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1. 发明公开

EP0283588A2 Steuerbares Leistungs-Halbleiterbauelement 失效
标题翻译：可控功率半导体组件。
公开(公告)号：EP0283588A2
公开(公告)日：1988-09-28
申请号：EP87119302.5
申请日：1987-12-29
申请人： BBC Brown Boveri AG
发明人： Jaecklin, André, Dr. , Roggwiller, Peter, Dr. , Veitz, Rudolf , Vlasak, Thomas
IPC分类号： H01L29/60 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/42308 , H01L29/0657 , H01L29/36 , H01L29/42304 , H01L29/744 , H01L2924/10157
摘要： Bei einem steuerbaren Leistungs-Halbleiterbauelement, welches aus einer Mehrzahl nebeneinander angeordneter, parallelgeschalteter Einzelelemente besteht, deren Steuerkontakte mit einem gemeinsamen Steueranschluss in Verbindung stehen, werden unterschiedliche Leitungswiderstände zwischen Steueranschluss und Steuerkontakten kompensiert, um eine gleichmässige Belastung aller Einzelelemente zu erreichen.
Bevorzugt wird bei einem GTO-Thyristor die Kompensation über eine Einstellung des Gategraben-Widerstands (RG) in der p-Basis (3) zwischen Gatekontakt (5) und n-Emitter (2) erreicht. Zu diesem Zweck kann man den elektrisch wirksamen Gateabstand (X g ) beispielsweise durch eine genügend dicke Isolationsschicht (6) oder eine entsprechende Metallisierungs-Atzmaske verändern - Die p-Basis (3) kann auch unterschiedlich dick ausgebildet werden oder ein unterschiedliches Dotierungsprofil mittels stärker dotierter Zusatzschichten (7) aufweisen.
摘要翻译：在一个可控功率半导体元件，其由多个相邻设置的，并联连接的单独的元件的，所述控制触点连接到共同的控制端子，所述控制端子和控制触点之间的不同线路电阻被补偿，以实现所有的单个元件的均匀加载。在栅极触点之间的p型基极（3）补偿栅极沟槽电阻器（RG）的设置优选地由（5）和n型发射极（2），用于一个GTO可控硅来实现。用于此目的的可以是电有效栅极间距（XG），例如通过足够厚的绝缘层（6）或改变相应的金属化的蚀刻掩模的P - 型基极（3）也不同厚度形成，或者不同的掺杂分布装置更重掺杂的附加层（7）。

2. 发明公开

EP0303046A1 Gate-Turn-Off-Thyristor 失效
标题翻译：门极可关断晶闸管。
公开(公告)号：EP0303046A1
公开(公告)日：1989-02-15
申请号：EP88110767.6
申请日：1988-07-06
申请人： BBC Brown Boveri AG
发明人： Roggwiller, Peter, Dr. , Vlasak, Thomas , Voboril, Jan
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L21/225
CPC分类号： H01L29/744 , H01L21/2252 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/102
摘要： Bei einem hochsperrenden GTO-Thyristor wird durch Auftrennen der p-Basisschicht in eine zentrale p-Basisschicht (4) geringer Tiefe und hoher Randkonzentration, und p-Basis-Randschicht (5) grösserer Tiefe und geringer Randkonzentration als Randkontur eine negative Anschrägung (6) mit vergleichsweise hohem Anschrägungswinkel (α) möglich.
Die Herstellung der beiden p-Basisschichten (4, 5) erfolgt vorzugweise durch gleichzeitige Diffusion zweier Akzeptoren mit unterschiedlicher Diffusionskonstante.
摘要翻译：在具有高反向电压的GTO晶闸管中，具有较高倾斜角（α）的负斜面（6）可以作为边缘轮廓，通过将p型基底层分裂成小的中心p型基底层（4）深度和高边缘浓度以及更高深度和低边缘浓度的p型基底边缘层（5）。两种p型基层（4,5）优选通过具有不同扩散常数的两个受体的同时扩散来产生。 ... ...

3. 发明公开

EP0283588A3 Controllable power semiconductor device 失效
标题翻译：可控功率半导体器件
公开(公告)号：EP0283588A3
公开(公告)日：1988-12-07
申请号：EP87119302
申请日：1987-12-29
申请人： BBC Brown Boveri AG
发明人： Jaecklin, André, Dr. , Roggwiller, Peter, Dr. , Veitz, Rudolf , Vlasak, Thomas
IPC分类号： H01L29/60 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/42308 , H01L29/0657 , H01L29/36 , H01L29/42304 , H01L29/744 , H01L2924/10157

4. 发明授权

EP0283588B1 Steuerbares Leistungs-Halbleiterbauelement 失效
标题翻译：可控功率半导体器件
公开(公告)号：EP0283588B1
公开(公告)日：1993-10-06
申请号：EP87119302.5
申请日：1987-12-29
申请人： BBC Brown Boveri AG
发明人： Jaecklin, André, Dr. , Roggwiller, Peter, Dr. , Veitz, Rudolf , Vlasak, Thomas
IPC分类号： H01L29/60 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/42308 , H01L29/0657 , H01L29/36 , H01L29/42304 , H01L29/744 , H01L2924/10157

5. 发明授权

EP0303046B1 Gate-Turn-Off-Thyristor 失效
标题翻译：门关闭三通阀
公开(公告)号：EP0303046B1
公开(公告)日：1992-01-02
申请号：EP88110767.6
申请日：1988-07-06
申请人： BBC Brown Boveri AG
发明人： Roggwiller, Peter, Dr. , Vlasak, Thomas , Voboril, Jan
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L21/225
CPC分类号： H01L29/744 , H01L21/2252 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/102

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