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1. 发明公开

EP0659902A1 Procédé de dépôt de couches minces de silice à basse température 失效
标题翻译： Verfahren zur HerstellungdünnerSiliciumoxidschichten bei niedriger Temperatur。
公开(公告)号：EP0659902A1
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：EP94402544.4
申请日：1994-11-10
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Chouan, Yannick
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/02 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/511
摘要： L'invention concerne le dépôt d'une couche mince de silice sur un substrat par réaction chimique assistée par un plasma généré dans un réacteur à plasma (1), le substrat étant disposé dans une enceinte à vide (5). On réalise la succession d'étapes suivantes : introduction d'oxygène et éventuellement d'argon dans l'enceinte à vide, amorçage du plasma, introduction du silane dans l'enceinte à vide, la pression des gaz dans l'enceinte à vide lors du dépôt étant comprise entre 40 et 80 µbars, le débit d'argon étant compris entre 0 et 35 cm³/min, le débit de silane étant compris entre 12 et 24 cm³/min, le débit d'oxygène étant compris entre 13 et 35 cm³/min.
摘要翻译：用于通过在等离子体反应器（1）中产生的等离子体辅助的化学反应在衬底上沉积二氧化硅薄层的方法，将衬底放置在真空容器（5）中。执行以下步骤的连续进行：将氧气和任选的氩气引入真空容器中，引发等离子体，将硅烷引入真空容器中，在沉积期间在真空容器中的气体压力在40和 80巴，氩气流速在0-35厘米3 /分钟之间，硅烷流速在12至24厘米3 /分钟之间，氧气流速在13和35厘米之间， 3> /分钟。

2. 发明公开

EP0569296A1 Dispositif et machine à plasma de traitement chimique et procédé utilisant ce dispositif 失效
标题翻译：使用等离子体化学处理装置，以及它们的使用方法。
公开(公告)号：EP0569296A1
公开(公告)日：1993-11-10
申请号：EP93401159.4
申请日：1993-05-05
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Chouan, Yannick , Le Contellec, Michel , Morin, François , Saada, Serge
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/42 , C23F1/02 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32256 , H01J37/32357
摘要： Le dispositif comporte une source HF (2), une enceinte à plasma (4) comportant des alimentations en gaz, une pompe à vide (50), des éléments de couplage de la source à l'enceinte à plasma, cette dernière non rayonnante ayant la forme d'un parallélépipède rectangle avec des première et seconde faces en matériau diélectrique, parallèles à la direction du champ magnétique et une troisième face équipée d'une ouverture rectangulaire (14) parallèle à ce champ pour former un plasma en forme de ruban, une enceinte de traitement contenant un porte-échantillon (18) mobile communiquant via l'ouverture avec l'enceinte à plasma. Les moyens de couplage comportent deux guides (30, 38) d'ondes linéaire de section rectangulaire orientés selon la direction de propagation des ondes et disposés de part et d'autre de l'enceinte à plasma, un cornet (36) pour coupler l'un des guides à l'enceinte à plasma dont la section s'élargit dans le sens du champ magnétique, l'autre guide étant muni d'un court-circuit (46).
摘要翻译：该装置包括在RF源（2），等离子外壳（4）包括气体供应器，真空泵（50），用于源极耦合到所述等离子体封闭元件，后者被非辐射和具有的权利的形状 -angled平行六面与由介电材料制成，并平行于磁场的方向上，并配有矩形孔（14）平行于该字段中的第三面，以形成条纹状的等离子体的第一和第二面，一个处理外壳包含经由光圈的等离子体外壳连通的可动样本保持器（18）。所述耦合装置包括矩形截面的两个线性波导（30，38），并沿波的传播方向为耦合所述引导件中的一个向等离子体外壳定向和布置在等离子体外壳，一个喇叭（36）的任意一侧，其中部分中的磁场的方向加宽，另一个导向配备有短路（46）。

3. 发明公开

EP0558401A1 Procédé de fabrication d'un transistor en couches minces à double grille et à masque optique 失效
标题翻译：具有双重栅极和光学掩模的薄膜晶体管的制造方法。
公开(公告)号：EP0558401A1
公开(公告)日：1993-09-01
申请号：EP93400462.3
申请日：1993-02-23
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Chouan, Yannick , Bonnel, Madeleine
IPC分类号： G02F1/136 , H01L21/84 , H01L29/784
CPC分类号： H01L29/78633 , G02F1/1368 , Y10S148/106
摘要： Ce procédé consiste à déposer une couche conductrice de source et de drain sur un substrat isolant (31) ; réaliser des motifs de résine photo-sensible fixant l'emplacement des source et drain (34) ; graver la couche conductrice ; déposer sur la structure obtenue une couche d'un métal opaque destinée à former la grille inférieure (42) ; effectuer un retreint thermique des motifs de résine ; déposer de façon isotrope une couche (39) d'a-C:H de préférence ; dissoudre les motifs de résine ; déposer une couche de semi-conducteur (44), une couche d'isolant (45) puis une couche conductrice (46) destinées à réaliser la grille supérieure du transistor ; photograver l'empilement de couche conductrice, semi-conductrice et isolante pour fixer les dimensions du transistor et passiver la structure obtenue d'un isolant électrique (48).
摘要翻译：这个过程在besteht走上绝缘基板的沉积导电源和漏层（31）; 产生固定的源极和漏极（34）的位置的感光性树脂的图案; 蚀刻所述导电层; 沉积，在所述结构上获得，预期的不透明金属的层，以形成底栅（42）; 热收缩树脂图案; 沉积，以各向同性的方式，a-C制的层（39）：H优选地，溶解树脂图案; 沉积绝缘层（45）的半导体层（44），然后一个导电层（46），论文层被旨在产生晶体管的顶栅; 和光刻导电，半导体和以固定的晶体管的尺寸，并在电绝缘（48），以钝化与获得的结构的绝缘层的堆栈。

4. 发明授权

EP0558401B1 Procédé de fabrication d'un transistor en couches minces à double grille et à masque optique 失效
标题翻译：一种制造薄膜晶体管的方法，用双栅极和光学掩模
公开(公告)号：EP0558401B1
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：EP93400462.3
申请日：1993-02-23
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Chouan, Yannick , Bonnel, Madeleine
IPC分类号： G02F1/136 , H01L21/84 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/78633 , G02F1/1368 , Y10S148/106

5. 发明授权

EP0524067B1 Structure d'écran à cristal liquide, à matrice active et à haute définition 失效
标题翻译：高分辨率液晶显示屏的有源矩阵
公开(公告)号：EP0524067B1
公开(公告)日：1997-04-23
申请号：EP92401987.0
申请日：1992-07-09
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Morin, François , Chouan, Yannick , Vinouze, Bruno
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/133512 , G02F1/136213 , G02F1/1368

6. 发明授权

EP0511096B1 Procédé de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogène et procédé de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passive 失效
标题翻译：一种用于Lokalpassivierung过程具有非晶含氢碳膜和在该钝化基板的制造薄膜晶体管的方法的基板。
公开(公告)号：EP0511096B1
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：EP92401143.0
申请日：1992-04-22
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Chouan, Yannick
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/29
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L21/314 , H01L21/481 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L29/78636 , H01L29/7866 , H01L2924/0002 , Y10S148/10 , Y10S148/15 , Y10S438/958 , H01L2924/00

7. 发明公开

EP0511096A1 Procédé de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogène et procédé de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passive 失效
标题翻译：一种用于Lokalpassivierung过程具有非晶含氢碳膜和在该钝化基板的制造薄膜晶体管的方法的基板。
公开(公告)号：EP0511096A1
公开(公告)日：1992-10-28
申请号：EP92401143.0
申请日：1992-04-22
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Chouan, Yannick
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/29
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L21/314 , H01L21/481 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L29/78636 , H01L29/7866 , H01L2924/0002 , Y10S148/10 , Y10S148/15 , Y10S438/958 , H01L2924/00
摘要： Procédé de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogéné et procédé de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passivé.
Le procédé de passivation locale consiste à réaliser des motifs (3) de résine photosensible sur le substrat (1), à soumettre la structure obtenue à un plasma radiofréquence constitué essentiellement d'hydrocarbure pour déposer ainsi une couche (6) de carbone amorphe hydrogéné sur la structure et dissoudre les motifs (3) de la résine afin d'éliminer le carbone amorphe déposé sur la résine, le carbone amorphe déposé sur le substrat constituant ladite passivation.

8. 发明公开

EP0415842A1 Procédé de réalisation d'un écran d'affichage à matrice active et à structure inversée 失效
标题翻译：一种制造具有有源矩阵结构和倒置的显示面板的过程。
公开(公告)号：EP0415842A1
公开(公告)日：1991-03-06
申请号：EP90402376.9
申请日：1990-08-28
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Vinouze, Bruno , Chouan, Yannick
IPC分类号： G02F1/136 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L29/784
CPC分类号： H01L29/78696 , G02F1/1368 , H01L29/78669 , Y10S359/90 , Y10S438/949
摘要： Procédé de réalisation d'une paroi pour écran d'affichage à matrice active.
Par une première gravure, on forme des lignes d'empilement de couches (L) avec à la base un métal. On comble les intervalles entre lignes par un polyimide négatif. Sur la surface, on grave des colonnes (C) et des pavés (P). Ces éléments servent de masque pour une gravure laissant des transistors de commande dans une configuration grille dessous.
Application à la réalisation d'écrans d'affichage à cristaux liquides.

9. 发明授权

EP0415842B1 Procédé de réalisation d'un écran d'affichage à matrice active et à structure inversée 失效
标题翻译：一种制造具有有源矩阵结构和倒置的显示面板的过程。
公开(公告)号：EP0415842B1
公开(公告)日：1994-04-13
申请号：EP90402376.9
申请日：1990-08-28
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Vinouze, Bruno , Chouan, Yannick
IPC分类号： G02F1/136 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L29/784
CPC分类号： H01L29/78696 , G02F1/1368 , H01L29/78669 , Y10S359/90 , Y10S438/949

10. 发明公开

EP0524067A1 Structure d'écran à cristal liquide, à matrice active et à haute définition 失效
标题翻译： HochauflösenderFlüssigkristallbildschirmmit aktiver Matrix。
公开(公告)号：EP0524067A1
公开(公告)日：1993-01-20
申请号：EP92401987.0
申请日：1992-07-09
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Morin, François , Chouan, Yannick , Vinouze, Bruno
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/133512 , G02F1/136213 , G02F1/1368
摘要： Cette structure d'écran en couleur pour l'affichage en couleur comporte un premier et un second substrats transparents écartés l'un de l'autre, entre lesquels est interposé un film de cristal liquide (6), le premier substrat (2) supportant essentiellement des filtres colorés (124) résistant à de hautes températures, séparés par des masques optiques (126) ; une première couche transparente (128) de passivation déposée sur toute la surface occupée par les filtres et les masques optiques ; des transistors (8, 9) en couches minces, formés sur la première couche de passivation, en regard des masques optiques de façon à être protégés de la lumière ambiante ; des premières armatures (10) transparentes de condensateurs, formées sur la première couche de passivation en regard des filtres colorés et connectées aux transistors ; des lignes (14) et des colonnes (12) d'électrodes pour commander ces transistors ; une seconde couche transparente de passivation (20) recouvrant l'ensemble des transistors, des premières armatures, des lignes et des colonnes ;
et le second substrat (4) comportant essentiellement la seconde armature transparente des condensateurs.
摘要翻译：用于彩色显示器的彩色屏幕结构包括间隔开的第一和第二透明基板，介于其间的液晶膜（6），第一基板（2）基本上支撑能承受高温的滤色器（124），由光学掩模（126）分离; 沉积在由滤光器和光掩模占据的整个表面上的第一透明钝化层（128）; 形成在第一钝化层上的与光掩模相对的薄膜晶体管（8,9），以防止环境光; 用于电容器的第一透明板（10），所述板形成在与滤色器相对的第一钝化层上并连接到晶体管; 用于驱动这些晶体管的电极的行（14）和列（12）覆盖整组晶体管，第一板，行和列的第二透明钝化层（20）; 第二基板（4）基本上包括电容器的第二透明板。 ... ...

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