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81. 发明授权

EP0183775B1 SELECTIVE NICKEL STRIPPING COMPOSITIONS AND METHOD OF STRIPPING 失效
标题翻译：选择性镍剥离组合物和剥离方法
公开(公告)号：EP0183775B1
公开(公告)日：1991-02-06
申请号：EP85902777.3
申请日：1985-05-08
申请人： ENTHONE, INCORPORATED
发明人： BASTENBECK, Edwin, W.
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/00 , C23G1/08
CPC分类号： C23F1/44
摘要： Stripping solutions comprising hydrogen peroxide and sulfamic acid in correlated amounts are effective for the rapid and selective removal of nickel from mild steel surfaces and nickel, nickel alloy and nickel reaction products from alloy substrates. The compositions contain sulfamate, nitrate and chloride and peroxide ions and, preferably, an iron complexing agent such as ethylene diamine tetraacetic acids.

82. 发明公开

EP0223265A3 A METHOD FOR MANUFACTURING THE WORKING MATERIAL USED IN A MAGNETIC REFRIGERATOR 失效
标题翻译：用于制造磁性制冷器中使用的工作材料的方法
公开(公告)号：EP0223265A3
公开(公告)日：1988-12-21
申请号：EP86117025
申请日：1983-05-27
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： NAKAGOME, HIDEKI , YASUDA, SATOSHI , SATO, AKIO
IPC分类号： C04B41/53 , C09K13/04 , F25B21/00 , H01F1/01 , H01F1/34
CPC分类号： C04B41/5353 , C09K13/04 , F25B21/00 , F25B2321/0021 , H01F1/017 , Y02B30/66 , Y02P20/124

83. 发明授权

EP0049207B1 Process for machining the surface of a nickel base superalloy workpiece 失效
标题翻译：加工镍基合金工件表面的工艺
公开(公告)号：EP0049207B1
公开(公告)日：1984-09-12
申请号：EP81630055.2
申请日：1981-09-23
申请人： UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人： Fishter, Robert Eugene , Lada, Henry
IPC分类号： C23F1/00 , C09K13/04 , C23G1/10
CPC分类号： C23F1/28

84. 发明公开

EP0072456A1 Stripperlösung 失效
标题翻译： Stripperlösung。
公开(公告)号：EP0072456A1
公开(公告)日：1983-02-23
申请号：EP82106706.3
申请日：1982-07-24
申请人： ELGET ING.- BÜRO FÜR GRAFISCHE UND ELEKTRONISCHE TECHNIK
发明人：
IPC分类号： C23F1/00 , C23G1/10 , C09K13/04
CPC分类号： C23F1/44 , H05K3/067
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen Stripper zum Entfernen von Zinn und Zinnlegierungen, insbesondere Metallresists von Kupfer insbesondere bei gedruckten Schaltungen, der aus einer wässrigen Lösung mit 5 bis 20 Vol.-% Salzsäure, 2,5 bis 6,0 g/l Kupfer und 9 bis 40 g/1 Zinn sowie anfangs 0,5 ml/l Wasserstoffperoxyd oder bis 0,015 ml/t eines Tensids besteht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于去除锡和锡合金的汽提塔，特别是金属从铜抗蚀剂，特别是用于印刷电路，由含有5〜20％（体积）盐酸，2.5〜6.0克/升铜和水溶液的 9至40克/升Zinn的以及最初为0.5ml /升的过氧化氢或最多0.015毫升/升表面活性剂的是。

85. 发明公开

EP0071855A2 Etched cationically-conductive ceramic body 失效
标题翻译： Gebeizter kationisch-leitender keramischerKörper。
公开(公告)号：EP0071855A2
公开(公告)日：1983-02-16
申请号：EP82106716.2
申请日：1982-07-24
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： Singh, Raj Narain
IPC分类号： H01M10/39 , C09K13/04 , C04B41/02
CPC分类号： H01M10/3918 , C04B41/5353 , C09K13/04
摘要： A cationically-conductive polycrystalline body having a specific resistivity at its surface portion higher than its specific intrinsic resistivity is contacted with phosphoric acid to produce an etched body having a uniform specific intrinsic resistivity.
摘要翻译：在其比其特定固有电阻率高的表面部分具有电阻率的阳离子导电多晶体与磷酸接触以产生具有均匀的特定固有电阻率的蚀刻体。

86. 发明公开

EP0049207A1 Process for machining the surface of a nickel base superalloy workpiece 失效
标题翻译：一种用于治疗由基于镍超级合金的工件的表面的方法。
公开(公告)号：EP0049207A1
公开(公告)日：1982-04-07
申请号：EP81630055.2
申请日：1981-09-23
申请人： UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人： Fishter, Robert Eugene , Lada, Henry
IPC分类号： C23F1/00 , C09K13/04 , C23G1/10
CPC分类号： C23F1/28
摘要： Disclosed is a process for machining nickel-base superalloys wherein a thermal-effect process, such as laser or electric discharge machining, is first used to remove material but leaves a recast layer. Next a chemical milling process is used wherein the etchant only attacks and removes the recast layer. The etchant is comprised by volume percent of 40-60 HN0 3 , 5-20 HCI, and 20-55 H 2 0, with which is included 0.016-0.025 moles/liter FeCl 3 and at least 0.008 moles/liter CuS0 4 . The FeCl 3 improves removal rate but tends to cause unwanted pitting and intergranular attack. These tendencies are inhibited by the addition of CuS0 4 ; preferably the molar ratio of CuS0 4 to FeCl 3 is 2:1. The beneficial combination of FeCl 3 and CuS0 4 is usable in other etchants.
摘要翻译：公开了一种用于加工镍基超合金worin热效应处理，：诸如激光或放电加工的过程中，首先用于去除材料而留下一个重铸层。接下来，化学蚀刻工艺被用于worin蚀刻剂仅攻击和移除重铸层。蚀刻剂是由40-60 HNO3，盐酸5-20，20-55和H 2 O的体积％组成，与所有被包括从0016到0025摩尔/升的FeCl 3和至少0.008摩尔/升硫酸铜。该三氯化铁提高切除率，但往往引起不必要的点蚀和晶间腐蚀。这些倾向通过加入硫酸铜的抑制; 优选硫酸铜到的FeCl 3的摩尔比为2：1。三氯化铁和硫酸铜的有益组合在其它蚀刻剂可用。

87. 发明公开

EP3926662A1 ONIUM SALT-CONTAINING PROCESSING SOLUTION FOR SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
公开(公告)号：EP3926662A1
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：EP20756178.8
申请日：2020-02-13
申请人： Tokuyama Corporation
发明人： KIKKAWA, Yuki , SATO, Tomoaki , SHIMODA, Takafumi , NEGISHI, Takayuki
IPC分类号： H01L21/306 , C07C211/63 , C07C381/12 , C07F9/54 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/40 , H01L21/308 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要： Provided is a treatment liquid for a semiconductor wafer or the like used in a process for forming a semiconductor. Namely a treatment liquid containing (A) a hypochlorite ion, and (B) an alkylammonium salt expressed by the following Formula (1), or the like is provided.

(In the Formula, "a" is an integer from 6 to 20; R 1 , R 2 , and R 3 are independently, for example, an alkyl group with a carbon number from 1 to 20; and X - is, for example, a chloride ion.)

88. 发明授权

EP1974370B1 MICROETCHING COMPOSITION AND METHOD OF USING THE SAME 有权
公开(公告)号：EP1974370B1
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：EP06814816.2
申请日：2006-09-15
申请人： MacDermid, Incorporated
发明人： CASTALDI, Steven, A. , FENG, Kesheng , KAPADIA, Nilesh
IPC分类号： H01L21/306 , C09K13/06 , C09K13/04 , C23F1/16 , C23F1/44 , H01L21/3213

89. 发明授权

EP3327176B1 COMPOSITION FOR ETCHING TREATMENT OF RESIN MATERIAL 有权
公开(公告)号：EP3327176B1
公开(公告)日：2019-06-26
申请号：EP17208657.1
申请日：2014-10-16
申请人： Okuno Chemical Industries Co., Ltd.
发明人： NAGAMINE, Shingo , KITA, Koji , OTSUKA, Kuniaki
IPC分类号： C23C18/24 , C09K13/04 , C23C18/16 , C08J7/14 , C25B1/28 , C23F1/14 , C23F3/02 , C23C18/20 , C23C18/30 , H01L21/02 , H01L21/306

90. 发明公开

EP3327176A1 COMPOSITION FOR ETCHING TREATMENT OF RESIN MATERIAL 有权
公开(公告)号：EP3327176A1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：EP17208657.1
申请日：2014-10-16
申请人： Okuno Chemical Industries Co., Ltd.
发明人： NAGAMINE, Shingo , KITA, Koji , OTSUKA, Kuniaki
IPC分类号： C23C18/24 , C09K13/04 , C23C18/16 , C08J7/14 , C25B1/28 , C23F1/14 , C23F3/02 , C23C18/20 , C23C18/30 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/00 , C08J7/14 , C09K13/04 , C23C18/1641 , C23C18/1653 , C23C18/2086 , C23C18/24 , C23C18/285 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23F1/14 , C23F3/02 , C25B1/28 , C25D5/14 , H01L21/02052 , H01L21/30604
摘要： The present invention relates to a composition for etching treatment of a resin material, the composition comprising an aqueous solution having a permanganate ion concentration of 0.2 mmol/L or more and a total acid concentration of 10 mol/L or more with an upper limit of 15 mol/L, and the aqueous solution satisfying the following condition (2):
(2) setting the divalent manganese ion molar concentration to 15 or more times higher than the permanganate ion molar concentration, and
wherein the aqueous solution optionally further satisfies at least one of the following conditions (1) and (3):
(1) containing an organic sulfonic acid in an amount of 1.5 mol/L or more, and
(3) setting the addition amount of an anhydrous magnesium salt to 0.1 to 1 mol/L.

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