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    • 56. 发明公开
    • DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A JONCTION P-N PERMETTANT UNE IONISATION DE DOPANTS PAR EFFET DE CHAMP
    • WITH P-N-TRANSITION,BY场效应可能的掺杂物的电离OPTO电子设备
    • EP2960951A1
    • 2015-12-30
    • EP15173554.5
    • 2015-06-24
    • Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
    • Robin, Ivan-ChristopheBono, Hubert
    • H01L31/10H01L33/00H01L33/38H01L33/14
    • Dispositif optoélectronique (100) comportant une structure mesa (124) comprenant :
      - une première (106) et une deuxième (108) portions de semi-conducteur formant une jonction p-n,
      - une première électrode (112) reliée électriquement à la première portion qui est disposée entre la deuxième portion et la première électrode,

      le dispositif comportant en outre:
      - une deuxième électrode (116) reliée électriquement à la deuxième portion,
      - un élément (118, 120) apte à ioniser des dopants de la première et/ou deuxième portion via une génération d'un champ électrique dans la première et/ou deuxième portion et recouvrant au moins une partie des flancs latéraux d'au moins une partie de la première et/ou de la deuxième portion de semi-conducteur et d'au moins une partie d'une zone de charge d'espace formée par les première et deuxième portions,

      des faces supérieures de la première électrode et de la deuxième électrode forment une surface continue sensiblement plane (122).
    • 一种光电子装置,包括一个台面结构,包括:第一和形成pn结的第二半导体部,第一电极电连接到所述第一部分的所有其被所述第二部分与所述第一电极,所述装置进一步包括之间布置:第二电极 电连接到所述第二部分,以元件能够通过电场的产生在所述第一和/或第二半导体部,以电离所述第一和/或第二半导体部的掺杂剂和重叠的至少一个的侧翼中的至少一个部分 第一和/或第二半导体部的一部分,并且由所述第一和第二半导体部,所述第一电极的上表面和一个连续的基本上为平面的表面的第二电极的形式形成的空间电荷区中的至少一个部分的。