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21. 发明授权

EP2423163B1 Polykristallines Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung 有权
标题翻译：多晶硅，和过程及其制备
公开(公告)号：EP2423163B1
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：EP11178284.3
申请日：2011-08-22
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Pech, Dr. Reiner , Dornberger, Dr. Erich
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , Y10T428/2982

22. 发明公开

EP2695974A1 Polykristalline Siliciumbruchstücke und Verfahren zu deren Herstellung 有权转让
标题翻译： Verfahren zur Herstellung von polykristallinenSiliciumbruchstücken
公开(公告)号：EP2695974A1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：EP13177994.4
申请日：2013-07-25
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Wochner, Hanns Dr. , Fabry, Laszlo Dr.
IPC分类号： C30B29/06 , C01B33/037 , B02C4/30 , C22C29/08
CPC分类号： C01B33/037 , B02C4/305 , B02C19/0056 , C01B33/02 , C22C29/08 , C22C38/00 , C30B29/06 , C30B35/007 , Y10T428/2982
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Polykristalline Siliciumbruchstücke, die kubisch sind, einen Metallgehalt von weniger als 200 pptw und einen Dotierstoffgehalt von weniger als 50 ppta aufweisen.
Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumbruchstücken, umfassend Bereitstellen eines polykristallinen Siliciumstabs, Zerkleinerung des polykristallinen Siliciumstabs in kubische Bruchstücke, Reinigung der polykristallinen Siliciumbruchstücke, dadurch gekennzeichnet, dass zur Zerkleinerung ein Stachelwalzenbrecher mit wenigstens einer Stachelwalze eingesetzt wird, wobei die Stachelwalze W2C-Phasen oder WC-Phasen mit 0,1-10% eines Metallcarbids, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Titancarbid, Chromcarbid, Molybdäncarbid, Vanadiumcarbid und Nickelcarbid umfasst, oder aus Stahl mit 1-25% W besteht.
摘要翻译：立方多晶硅块在其表面上包含小于200重量份（pptw）的金属和少于50份/兆比原子（ppta）的掺杂剂。包括用于生产多晶硅块的独立权利要求，其包括将多晶硅棒粉碎成立方块，以及清洗多晶硅块，其中使用具有至少一个加标辊的加标辊式破碎机进行粉碎步骤，所述加标辊破碎机包括碳化钨相和0.1-10％的由碳化钛，碳化铬，碳化钼，碳化钒和碳化镍组成的金属碳化物。

23. 发明授权

EP2141121B1 Schneidmühle 失效转让
标题翻译：造粒机
公开(公告)号：EP2141121B1
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：EP09159453.1
申请日：2007-03-07
申请人： SCHOTT Solar AG
发明人： Von Campe, Hilmar , Buss, Werner , Schwirtlich, Ingo , Seidl, Albrecht
IPC分类号： C01B33/037 , B02C18/16 , B02C18/18 , B02C18/14
CPC分类号： B02C18/186 , B02C18/144 , B02C18/16 , B02C2210/02 , C01B33/037 , C30B11/00 , C30B29/06

24. 发明公开

EP2607308A1 Silicon feedstock for solar cells 审中-公开
标题翻译： Silicium-EinsatzstofffürSolarzellen
公开(公告)号：EP2607308A1
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：EP13159702.3
申请日：2004-01-12
申请人： Elkem AS
发明人： ENEBAKK, Erik , FRIESTAD, Kenneth , TRONSTAD, Ragnar , ZAHEDI, Cyrus , DETHLOFF, Christian
IPC分类号： C01B33/00 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B11/00 , C30B29/06 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要： The present invention relates to silicon feedstock for producing directionally solidified silicon ingots, thin sheets and ribbons for the production of silicon wafers for PV solar cells where the silicon feedstock contains between 0.3 and 5.0 ppma boron and between 0.5 and 3.5 ppma phosphorus distributed in the material. The invention further relates to directionally solidified silicon ingot or thin silicon sheet or ribbon for making wafers for solar cells containing between 0.3 ppma and 5.0 ppma boron and between 0.5 ppma and 3.5 ppma phosphorus distributed in the ingot, said silicon ingot having a type change from p- type to n-type or from n-type to p-type at a position between 40 and 99 % of the ingot height or sheet or ribbon thickness and having a resistivity profile described by an exponential curve having a starting value between 0.4 and 10 ohm cm and where the resistivity value increases towards the type change point. A method for producing silicon feedstock for producing directionally solidified silicon ingots, thin sheets and ribbons for the production of silicon wafers for PV solar cells is also disclosed.
摘要翻译：本发明涉及用于生产定向凝固硅锭，薄片和带的硅原料，用于生产用于PV太阳能电池的硅晶片，其中硅原料含有0.3至5.0ppma的硼和分布在材料中的0.5至3.5ppma的磷。本发明还涉及定向凝固的硅锭或薄硅片或薄带，用于制造分布在锭中的0.3ppma至5.0ppma硼和0.5ppma至3.5ppma磷的太阳能电池的晶片，所述硅锭的类型从 p型至n型或从n型到p型，在铸块高度或板或带的厚度的40％至99％之间的位置，并具有由起始值介于0.4和 10欧姆厘米，其中电阻率值朝向型号变化点增加。还公开了用于生产用于生产用于PV太阳能电池的硅晶片的定向凝固的硅锭，薄片和带的硅原料的生产方法。

25. 发明公开

EP2598439A1 RECYCLAGE DE BOUES DE SCIAGE DE SILICIUM POUR LA PREPARATION DE LINGOTS OU DE PLAQUES PAR PLASMA THERMIQUE 审中-公开
标题翻译：具有热等离子体对锭及硅片循环生产，生产SILICIUMSÄGESUSPENSIONEN
公开(公告)号：EP2598439A1
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：EP11735480.3
申请日：2011-06-10
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： BOUYER, Etienne
IPC分类号： C01B33/037 , C23C4/04 , C23C4/12
CPC分类号： C01B33/021 , C01B33/037 , C23C4/123 , C23C4/18
摘要： A thermal, advantageously inductive, plasma is used to purify silicon from sawing slurries. For this purpose a thermal plasma is generated and a silicon-containing sawing slurry is subjected to the thermal plasma, so as to deposit silicon on a substrate.

26. 发明公开

EP2534100A1 METHOD FOR RECOVERING SOLAR GRADE SILICON 审中-公开
标题翻译：中回收硅太阳能
公开(公告)号：EP2534100A1
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：EP11706954.2
申请日：2011-02-14
申请人： Metallkraft AS
发明人： HENRIKSEN, Knut , RINGDALEN, Eli , SOLHEIM, Ingeborg
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： The invention concerns a method of refining and converting particulate silicon to silicon lumps, where the method comprises mixing the particulate silicon with at least one slag forming compound in a weight ratio, particulate silicon:slag forming compound(s), from 1:10 to 3:1 in a crucible, wherein the at least one slag forming compound will form a liquid the slag at the operating temperature of the process that has a viscosity lower than 2 Ns/m
2 and a wetting angle towards silicon of at least 20°, heating the mixture of particulate silicon and slag forming component(s) to a temperature above the liquidus temperature of the slag, injecting a stream of gas through at least one point of the bottom of the crucible and maintain the gas flushing for a period of time, solidifying and cooling the molten mixture, and separating formed silicon agglomerates/lumps from the slag.

27. 发明公开

EP2426087A3 Silicon recycling method, and silicon and silicon ingot manufactured with that method 审中-公开
标题翻译：硅和硅的回收方法和用该方法生产的硅块
公开(公告)号：EP2426087A3
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：EP11009549.4
申请日：2006-07-03
申请人： Sharp Kabushiki Kaisha
发明人： Fukuyama, Toshiaki , Okuno, Tetsuhiro , Wakuda, Junzo
IPC分类号： C01B33/037 , C01B33/02 , H01L31/04
CPC分类号： C01B33/037 , C01B33/021 , Y02E10/546
摘要： In order to efficiently recycle a silicon scrap obtained by cutting a silicon chunk as a raw material silicon for solar batteries, a silicon recycling method of the present invention, according to one aspect, includes the steps of melting a silicon scrap by heating, and immersing a crystallization substrate in molten silicon and depositing silicon on a surface of the crystallization substrate. The step of separating silicon on the surface of the crystallization substrate from the crystallization substrate is preferably included. In addition, a silicon ingot obtained by melting the silicon raw material for solar batteries in a mold and solidifying the same is suitable as the silicon chunk.

28. 发明公开

EP2526054A1 PROCESS FOR COARSE DECARBURIZATION OF A SILICON MELT 审中-公开
标题翻译：方法原油脱碳熔融硅
公开(公告)号：EP2526054A1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：EP10805709.2
申请日：2010-12-27
申请人： Evonik Degussa GmbH
发明人： HINTERMAYER, Jochen
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037
摘要： The present invention relates to a novel process for coarse decarburization of a silicon melt, and to the use thereof for production of silicon, preferably solar silicon or semiconductor silicon.

29. 发明公开

EP2507169A1 VERFAHREN ZUM ENTFERNEN VON VERUNREINIGUNGEN AUS SILICIUM 审中-公开
标题翻译：方法去除杂质由硅
公开(公告)号：EP2507169A1
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：EP10787448.9
申请日：2010-12-06
申请人： Spawnt Private S.à.r.l.
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI, Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C01B33/037 , C08G77/60
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： The invention relates to a method for removing impurities from silicon, comprising the following steps: A) providing metal silicon comprising impurities, B) mixing the silicon to be purified with at least one halogen polysilane of the formula SiX
n , where X is halogen, which can be partially substituted by hydrogen, and where 1

30. 发明公开

EP2463021A1 Verfahren zur chemischen Reinigung von metallurgischem Silizium. 审中-公开
标题翻译： Verfahren zur chemischen Reinigung von metallurgischem Silizium。
公开(公告)号：EP2463021A1
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：EP11009525.4
申请日：2011-12-02
申请人： Adensis GmbH
发明人： Acker, Jörg, Prof. Dr.
IPC分类号： B01J8/02 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , B01J19/126 , B01J19/18 , B01J2219/0879 , B01J2219/1215 , B01J2219/1227 , B01J2219/1233
摘要： Das Reinigungsverfahren zeichnet sich dadurch aus, dass das Silizium (s) und eine Reinigungschemikalie (r) ein chemisches Reaktionsgemisch (u) bilden, das in einem Druckbehälter (2) oder in einem behälterartig ausgebildetem Abschnitt (28), beispielsweise einem geschlossenen Reaktor, oder in einer Rohrleitung (18) bzw. (30) vorliegt. Hier findet ein chemischer Reinigungsprozess statt, wodurch metallische und/oder nicht-metallische Verunreinigungen zu einem Großteil aus dem Silizium (s) entfernt werden, so dass nunmehr ein chemisches Reaktionsgemisch (v) vorliegt, das aus fein verteiltem, gereinigtem Silizium (s') und der teilweise verbrauchten Reinigungschemikalie (r') besteht. Das chemische Reaktionsgemisch (u) ist während des Reinigungsprozesses einem Atmosphärendruck von etwa 1 bar oder bevorzugt einem gegenüber Atmosphärendruck erhöhten Druck ausgesetzt. Alternativ oder zusätzlich ist das chemische Reaktionsgemisch (u) während des Reinigungsprozesses einer gegenüber Zimmertemperatur erhöhten Temperatur ausgesetzt. Während der Temperaturbehandlung kommt es zu einem Druckanstieg, der als Methode zur Druckerhöhung eingesetzt werden kann. Das gereinigte Silizium (s') oder das chemische Reaktionsgemisch (v) wird nach erfolgter Reinigungsbehandlung aus dem Druckbehälter (2) oder aus dem behälterartig ausgebildetem Abschnitt (28) oder aus der Rohrleitung (18) bzw. (30) kontinuierlich oder diskontinuierlich entnommen.
摘要翻译：通过化学清洗工艺提高硅的纯度，包括：（a）将硅经受液体清洗化学品; （b）在清洁过程中使化学反应混合物经受1巴的大气压或高于大气压的压力; （c）在清洁过程中将化学反应混合物暴露于高于室温的高温下; 和（d）从包含纯化硅和部分用过的清洁化学品的化学反应混合物中除去纯化的硅。包括：（a）通过化学清洗方法提高含量大于90重量％的硅的精细分散形式和小于500μm，优选小于250μm的粒度的硅的纯度，将硅经受液体清洁化学品，其中硅和清洁化学品形成化学反应混合物，其中在有或没有能量供应的情况下进行化学清洁过程，并且金属和/或非金属杂质大部分被去除使得包含纯化硅和部分用过的清洁化学品的化学反应混合物存在; （b）在清洁过程中使化学反应混合物经受1巴的大气压或高于大气压的压力; （c）在清洁过程中将化学反应混合物暴露于高于室温的高温下; 和（d）从包含纯化硅和部分用过的清洁化学品的化学反应混合物中除去纯化的硅。还包括用于实施上述方法的设备的独立权利要求，其包括：压力容器（2）或用于从细粒度硅和液体清洁化学品接收化学反应混合物的接收容器，其中压力容器和接收容器呈现填充装置（12）; 放电装置外部设置的能量源（10），用于产生位于相应管道中的反应混合物中的升高温度; 布置在接收容器上的环境耐压容器，其中可获得1巴直立的预定环境压力; 用于使来自细颗粒硅和液体清洗化学品的化学反应混合物流动的管道（18）; 用于在管道和容器状部分（28）中保持> = 1巴的压力的压力源; 用于阻塞管段和容器状部分并阻止化学反应混合物的流动并且在管段和容器状部分中产生大于1巴的压力的压力截止阀通过作用在管段和容器状部分上的能量源; 所述化学反应混合物的输送装置包括液体清洁化学品中的冶金硅，以及包含纯化硅和部分废弃清洁化学品的化学反应混合物的附加输送装置; 容器状部分，其容纳含有清洁化学品和细颗粒硅的化学清洁混合物; 容器状部分上的外部排出的能源，用于产生位于容器状部分中的反应混合物中的高温; 以及用于接收化学反应混合物的管道，其中清洁化学品在管道中是静止的，并且硅颗粒在重力作用下通过沉降或沉降而移动。

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