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1. 发明授权

EP3168885B1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MÉMOIRE PCRAM 有权
公开(公告)号：EP3168885B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：EP16197921.6
申请日：2016-11-09
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： NAVARRO, Gabriele
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691

2. 发明授权

EP2059956B1 PROGRAMMABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS USING THE SAME AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
标题翻译：可编程电阻存储器器件和使用该器件的系统及其形成方法
公开(公告)号：EP2059956B1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：EP07836977.4
申请日：2007-08-17
申请人： Micron Technology, Inc.
发明人： LIU, Jun
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691

3. 发明公开

EP3168885A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MÉMOIRE PCRAM 有权
标题翻译：制造PCRAM存储器的方法
公开(公告)号：EP3168885A1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：EP16197921.6
申请日：2016-11-09
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： NAVARRO, Gabriele
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire PCRAM comprenant les étapes suivantes :
- prévoir un substrat comprenant des électrodes inférieures ;
- former dans une première couche diélectrique disposée sur le substrat une première tranchée rectiligne débouchant au moins en partie sur l'ensemble d'électrodes inférieures ;
- déposer une première couche active dans la première tranchée rectiligne, de sorte que la première couche active soit disposée en contact électrique avec les électrodes inférieures ;
- recouvrir la première couche active d'une deuxième couche diélectrique ;
- graver dans la deuxième couche diélectrique, la première couche active et la première couche diélectrique, des tranchées rectilignes additionnelles orientées perpendiculairement à la première tranchée, de façon à obtenir un groupe de dispositifs mémoire comprenant chacun une portion de la première couche active en contact électrique avec l'une des électrodes inférieures ;
- remplir les tranchées rectilignes additionnelles d'un matériau diélectrique sacrificiel ;
- réaliser une gravure anisotrope du matériau diélectrique sacrificiel de façon à exposer une surface latérale de chaque portion de la première couche active ; et
- recouvrir la surface latérale de chaque portion de la première couche active par une deuxième couche active.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造PCRAM存储器的方法，包括以下步骤：提供包括下电极的衬底; - 在设置在所述衬底上的第一介电层中形成至少部分地在所述一组下电极上的第一直沟槽开口; 在第一直线沟槽中沉积第一有源层，使得第一有源层与下电极电接触; 用第二介电层覆盖第一有源层; - 蚀刻所述第二介电层，所述第一有源层和第一介电层，在垂直于第一沟槽取向附加直沟槽，从而获得一组中的每个包括在电接触的第一有源层的部分的存储器装置的用一个下电极; 用牺牲介电材料填充另外的直线沟槽; 执行所述牺牲介电材料的各向异性蚀刻，以暴露所述第一有源层的每个部分的侧表面; 以及用第二有源层覆盖第一有源层的每个部分的侧表面。

4. 发明公开

EP3000130A4 SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS AND METHODS OF FORMING MEMORY CELLS 有权
标题翻译：半导体结构及其制造方法蓄电池
公开(公告)号：EP3000130A4
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：EP14800777
申请日：2014-04-04
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： CUPETA CARMELA , REDAELLI ANDREA , CAPPELLETTI PAOLO GIUSEPPE
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L29/02 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1691
摘要： Some embodiments include semiconductor constructions having stacks containing electrically conductive material over dielectric material. Programmable material structures are directly against both the electrically conductive material and the dielectric material along sidewall surfaces of the stacks. Electrode material electrically coupled with the electrically conductive material of the stacks. Some embodiments include methods of forming memory cells in which a programmable material plate is formed along a sidewall surface of a stack containing electrically conductive material and dielectric material.

5. 发明公开

EP2880689A1 NON-VOLATILE RESISTIVE MEMORY CELLS 审中-公开
标题翻译：电阻式非易失性存储单元
公开(公告)号：EP2880689A1
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：EP12882243.4
申请日：2012-07-31
申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
发明人： CHO, Hans Se-young , NICKEL, Janice H. , WILLIAMS, R. Stanley , ROH, Jaesung , PARK, Jinwon , HYEJUNG, Choi , JOO, Moon Sig , MOON, Jiwon , LEE, Chang-goo , SOHN, Yong Sun , KIM, Jeong Tae
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： Examples of the present disclosure include non-volatile resistive memory cells and methods of forming the same. An example of a non-volatile resistive memory cell includes a first portion of the non-volatile resistive memory cell formed as a vertically-extending structure on a first electrode, where the first portion comprises at least one memristive material across a width of the vertically-extending structure. The non-volatile resistive memory cell also includes a second portion formed as a vertically-extending memristive material structure on at least one sidewall of the first portion.

6. 发明授权

EP2006928B1 Switching element 有权
标题翻译：开关元件
公开(公告)号：EP2006928B1
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：EP08010470.6
申请日：2008-06-09
申请人： Funai Electric Co., Ltd. , National Institute of Advanced Industrial Science and Technology , Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc.
发明人： Furuta, Shigeo , Masuda, Yuichiro , Takahashi, Tsuyoshi , Ono, Masatoshi , Naitoh, Yasushisa , Horikawa, Masayo , Shimizu, Tetsuo
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/124

7. 发明授权

EP2006912B1 Memory element array comprising a switching element with a nanogap and a tunnel element 有权
标题翻译：与纳米空腔的开关元件和隧道元件存储元件布置
公开(公告)号：EP2006912B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：EP08010468.0
申请日：2008-06-09
申请人： Funai Electric Co., Ltd. , Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc.
发明人： Furuta, Shigeo , Masuda, Yuichiro , Takahashi, Tsuyoshi , Ono, Masatoshi
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2418 , H01L45/04 , H01L45/124

8. 发明授权

EP1446832B1 ELECTRODE STRUCTURE FOR USE IN AN INTEGRATED CIRCUIT 有权
标题翻译：电极结构体使用在集成电路
公开(公告)号：EP1446832B1
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：EP02797134.0
申请日：2002-11-19
申请人： Micron Technology, Inc.
发明人： MOORE, John, T. , BROOKS, Joseph, F.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/24 , G11C13/00
CPC分类号： H01L24/05 , G11C13/0011 , G11C2213/79 , H01L21/76823 , H01L21/76838 , H01L21/76867 , H01L24/03 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/143 , H01L45/1658 , H01L45/1683 , H01L2224/05006 , H01L2224/05546 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , Y10S438/957 , H01L2924/00
摘要： An electrode structure (200A) includes a first layer of conductive material (202) and a dielectric layer (204) formed on a surface of the first layer. An opening (206) is formed in the dielectric layer to expose a portion of the surface of the first layer. A binding layer (210) is formed on the dielectric layer and on the exposed portion of the surface of the first layer and a second layer of conductive material (212) is formed on the conductive binding layer. The binding layer can be an oxide and the second layer a conductive material that is diffusible into an oxide. The electrode structure can be annealed to cause conductive material from the second layer to be chemisorbed into the binding layer to improve adhesion between the first and second layers. A programmable cell can be formed by forming a doped glass layer (214) in the electrode structure.

9. 发明公开

EP2260520A2 VERTICAL PHASE CHANGE MEMORY CELL 有权
标题翻译：垂直相变存储器单元
公开(公告)号：EP2260520A2
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：EP09727469.0
申请日：2009-03-30
申请人： NXP B.V. , Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw
发明人： GOUX, Ludovic, R., A. , MARDEN, David, I.
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/1691
摘要： A vertical phase change memory cell (2) has an active region (24) of phase change memory material defined either by providing a contact extending only over part of the phase change memory material or an insulating layer exposing only part of the phase change memory material. There may be more than one active region (24) per cell allowing more than one bit of data to be stored in each cell.

10. 发明授权

EP1787329B1 ELECTRIC DEVICE COMPRISING PHASE CHANGE MATERIAL 失效转让
标题翻译：相变材料中的电子设备
公开(公告)号：EP1787329B1
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：EP05709025.0
申请日：2005-03-16
申请人： NXP B.V.
发明人： LANKHORST, Martijn, H., R. , MEINDERS, Erwin, R. , WOLTERS, Robertus, A., M. , WIDDERSHOVEN, Franciscus, P.
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/124 , H01L45/1286 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： The electric device (100) according to the invention has a resistor comprising a layer (7, 107) of a phase change material which is changeable between a first phase with a first electrical resistivity and a second phase with a second electrical resistivity different from the first electrical resistivity. The phase change material is a fast growth material. The electric device (100) further comprises a switching signal generator (400) for switching the resistor between at least three different electrical resistance values by changing a corresponding portion of the layer (7, 107) of the phase change material from the first phase to the second phase.

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