专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

4. 发明公开

EP3029513A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN GUIDE D'ONDE INCLUANT UNE JONCTION SEMICONDUCTRICE 审中-公开
标题翻译： HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES WELLENLEITERS，DER EINEN HALBLEITERANSCHLUSS UMFASST
公开(公告)号：EP3029513A1
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：EP15197034.0
申请日：2015-11-30
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： FOURNIER, Maryse , FOWLER, Daivid , GRELLIER, Edouard , IOTTI, Lorenzo
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/225 , G02B6/134 , G02B6/136
CPC分类号： G02B6/1347 , G02B6/00 , G02B6/134 , G02B6/1342 , G02B6/136 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633
摘要： L'invention concerne procédé de fabrication d'un guide d'onde (40) incluant une jonction semiconductrice (23). Le procédé comprend les étapes suivantes : fourniture d'un support (10) comportant une couche semiconductrice (20) présentant une première partie (21) d'un premier type de conductivité; protection de la première partie ;implantation sélective d'éléments dopants d'un deuxième type de conductivité dans une deuxième partie (22) de la couche semiconductrice (20) adjacente de la première partie(21, 221). La concentration en éléments dopants du deuxième type de conductivité dans la deuxième partie (22, 222) est supérieure à celle en éléments dopants du premier type de conductivité dans la première partie (21, 221). Le procédé comprend en outre les étapes de :diffusion des éléments dopants du deuxième type de conductivité dans la première partie (21, 221) pour former une jonction semiconductrice (23, 223) dans la première partie (21, 221), et gravure partielle de la couche semiconductrice (20, 200) pour former le guide d'onde (40, 240) dans la première partie (21, 221), la protection de la première partie (21, 221) étant utilisée de manière à ce que la jonction semiconductrice (23, 223) soit incluse dans le guide d'onde (40, 240).
摘要翻译：本发明涉及制造包括半导体结（23）的波导（40）的方法。该方法包括以下步骤：提供包括具有第一导电类型的第一部分（21）的半导体层（20）的支撑件（10）保护第一部分; 在所述半导体层（20）的与所述第一部分（21,221）相邻的第二部分（22）中选择性地注入第二导电型掺杂剂。第二部分（22,222）中的第二导电型掺杂剂的浓度大于第一部分（21,221）中的第一导电类型掺杂剂的浓度。该方法还包括以下步骤：在第一部分（21,221）中扩散第二导电型掺杂剂以在第一部分（21,221）中形成半导体结（23,223），并部分蚀刻半导体层 20,200），以在第一部分（21,221）中形成波导（40,240），使用第一部分（21,221）的保护，使得半导体结（23,223）被包括在波导（40,240）。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式