source-Drain-Leckströme von nicht aktivierten Auswahltransistoren verursachte Abschwächung oder Zerstörung der in den Speicherzellen gespeicherten Information vermieden.
摘要翻译：（; MC255 MC0）每一个都具有选择晶体管（T0，T255），并具有一个存储电容器（C0，C255）与铁电记忆效应一种用于操作，存储器单元描述的集成存储器的方法。该存储器包括一个板线（PL），其通过选择晶体管（T0）和相应的存储器单元（MC0）与所述列线（BLT）中的一个的存储电容器（C0）的一个串联电路连接。一个存储器存取根据“脉冲平板概念”进行。被控制的定时，使得，在一个存取周期中，存储电容器（C0）将被选择的存储单元（MC0）以相同的量在每种情况下被充电和放电的。因此，在引起未活化的选择晶体管的源极 - 漏极漏电流的存储器单元所存储的信息的弱化或破坏得以避免。

9. 发明公开

EP1119004A1 Halbleiter-Speicheranordnung mit Auffrischungslogikschaltung sowie Verfahren zum Auffrischen des Speicherinhaltes einer Halbleiter-Speicheranordnung 有权
标题翻译：与刷新逻辑电路和刷新半导体存储器装置的存储器内容的方法的半导体存储器件
公开(公告)号：EP1119004A1
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：EP00128666.5
申请日：2000-12-28
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Boehm, Thomas , Braun, Georg , Hönigschmid, Heinz , Röhr, Thomas, Dr.
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/406
摘要： Halbleiter-Speicheranordnung mit Auffrischungslogikschaltung sowie Verfahren zum Auffrischen des Speicherinhaltes einer Halbleiter-Speicheranordnung
Bei einer Halbleiter-Speicheranordnung wird der Auffrischungsvorgang durch die Auffrischungslogikschaltung (8) immer dann gestartet, wenn eine Vergleichsschaltung (9) beim Vergleich einer charakteristischen Größe zumindest einer Referenz-Speicherzelle (10) mit einem Referenzwert (VREF) eine bestimmte Mindestabweichung feststellt.
摘要翻译：所述存储器装置具有存储器单元字段（7）具有多个通过字线和位线和用于刷新所述存储单元字段的存储内容的刷新逻辑电路（8）驱动的存储单元。比较器电路（9）比较与参考值（VREF）的至少一个存储器单元（10）的特性参数，并根据需要将激活刷新逻辑。

10. 发明公开

EP1014379A1 Integrierte Schaltung mit einem Decoderelement 有权
标题翻译：一种集成电路，包括一个解码器元件
公开(公告)号：EP1014379A1
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：EP99125422.8
申请日：1999-12-20
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： Hönigschmid, Heinz , Braun, Georg , Manyoki, Zoltan , Röhr, Thomas, Dr. , Böhm, Thomas
IPC分类号： G11C8/00 , H03K19/094 , H03M5/16
CPC分类号： G11C8/00 , G11C8/10 , H03K19/084 , H03K19/094 , H03K19/23 , H03M5/16
摘要： Die integrierte Schaltung weist ein erstes Decoderelement (DE1) auf, das drei Betriebszustände hat, in denen es an einem Ausgang (OUT) drei jeweils unterschiedliche Potentiale (-2V, 0V, 4V) erzeugt, wobei das zweite Potential (0V) zwischen dem ersten (-2V) und dem dritten (4V) Potential liegt.
摘要翻译：该集成电路包括一个第一解码器元件（DE1），其具有三种操作状态，其中它在输出端（OUT）产生第一之间的三个分别具有不同的电势（-2V，0V，4V）时，第二电位（0V）（-2V）和第三（4V）的潜力。

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