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2. 发明公开

EP1897965A1 Procédé d'élimination par recuit des précipités dans un matériau semi-conducteur II-VI 有权
标题翻译：一种用于通过退火来自II-VI族半导体材料中除去粪便方法。
公开(公告)号：EP1897965A1
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：EP07115691.3
申请日：2007-09-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Pelliciari, Bernard
IPC分类号： C22F1/16 , C30B33/02 , C30B29/48 , H01L21/477
CPC分类号： C22F1/16 , C30B29/48 , C30B33/02
摘要： Procédé d'élimination par recuit des précipités contenus dans un matériau solide de semi-conducteur II-VI, dans lequel ledit matériau solide semi-conducteur est un matériau solide semi-conducteur à sublimation congruente, et dans lequel on effectue les étapes successives suivantes :
- on chauffe sous circulation de gaz neutre le matériau solide semi-conducteur jusqu'à une température T comprise entre une première température T 1 , correspondant à l'eutectique composé II-VI/élément VI, et une seconde température T 2 , correspondant à la température maximale de sublimation congruente ;
- on maintient sous circulation de gaz neutre le matériau solide à cette température T pendant une durée suffisante pour éliminer les précipités ;
- on refroidit le matériau solide semi-conducteur sous circulation de gaz neutre depuis la température T jusqu'à la température ambiante à une vitesse telle que le matériau solide se confonde au cours du refroidissement avec sa ligne de sublimation congruente ;
- on récupère le matériau solide semi-conducteur exempt de précipités.
摘要翻译：从固体II-VI族半导体材料中除去沉淀物的步骤包括将材料加热到II-VI / VI低共熔温度和材料的最大全等升华温度之间的温度T，保持材料在温度T，直到沉淀物都被消除并冷却材料至室温的速率对应于该材料的升华全等线。所有步骤都在惰性气体气流下进行。

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