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2. 发明公开

EP0023118A1 Integrated semiconductor devices 失效
标题翻译：集成半导体器件
公开(公告)号：EP0023118A1
公开(公告)日：1981-01-28
申请号：EP80302374.6
申请日：1980-07-15
申请人： FUJITSU LIMITED
发明人： Ohba, Osamu , Yoshida, Makoto
IPC分类号： H03K19/092 , H03K19/091 , H01L27/02 , H03K19/088
CPC分类号： H01L27/11898 , H03K19/01806
摘要： The device has a chip (A) with a functional circuit (FUN) in a central area and input (ii) and output (lo) interface circuits in peripheral areas.
Each interface circuit (li, lo) is built up by a group of circuit elements. The circuit elements are the same for each group and provide an input stage (F 1 ) an intermediate amplifying stage (F 2 ) and an output stage (F 3 ). By connecting the circuit elements of a group in different ways either an input (li) or an output (lo) interface circuit can be provided. Also, different threshold values for signals incoming to the interface circuit can be provided.
摘要翻译：该器件具有在中心区域具有功能电路（FUN）的芯片（A），以及在外围区域具有输入（ii）和输出（lo）接口电路。每个接口电路（li，lo）由一组电路元件构成。电路元件对于每个组是相同的，并且提供输入级（F1），中间放大级（F2）和输出级（F3）。通过以不同的方式连接组的电路元件，可以提供输入（Ii）或输出（Io）接口电路。而且，可以提供输入到接口电路的信号的不同阈值。

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