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1. 发明公开

EP4184594A1 PHOTODIODE GERMANIUM A COURANT D OBSCURITE REDUIT COMPORTANT UNE PORTION INTERMEDIAIRE PERIPHERIQUE A BASE DE SIGE/GE 有权
公开(公告)号：EP4184594A1
公开(公告)日：2023-05-24
申请号：EP22207393.4
申请日：2022-11-15
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader , KAYA, Hacile , HARTMANN, Jean-Michel
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/103 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： L'invention porte sur une photodiode planaire comportant une couche principale (22) comportant une première région (11) dopée de type n, une deuxième région (12) dopée de type p, et une région intermédiaire (13), ainsi qu'une portion latérale périphérique (25) dopée de type p. Elle comporte également une portion intermédiaire périphérique (27), réalisée en une alternance de couches minces monocristallines de silicium germanium (27.1) et de germanium (27.2), située au niveau de la première face (22a), et s'étendant entre et à une distance non nulle de la première région dopée (11) et de la portion latérale périphérique (25) de manière à entourer la première région dopée (11) dans un plan principal.

2. 发明公开

EP3971995A1 PHOTODIODE PASSIVÉE COMPORTANT UNE PORTION PÉRIPHÉRIQUE FERROÉLECTRIQUE 有权
公开(公告)号：EP3971995A1
公开(公告)日：2022-03-23
申请号：EP21197570.1
申请日：2021-09-17
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader , KAYA, Hacile
IPC分类号： H01L31/105
摘要： L'invention porte sur une photodiode comportant :une portion de détection (10) présentant une première région dopée (11), une deuxième région dopée (12) et une région intermédiaire (13) ; une couche diélectrique (30) ; et une portion périphérique semiconductrice (25). Elle comporte également une portion périphérique ferroélectrique (26.1) située entre et au contact de la région intermédiaire (13) et de la couche diélectrique (30), et située entre la première région (11) et la portion périphérique semiconductrice (25) et entourant la première région (11) dans le plan principal.

3. 发明公开

EP3255014A1 DISPOSITIF À PISTE ÉLECTRIQUEMENT CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF 审中-公开
标题翻译：导电轨道装置和用于制造该装置的方法
公开(公告)号：EP3255014A1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：EP17174823.9
申请日：2017-06-07
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： BENWADIH, Mohammed , ALIANE, Abdelkader
IPC分类号： B81B7/00 , C09D11/52 , H05K1/09 , H01Q1/38
CPC分类号： H05K3/125 , B05D1/02 , B81B7/0006 , B81B2207/07 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/52 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , H05K1/0284 , H05K1/092 , H05K1/097 , H05K1/165 , H05K3/0014 , H05K2201/032 , H05K2201/10098 , H05K2203/013
摘要： Le procédé de fabrication d'un dispositif (1) comprenant une piste (3) électriquement conductrice agencée sur un support (2) comporte une étape de dépôt (E2-2) d'une solution par impression sur le support (2). Ladite solution comporte un mélange d'un solvant, d'un ensemble de particules métalliques (4) et d'un matériau métallique (5) présentant une température de fusion inférieure à celle des particules métalliques (4) de l'ensemble de particules métalliques. Le procédé prévoit une étape de fusion (E2-4, E3) du matériau métallique (5) d'où il résulte la formation d'une soudure en matériau métallique (5) entre des particules métalliques (4) de l'ensemble de particules métalliques. Après l'étape de formation (E2) de la piste (3) électriquement conductrice, le procédé comporte une étape de thermoformage (E4) d'au moins une partie du support (2).
摘要翻译：制造包括布置在支撑件（2）上的导电轨道（3）的设备（1）的方法包括通过在支撑件（2）上进行印刷来沉积（E2-2）溶液的步骤。所述溶液包含溶剂，一组金属颗粒（4）和熔点比该组金属颗粒（4）的熔点低的金属材料（5）的混合物。该方法提供金属材料（5）的熔化步骤（E2-4，E3），由该金属材料（5）的金属颗粒（4）之间形成金属材料（5）的焊缝。金属。在导电轨道（3）的成形步骤（E2）之后，该方法包括支撑件（2）的至少一部分的热成形步骤（E4）。

4. 发明公开

EP3004823A1 CAPTEUR DE TEMPERATURE 有权
公开(公告)号：EP3004823A1
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：EP14733246.4
申请日：2014-06-03
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader , BENWADIH, Mohammed
IPC分类号： G01K1/16
CPC分类号： G01K7/16 , B29C35/00 , B29K2067/00 , B29K2067/003 , G01K1/16
摘要： The invention concerns a flexible film (20) of crystalline or semi-crystalline material comprising a first region (24) surrounded by a first amorphized wall (26).
摘要翻译：本发明涉及包括由第一非晶化壁（26）围绕的第一区域（24）的晶体或半晶体材料的柔性膜（20）。

5. 发明授权

EP2800957B1 CAPTEUR DE TEMPERATURE CAPACITIF COMPRENANT DEUX CONDENSATEURS EN PONT DIVISEUR DE TENSION 失效
标题翻译：与两个电容作为分压器桥电容式传感器温度
公开(公告)号：EP2800957B1
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：EP12795576.3
申请日：2012-11-19
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader
IPC分类号： G01K7/34
CPC分类号： G01K7/343 , G01K7/34

6. 发明公开

EP2800957A1 CAPTEUR DE TEMPERATURE CAPACITIF COMPRENANT DEUX CONDENSATEURS EN PONT DIVISEUR DE TENSION 失效
标题翻译： KAPAZITIVER TEMPERATURSENSOR MIT ZWEI KONDENSATOREN ALS EINEMSPANNUNGSTEILERBRÜCKE
公开(公告)号：EP2800957A1
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：EP12795576.3
申请日：2012-11-19
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader
IPC分类号： G01K7/34
CPC分类号： G01K7/343 , G01K7/34
摘要： A temperature sensor (10) comprises: a capacitive sensor (12) comprising an input terminal (14) for applying an input voltage, an output terminal (18) for reading an output voltage from the circuit, and a reference potential terminal (16, 18); a voltage circuit (26) for applying a pre-determined voltage at the input terminal of the circuit (14); and a circuit (28) for reading the voltage at the output terminal (18) of the capacitive circuit (12) and converting the voltage read into a temperature measurement. According to the invention, the capacitive circuit comprises: a first capacitor (22) connected between the input (14) and output (18) terminals, the capacitance of which decreases as a function of the temperature; and a second capacitor (24) connected between the input terminal (14) and the reference potential terminal (16), the capacitance thereof increasing as a function of the temperature.
摘要翻译：一种温度传感器，包括电容电路，该电容电路包括用于施加输入电压的输入端子，用于读取电路的输出电压的输出端子和参考电位端子，用于向输入端施加预定电压的电压电路端子和用于读取电容电路的输出端子处的电压并将读取的电压转换成温度测量的电路。根据本发明，电容电路包括连接在输入和输出端之间并具有根据温度降低的电容的冷冻电容器; 以及第二电容器，其连接在参考电位的输入端子和端子之间，并且具有与温度一起增加的电容。

7. 发明公开

EP4292136A1 PHOTODIODE GERMANIUM A CONTACTS METALLIQUES OPTIMISES 审中-实审
公开(公告)号：EP4292136A1
公开(公告)日：2023-12-20
申请号：EP22704381.7
申请日：2022-02-09
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader , KAYA, Hacile
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/105

8. 发明公开

EP3657556A1 PROCEDE DE FABRICATION D'AU MOINS UNE PHOTODIODE PLANAIRE PASSIVEE A COURANT D'OBSCURITE REDUIT 有权
公开(公告)号：EP3657556A1
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：EP19210679.7
申请日：2019-11-21
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader , OUVRIER-BUFFET, Jean-Louis , ANDRE, Luc , KAYA, Hacile
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/103 , H01L31/028 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0232
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'au moins une photodiode 1 planaire passivée, comportant les étapes suivantes :
- réalisation d'une portion semiconductrice de détection 10 ;
- dépôt d'une couche diélectrique de passivation 20 ;
- réalisation d'une portion périphérique 21 réalisée en un matériau semiconducteur dopé
- recuit de diffusion des éléments dopants depuis la portion périphérique 21 dans la portion semiconductrice de détection 10, formant une région périphérique 14 dopée ;
- réalisation d'une région supérieure 11 dopée, entourée par la région périphérique 14 dopée.

9. 发明授权

EP3126875B1 DETECTEUR DE RAYONS X ET SON PROCEDE DE FABRICATION 失效
标题翻译： X射线探测器及其制造方法
公开(公告)号：EP3126875B1
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：EP15709720.5
申请日：2015-02-17
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader
IPC分类号： G01T1/12
CPC分类号： G01T1/1606 , G01T1/12

10. 发明公开

EP3069390A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PYROELECTRIQUE ET/OU PIEZOELECTRIQUE 有权
标题翻译：一种用于生产热电和/或压电器件
公开(公告)号：EP3069390A1
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：EP14805987.6
申请日：2014-10-27
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： ALIANE, Abdelkader
IPC分类号： H01L37/02 , H01L41/317 , H01L41/45
CPC分类号： H01L37/025 , H01L41/317 , H01L41/45
摘要： The invention relates to a process for manufacturing a piezoelectric and/or pyroelectric device comprising a polyvinylidene fluoride film (16), the process comprising a step of forming at least one portion (14) of a layer of a solution comprising a solvent and a compound comprising polyvinylidene fluoride and a step of irradiating the portion with pulses of at least one ultraviolet radiation (18). The irradiating step enables the formation of at least two β crystalline phases having different orientations.

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