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    • 71. 发明公开
    • Dispositif de recopie de tension à grande linéarité
    • Spannungswiedergabevorrichtung mit grosserLinearität
    • EP0731557A1
    • 1996-09-11
    • EP96400347.9
    • 1996-02-20
    • THOMSON TUBES ELECTRONIQUES
    • Arques, MarcDucourant, Thierry
    • H03F3/50
    • H03F3/005G11C11/4094H03F3/70
    • L'invention concerne un dispositif de recopie d'une tension (Ve). Il comporte une paire de transistors MOS (T1,T2) en série, leurs sources (s1,s2) formant un point commun (A). La tension à recopier (Ve) est appliquée entre la grille (g1) du premier transistor MOS (T1) de la paire et une référence.
      Des moyens (Ic) sont prévus pour injecter un flux d'électrons au point commun (A).
      Une capacité de stockage (Cs) a une première borne reliée au drain (d2) du second transistor MOS (T2) et une seconde borne destinée à être polarisée. Des moyens (I) imposent un potentiel (Vd2) au drain (d2) du second transistor MOS (T2) puis le laissent varier de manière à ce que le flux d'électrons se stocke sur la capacité de stockage (Cs) tout en diminuant dans le second transistor MOS (T2) au bénéfice du premier (T1). La tension recopiée (Vs) est disponible après stabilisation entre la première borne de la capacité de stockage (Cs) et la référence.
      Application notamment aux circuits de lecture de charges engendrées dans une matrice ou une barrette photosensibles.
    • 该装置包括串联的一对MOS晶体管(T1,T2),待复制电压(Ve)施加在第一晶体管(T1)栅极和基准之间。 在两个晶体管源(s1,s2)共同的点(A)处注入电流(Ic)。 电容器(Cs)连接到第二晶体管(T2)漏极(d2)和极化电压。 在第二晶体管漏极(d2)上施加电压(VDD2)(1),以将由第二晶体管减小的电容器存储的电流改变为第一晶体管的增益。 在稳定之后,第一个电容器端子和参考电压之间复制的电压(Vs)可用。 电流注入到公共点(A)可能来自另一个MOS晶体管漏极,其栅极和源极偏振。
    • 75. 发明公开
    • Ladungsverstärkerschaltung
    • Ladungsverstärkerschaltung。
    • EP0357591A2
    • 1990-03-07
    • EP89890220.0
    • 1989-08-28
    • AVL Gesellschaft für Verbrennungskraftmaschinen und Messtechnik mbH.Prof.Dr.Dr.h.c. Hans List
    • Krempl, Peter, Dr.Wegscheider, GüntherWöss, Gerhard, Dipl.-Ing.
    • H03F3/70
    • H03F3/70
    • Bei einer Ladungsverstärkerschaltung mit einer Operationsverstärkerstufe (1), deren Signalausgang (2) über ein kapazitives Rückkopplungsglied (3) zum Signaleingang (4) rückgekoppelt ist, ist der Signalausgang (2) der Operationsverstärkerstufe (1) weiters mit dem Eingang einer nachgeschal­teten weiteren Übertragungsstufe (6) in Verbindung, welche zumindest in der Nähe der durch das Rückkopplungsglied (3) der Operationsverstärker­stufe (1) bestimmten Knickfrequenz eine proportional-integrierende Übertragungscharakteristik mit einer Knickfrequenz, welche zumindest annähernd gleich der Knickfrequenz der Operationsverstärkerstufe (1) ist, aufweist. Damit kann das Rückkopplungsglied (3) der Operations­verstärkerstufe (1) bzw. der Rückkopplungskondensator (C) und der zugehörige Parallelwiderstand (R) unabhängig vom jeweiligen Arbeits­frequenzbereich separat optimiert werden, was beispielsweise trotz die Ladungsempfindlichkeit erhöhendem kleinem Kondensatorwert auch einen insbesonders im Hinblick auf den Schaltungsaufbau sehr vorteilhaften kleinen Wert für R bei linear bleibendem Übertragungsverhalten erlaubt.
    • 在包括运算放大器级(1)的电荷放大器电路中,其信号输出(2)经由电容器反馈部(3)反馈到信号输入端(4),操作的信号输出(2) 放大器级(1)也连接到随后的进一步的传输级(6)的输入端,其至少在由运算放大器级(1)的反馈部分(3)确定的拐点频率附近呈现比例 具有至少近似等于运算放大器级(1)的拐点频率的拐点频率的整合传递特性。 这使得可以独立于相应的工作频率范围分别优化运算放大器级(1)的反馈部分(3)或分别反馈电容器(3)和相关联的并联电阻器(R),其针对 例如,对于R来说也允许一个小的值,这是非常有利的,特别是关于电路配置,尽管电容值小,这增加了充电灵敏度,传输特性保持线性。 ... ...