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1. 发明公开

EP3046110A1 SYSTÈME DE CARACTÉRISATION D'UNE CELLULE MÉMOIRE FLASH 有权
标题翻译：系统ZER CHARAKTERISIERUNG EINER FLASH-SPEICHERZELLE
公开(公告)号：EP3046110A1
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：EP16150946.8
申请日：2016-01-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： COIGNUS, Jean , VERNHET, Alexandre
IPC分类号： G11C29/06 , G11C29/12 , G11C29/50
CPC分类号： G01R31/3177 , G01R31/2621 , G01R31/2648 , G11C29/04 , G11C29/06 , G11C29/12015 , G11C29/50004 , G11C29/56016 , G11C2029/5602
摘要： L'invention concerne un système pour caractériser une cellule mémoire flash de type NOR munie d'un transistor à grille flottante (30). Ce système comprend un générateur de tension (31) ayant une sortie (ch0) reliée à l'électrode de grille (G) du transistor et configuré pour générer en sortie un signal d'effacement de la cellule mémoire ; et un appareil de mesure dynamique (34) comprenant un premier canal (ch1) relié à l'électrode de grille (G) et un deuxième canal (ch2) relié à l'électrode de drain (D) du transistor, l'appareil de mesure dynamique (34) étant configuré pour générer sur les premier et deuxième canaux (ch1, ch2) des signaux d'écriture de la cellule mémoire et pour mesurer un courant (I D ) circulant dans l'électrode de drain (D) lors de l'écriture de la cellule mémoire. Seule l'électrode de grille (G) du transistor à grille flottante (30) est reliée au générateur de tension (31) et à l'appareil de mesure dynamique (34) par l'intermédiaire d'un commutateur (60). Le commutateur est de type CMOS et capable de basculer entre une première position, dans laquelle la sortie (ch0) du générateur de tension (31) est couplée électriquement à l'électrode de grille (G), et une seconde position, dans laquelle le premier canal (ch1) de l'appareil de mesure (34) est couplé électriquement à l'électrode de grille (G). L'appareil de mesure dynamique (34) est en outre configuré pour générer un signal de synchronisation (trig) transmis au générateur de tension (31) et au commutateur (60) pour commander simultanément la génération du signal d'effacement et le basculement du commutateur dans la première position.
摘要翻译：一种用于表征具有浮动栅极晶体管的NOR闪存单元的系统，包括具有连接到栅电极的输出的电压发生器，其产生作为输出的擦除信号; 以及动态测量装置，包括连接到栅电极的第一通道和连接到漏电极的第二通道。动态测量装置在第一和第二通道上产生写入信号并测量在存储单元写入期间在漏电极中流动的电流。只有浮栅晶体管的栅电极通过CMOS开关连接到电压发生器和动态测量装置，该CMOS开关在电压发生器的输出电耦合到栅电极的第一位置和第二位置，其中测量装置的第一通道电耦合到栅电极。

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