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1. 发明公开

EP1069622A1 An inpsb channel hemt on inp for rf applications 有权
标题翻译： HEMT mit InPSb-Kanal auf InPfürRF-Anwendungen
公开(公告)号：EP1069622A1
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：EP00114586.1
申请日：2000-07-07
申请人： Hughes Electronics Corporation
发明人： Matloubian, Mehran , Docter, Daniel , Micovic, Miroslav
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/201 , H01L29/7787
摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) (10) includes a substrate (11) comprising indium phosphide and an optional buffer layer (12) immediately adjacent the substrate (11). A channel layer (13) immediately is adjacent the buffer layer (12), with the channel layer (13) comprising indium phosphide antimonide and characterized by a formula of InP x Sb (1-x) , wherein x is about 0.85. The channel layer (13) has a thickness of about 120 Angstroms. A Schottky layer (14) is immediately adjacent the channel layer (13) and a contact layer (15) is immediately adjacent the Schottky layer (14). The transistor (10) is characterized by a breakdown field of about 400kV/cm and a saturated velocity of about 8.2 x 10 6 cm/s.
摘要翻译：高电子迁移率晶体管（HEMT）（10）包括包含磷化铟的衬底（11）和紧邻衬底（11）的任选的缓冲层（12）。沟道层（13）立即与缓冲层（12）相邻，沟道层（13）包含磷化铟锑化物，并以InPxSb（1-x）的方式表征，其中x为约0.85。沟道层（13）具有约120埃的厚度。肖特基层（14）紧邻沟道层（13），接触层（15）紧邻肖特基层（14）。晶体管（10）的特征在于约400kV / cm的击穿场和约8.2×10 6 cm / s的饱和速度。

2. 发明授权

EP1069622B1 An InPSb channel HEMT on InP for RF applications 有权
标题翻译： HEMT具有在InP上InPSb信道RF应用
公开(公告)号：EP1069622B1
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：EP00114586.1
申请日：2000-07-07
申请人： Hughes Electronics Corporation
发明人： Matloubian, Mehran , Docter, Daniel , Micovic, Miroslav
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/201 , H01L29/7787

3. 发明授权

EP0741414B1 Monolithic microwave integrated circuit and method 失效
标题翻译：单片微波集成电路和方法
公开(公告)号：EP0741414B1
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：EP96106512.5
申请日：1996-04-25
申请人： Hughes Electronics Corporation
发明人： McDonald, Perry A. , Larson, Lawrence E. , Case, Michael G. , Matloubian, Mehran , Chen, Mary Y. , Rensch, David B.
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2223/6683

4. 发明授权

EP0747963B1 AlPSb/InP single heterojunction bipolar transistor on InP substrate for high-speed, high-power applications 失效
标题翻译： AIPSb /磷化铟单异质结对Hochgeschwindigkeit-和重载应用双极晶体管InP衬底
公开(公告)号：EP0747963B1
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：EP96108615.4
申请日：1996-05-30
申请人： Hughes Electronics Corporation
发明人： Liu, Takyiu , Nguyen, Chanh , Matloubian, Mehran
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/201
CPC分类号： H01L29/205 , H01L29/201 , H01L29/7371 , Y10S148/072

5. 发明授权

EP0829906B1 Junction high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor monolithic microwave integrated circuit and method of fabrication 失效
标题翻译：用结型晶体管和高电子迁移率的异质结双极晶体管及其制造方法的单片微波集成电路
公开(公告)号：EP0829906B1
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：EP97115778.9
申请日：1997-09-11
申请人： Hughes Electronics Corporation
发明人： Shealy, Jeffrey B. , Matloubian, Mehran
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8252
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/8252 , H01L27/0605

6. 发明授权

EP0747965B1 Low-noise and power AlGaPSb/GaInAs HEMTs and pseudomorphic HEMTs on GaAs substrate 失效
标题翻译：低噪声AlGaPSb / GaInAs的HEMT和假晶HEMT性能在GaAs基板上
公开(公告)号：EP0747965B1
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：EP96108616.2
申请日：1996-05-30
申请人： Hughes Electronics Corporation
发明人： Matloubian, Mehran , Liu, Takyiu , Nguyen, Chanh
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/201
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/201

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