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1. 发明公开

EP3210246A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF RÉSISTIF POUR CIRCUIT MÉMOIRE OU LOGIQUE 有权转让
标题翻译： PROCÉDÉDE FABRICATION D'UN DISPOSITIFRÉSISTIFPOUR CIRCUITMÉMOIREOU LOGIQUE
公开(公告)号：EP3210246A1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：EP15781110.0
申请日：2015-10-15
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique , Université Grenoble Alpes
发明人： DIENY, Bernard , DARNON, Maxime , NAVARRO, Gabriele , JOUBERT, Olivier
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/22 , H01L27/24
CPC分类号： H01L21/4763 , C23C14/3407 , H01L27/22 , H01L27/222 , H01L27/24 , H01L27/2463 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/00 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1691
摘要： The invention relates to a method for manufacturing a resistive device, comprising the following steps: depositing a first electrically conductive layer on a substrate; forming an engraving mask on the first conductive layer; engraving the first conductive layer through the mask, such as to obtain a plurality of electrically conductive pillars (110) separated from one another; and forming storage elements with variable electrical resistance at the tops of the conductive pillars (110), such that each storage element is supported by one of the conductive pillars, the step of forming the storage elements comprising the following operations: depositing a first layer (121) by non-collimated cathode sputtering at normal incidence relative to the substrate; and depositing a second layer on the first layer by cathode sputtering, the second layer comprising a first pulverised chemical species at oblique incidence.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造电阻器件的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一导电层; 在第一导电层上形成雕刻掩模; 通过所述掩模雕刻所述第一导电层，以获得彼此分离的多个导电柱（110）; 以及在导电柱（110）的顶部形成具有可变电阻的存储元件，使得每个存储元件由导电柱中的一个支撑，形成存储元件的步骤包括以下操作：沉积第一层（通过非准直阴极溅射以垂直入射相对于衬底进行; 以及通过阴极溅射在第一层上沉积第二层，第二层包含倾斜入射的第一粉碎化学物质。

3. 发明公开

EP3787050A1 DISPOSITIF MÉMOIRE NON-VOLATILE DE TYPE FILAMENTAIRE 有权
公开(公告)号：EP3787050A1
公开(公告)日：2021-03-03
申请号：EP20193436.1
申请日：2020-08-28
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives , Université Grenoble Alpes , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： NAVARRO, Gabriele , GUILLAUME, Nicolas , BLONKOWSKI, Serge , GONON, Patrice , JALAGUIER, Eric
IPC分类号： H01L45/00
摘要： Un aspect de l'invention concerne un dispositif (71) mémoire non-volatile de type filamentaire, comprenant une première électrode (72), une deuxième électrode (73) et une couche active (74) s'étendant entre la première électrode et la deuxième électrode, la couche active (74) reliant électriquement la première électrode (72) à la deuxième électrode (73), le dispositif étant destiné à présenter :
- un état bassement résistif, dans lequel un filament conducteur reliant électriquement la première électrode à la deuxième électrode s'étend de part en part à travers la couche active, de manière ininterrompue, ledit filament ayant une résistance électrique basse, et
- un état hautement résistif, dans lequel ledit filament est rompu, ledit filament ayant une résistance électrique haute.
Le dispositif comprend en outre une résistance de dérivation (75) connectée électriquement en parallèle de ladite couche active (74), entre la première électrode et la deuxième électrode.

4. 发明公开

EP3214664A1 STRUCTURE DE COMMUTATEUR COMPORTANT PLUSIEURS CANAUX DE MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE ET ELECTRODES DE COMMANDE INTERDIGITEES 审中-公开
标题翻译：包含多个相变材料通道和交叉控制电极的开关结构
公开(公告)号：EP3214664A1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：EP17158872.6
申请日：2017-03-02
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： REIG, Bruno , LEON, Alexandre , NAVARRO, Gabriele , PUYAL, Vincent , SAINT-PATRICE, Damien
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01H37/72 , H01H37/34 , H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： Commutateur RF comprenant :
- un matériau à changement de phase (7) disposé entre un premier élément conducteur (2) et un deuxième élément conducteur (4),
- des moyens de chauffage (11, 13) du matériau à changement de phase dotés d'une première électrode (11) et d'une deuxième électrode (13), les moyens de chauffage étant aptes à modifier l'état du matériau à changement de phase (7) par injection d'un signal électrique d'activation entre la première électrode et la deuxième électrode, au moins une électrode donnée (11, 13) parmi les première électrode (11) et deuxième électrode (13) comportant une partie conductrice (15a) disposée entre le premier élément conducteur (2) et le deuxième élément conducteur (4), des zones du matériau à changement de phase étant agencées entre le premier élément conducteur (2) et le deuxième élément conducteur (4) et étant disposées de part et d'autre de cette partie conductrice (15a).
摘要翻译：与d相变材料的加热装置（11，13） - （7），其设置的第一导电元件（2）和第二导电元件（4）之间的相变材料， - ：射频开关，包括第一电极（11）和第二电极（13），加热装置能够通过在第一电极（11）和第二电极（13）之间注入电激活信号来改变相变材料所述第一电极（11）并具有一个导电部（15A）的第二电极（13）之间电极和第二电极，至少一个数据电极（11，13）设置在所述第一导体元件（2）和所述第二导电元件之间（4）中，相变材料的区域布置在第一导电元件（2）和第二导电元件（4）之间并设置在该导电部分（15a）的任一侧上。

5. 发明公开

EP4339951A1 CELLULE MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE 审中-公开
公开(公告)号：EP4339951A1
公开(公告)日：2024-03-20
申请号：EP23197212.6
申请日：2023-09-13
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： NAVARRO, Gabriele , BOURGEOIS, Guillaume , CYRILLE, Marie-Claire
IPC分类号： G11C13/00 , H10B63/10
摘要： La présente description concerne une cellule mémoire à changement de phase (300) comprenant :
- une première couche en un matériau à changement de phase (215) ;
- un élément chauffant (209) situé sous la première couche (215) ;
- une deuxième couche isolante (203) revêtant un flanc de l'élément chauffant (209) ; et
- une troisième couche isolante (205) interposée entre les première et deuxième couches (215, 203), en un matériau présentant une densité supérieure à celle du matériau de la deuxième couche (203).

7. 发明公开

EP3267527A1 COMMUTATEUR COMPORTANT UNE STRUCTURE A BASE DE MATERIAU(X) A CHANGEMENT DE PHASE DONT UNE PARTIE SEULEMENT EST ACTIVABLE 有权
标题翻译：包含基于相变材料的结构的开关（X）只有一部分可以被激活
公开(公告)号：EP3267527A1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：EP17178773.2
申请日：2017-06-29
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： NAVARRO, Gabriele , SAINT-PATRICE, Damien , LEON, Alexandre , PUYAL, Vincent , REIG, Bruno
IPC分类号： H01P1/12 , H01P1/18 , H04L12/701
CPC分类号： H01H37/34 , H01P1/127 , H01P1/184
摘要： Commutateur doté :
- d'une structure à base d'au moins un matériau à changement de phase disposée entre un premier élément conducteur et un deuxième élément conducteur, le matériau à changement de phase étant apte à changer d'état,
- des moyens de chauffage du matériau à changement de phase dotés d'au moins une première électrode de chauffage et d'au moins une autre électrode de chauffage,
la structure à base de matériau à changement de phase étant configurée de sorte à former une zone active (8) de matériau à changement de phase confinée et déportée des éléments conducteurs.
摘要翻译：开关，其具有：基于布置在第一导电元件和第二导电元件之间的至少一种相变材料的结构，所述相变材料能够改变状态; 加热设置有至少第一加热电极和至少一个其他加热电极的相变材料，所述相变材料基结构被配置为形成有源区（8），所述有源区（8）导电元件的相邻和远端相变材料。

8. 发明公开

EP4339952A1 CELLULE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE 审中-公开
公开(公告)号：EP4339952A1
公开(公告)日：2024-03-20
申请号：EP23197246.4
申请日：2023-09-13
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： NAVARRO, Gabriele , BOURGEOIS, Guillaume , CYRILLE, Marie-Claire
IPC分类号： G11C13/00 , H10B63/00 , H10N70/20 , H10N70/00
摘要： La présente description concerne une cellule mémoire à changement de phase (301) comprenant :
- une première couche en un matériau à changement de phase (215) ;
- un élément chauffant (209) situé sous la première couche (215) ;
- une deuxième couche isolante (203) revêtant un flanc de l'élément chauffant (209) ; et
- un premier empilement comportant une troisième couche d'encapsulation (303) revêtant les faces latérales de la deuxième couche (203) et une quatrième couche d'encapsulation (305) revêtant la troisième couche (303) et étant en un matériau présentant une densité inférieure à celle du matériau de la troisième couche (303).

9. 发明授权

EP3168885B1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MÉMOIRE PCRAM 有权
公开(公告)号：EP3168885B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：EP16197921.6
申请日：2016-11-09
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： NAVARRO, Gabriele
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691

10. 发明公开

EP3168885A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MÉMOIRE PCRAM 有权
标题翻译：制造PCRAM存储器的方法
公开(公告)号：EP3168885A1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：EP16197921.6
申请日：2016-11-09
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： NAVARRO, Gabriele
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire PCRAM comprenant les étapes suivantes :
- prévoir un substrat comprenant des électrodes inférieures ;
- former dans une première couche diélectrique disposée sur le substrat une première tranchée rectiligne débouchant au moins en partie sur l'ensemble d'électrodes inférieures ;
- déposer une première couche active dans la première tranchée rectiligne, de sorte que la première couche active soit disposée en contact électrique avec les électrodes inférieures ;
- recouvrir la première couche active d'une deuxième couche diélectrique ;
- graver dans la deuxième couche diélectrique, la première couche active et la première couche diélectrique, des tranchées rectilignes additionnelles orientées perpendiculairement à la première tranchée, de façon à obtenir un groupe de dispositifs mémoire comprenant chacun une portion de la première couche active en contact électrique avec l'une des électrodes inférieures ;
- remplir les tranchées rectilignes additionnelles d'un matériau diélectrique sacrificiel ;
- réaliser une gravure anisotrope du matériau diélectrique sacrificiel de façon à exposer une surface latérale de chaque portion de la première couche active ; et
- recouvrir la surface latérale de chaque portion de la première couche active par une deuxième couche active.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造PCRAM存储器的方法，包括以下步骤：提供包括下电极的衬底; - 在设置在所述衬底上的第一介电层中形成至少部分地在所述一组下电极上的第一直沟槽开口; 在第一直线沟槽中沉积第一有源层，使得第一有源层与下电极电接触; 用第二介电层覆盖第一有源层; - 蚀刻所述第二介电层，所述第一有源层和第一介电层，在垂直于第一沟槽取向附加直沟槽，从而获得一组中的每个包括在电接触的第一有源层的部分的存储器装置的用一个下电极; 用牺牲介电材料填充另外的直线沟槽; 执行所述牺牲介电材料的各向异性蚀刻，以暴露所述第一有源层的每个部分的侧表面; 以及用第二有源层覆盖第一有源层的每个部分的侧表面。

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